“SiC标配”的产能保障，小米“绑定”英飞凌

5月6日，英飞凌宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅（SiC）HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ 功率模块及芯片产品至2027年。

英飞凌的CoolSiC功率模块可适应更高的工作温度，从而实现一流的性能、驾驶动力和寿命。例如，基于该技术的牵引逆变器可进一步增加电动汽车续航里程。HybridPACK™ Drive是英飞凌市场领先的电动汽车功率模块系列，自2017年以来已累计出货近850万颗。

英飞凌为小米SU7 Max版供应两颗1200 V HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC模块。此外，英飞凌还为小米汽车供应满足不同需求的其它广泛产品，例如不同应用中的EiceDRIVER™栅极驱动器和10款以上的微控制器。

此外，两家公司还同意在SiC汽车应用领域开展进一步合作，以充分发挥英飞凌碳化硅产品组合的优势。

本次合作将进一步巩固英飞凌作为全球汽车半导体行业的领先地位。根据TechInsights的最新数据，英飞凌是全球最大的汽车半导体供应商。此外，除了在汽车功率半导体领域位居第一，英飞凌去年还在汽车微控制器领域也占据领先地位。

简单回顾一下，小米SU7单电机版（400V电压平台）搭载了联合汽车电子的电桥，其应用了博世第二代750V，6.4毫欧的碳化硅芯片产品；而小米SU7双电机版（800V电压平台）的电驱供应商为汇川联合动力，其中搭载了来自英飞凌的碳化硅芯片和模块产品。

据悉，英飞凌的CoolSiC™ MOSFET采用的是沟槽结构设计。与平面结构技术相比，沟槽栅结构可实现更高的单元密度，从而产生最佳的品质因素。因此，沟槽栅MOSFET可以在较低的栅极氧化物场强下工作，从而提高可靠性。

此前，英飞凌基于SiC需求开发了增强型HPD Gen2封装，相比HPD G1 具有诸多技术优势。

■ 图源：英飞凌在第十五届汽车动力系统技术年会的报告

■ 报告作者：英飞凌科技资源中心 (上海) 有限公司高级首席工程师赵振波

利用该封装技术，英飞凌推出了新型汽车功率模块——HybridPACK™ Drive G2，传承了成熟的 HybridPACK Drive G1 集成 B6 封装概念，在相同尺寸下提供可扩展性，并扩展至更高的功率和易用性。HybridPACK Drive G2 系列具有不同的额定电流和电压等级（750 V和1200 V），并使用了英飞凌的下一代芯片技术 EDT3（硅 IGBT）和 CoolSiC™ G2 MOSFET。

■ 图源：英飞凌在第十五届汽车动力系统技术年会的报告

■ 报告作者：英飞凌科技资源中心 (上海) 有限公司高级首席工程师赵振波

HybridPACK Drive G2 能够在 750 V 和1200 V 电压等级内实现高达 300 kW 的功率。此外，这款功率模块通过改进的组装和互连技术，实现了性能和功率密度双提升。通过采用新的互连技术（芯片烧结）和新材料（新型黑色塑料外壳），该模块还实现了更高的温度额定值，从而获得更高的性能和更长的使用寿命。

下图为英飞凌CoolSiC 整体产品组合：

■ 图源：Infineon-CoolSiC™ MOSFET G2 650 V & 1200 V

除了小米汽车外，英飞凌还为上汽集团旗下智己LS6、L6等车型提供碳化硅（SiC）HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ 功率模块。另外，英飞凌还与Stellantis、现代汽车和起亚等汽车制造商签署了向提供此类芯片的协议。

2022年11月，英飞凌与欧洲汽车制造商Stellantis签署了一份非约束性谅解备忘录。英飞凌将在 2025 年至 2030 年预留产能，直接向 Stellantis 供应商提供功率半导体。英飞凌表示，协议可能涉及价值超 10 亿欧元的芯片。

当时消息，英飞凌也在谈判为Stellantis品牌的电动汽车提供CoolSiC Gen2p 1200 V和CoolSiC Gen2p 750 V芯片。

2023年10月，英飞凌与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体长期供货协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。

产能方面，英飞凌正在扩大其在马来西亚居林和奥地利菲拉赫的碳化硅生产。

■ 图源：Infineon-CoolSiC™ MOSFET G2 650 V & 1200 V

2023年8月消息，在2022年2月宣布的原始投资基础上（此前宣布将投资超过20亿欧元，扩大SiC 和 GaN半导体的产能），英飞凌将大幅扩建其位于马来西亚居林的工厂，从而建成世界上最大的 8英寸 SiC（碳化硅）功率晶圆厂。

■ 图源：Infineon-CoolSiC™ MOSFET G2 650 V & 1200 V

具体来看，未来五年，英飞凌将追加投资高达 50 亿欧元大幅扩建居林工厂（第三座厂房的二期建设），主要生产8英寸碳化硅晶圆，预计2027年开始生产，达产后总体碳化硅产能将比2023财年增加15倍，目前第一阶段建设正在进行，进一步做好投产准备。此外，英飞凌还将对位于德国奥地利菲拉赫以及马来西亚居林的现有工厂进行8英寸改造。

据悉，这项投资将在2025年为英飞凌带来10亿欧元的年营收；到2030年，将带来70亿欧元的年营收，并且使得英飞凌占据全球30%的SiC份额。

基于下游的强劲需求，针对上游原材料，英飞凌则采取多方采购战略。英飞凌先后与Wolfspeed、GTAT、Coherent、Resonac、天岳先进、天科合达、SK Siltron CSS等材料企业签署供应合同，以进一步满足其扩产“底气”。

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来源： NE时代半导体

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