请选择 进入手机版 | 继续访问电脑版

      第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM2019)即将于2019年7月17日在北京世纪金源大饭店盛大召开,参会规模500余人。

会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和功率器件研发以及相关设备研发、宽禁带半导体器件封装模块产业及标准化发展等领域开展广泛交流,促进亚太地区在宽禁带半导体领域的相互交流与合作,实现亚太地区宽禁带半导体产业的快速健康发展。欢迎大家的参会!

今天将为大家介绍本届会议的三位大会主席。


陈小龙

中国  物理研究所研究员、博导,先进材料与结构分析重点实验室主任,北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家

1964年5月生于山东。1991年在中国科学院物理研究所获得博士学位,现任物理研究所研究员、博导,先进材料与结构分析重点实验室主任,北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家。长期从事新功能材料探索、新物性和宽禁带半导体晶体生长的研究和产业化工作。在宽紧带半导体晶体生长和物性以及新超导体探索方面取得突出成绩,德国海德堡大学和拜罗伊特大学洪堡学者,1999年国家杰出青年科学基金获得者。曾兼任中国晶体学会副理事长(2004-2012),现兼任中国物理学会x射线衍射专业委员会主任(2013-),国际衍射数据中心(ICDD)副主席(2016-),国家万人计划入选者,科技北京百名领军人才,入选北京市高层次创新创业领军人才,先后承担国家重大科学研究计划项目(首席科学家)、国家自然科学基金委重大研究计划集成项目40余项等。在国际有影响的学术刊物上发表和合作发表论文300余篇,申请国家发明专利50项(已授权40项),起草国家标准3项(已实施)。

Filippo DIGIOVANNI

瑞士,意法半导体市场战略部总监

Filippo先生在STMicroelectronics工作了30余年,致力于功率晶体管技术的开发和推广,从当时广泛应用于CRT水平偏转和照明的双极管,到现在的MOSFET。作为技术市场经理,帮助推出了行业内第一个基于带状的低电压和高电压MOSFET,成为ST在行业内首批作为参考的器件。

在九十年代末,Filippo先生着手推出ST自己的“超级结”高压MOSFET,名为MDmeshTM,这使ST成为该领域最强大的市场参与者之一。

通时Filippo先生推动了平面IGBT的引入,并为第一代沟槽IGBT的开发铺平了道路。

从2012年开始,Filippo先生开始开发首批1,200V碳化硅(SiC)MOSFET,使ST成为当今无可争议的市场领导者。

Gourab Majumdar

日本 日本三菱电机公司首席科学家

2018年入选IEEE-ISPSD首届名人堂,半导体与器件集团高级研究员。

Gourab Majumdar先生于1955年6月出生于印度,并于2018年10月获得日本国籍。

Gourab Majumdar先生于1977年获得印度德里印度理工学院(IIT)电子工程学士学位,2005年获得日本九州工业大学(KIT)工程博士学位。1978年9月在三菱电机公司的特殊OJT项目开始了他的职业生涯。自1983年以来,一直在其负责先进功率半导体开发,设计和应用的部门工作。2012年4月至2017年3月,担任三菱电机公司半导体和设备集团的执行研究员。

目前Gourab Majumdar先生担任该公司半导体和设备集团的高级研究员。Gourab Majumdar先生出版并合著了许多关于功率器件的技术论文和书籍,并在相关领域拥有多项专利。

2005年,凭借发明IPM(智能功率模块)基本概念而获得日本着名的国家发明奖,并获得了其他一些知名奖项,包括“日本工艺大奖赛”(日本手工艺大奖赛),2013年荣获经济,贸易和工业荣誉部长奖等,以表彰各代IPM设备的开发和商业化。

他曾担任ISPSD 2013总裁,并作为PCIM顾问委员会和ISPSD咨询委员会的成员参与其中。他于2017年获得IEEE-ISPSD贡献奖,以表彰其在智能电源模块和电源IC技术领域的积极作用,并为ISPSD做出了重要贡献。由于他在推动IGBT和IPM技术发展方面的全球作用,他被提名为IEEE-ISPSD首届名人堂成员之前的32位入选者之一,并于2018年5月获得该奖项。

Gourab Majumdar先生曾在九州大学和东京工业大学(TIT)担任客座教授多年,并一直在大学授课,讲授高级功率半导体器件课程。并于2016年获得了印度Amity大学荣誉教授的称誉。




路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋
关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

返回顶部