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新能源是未来主要发力方向。

9月13日,斯达半导体公司召开2021年半年度业绩说明会。会上其董事长沈华指出,公司160kw以上的产品已经大批量装车并运行;国内多个主流品牌均在使用公司的IGBT模块。另外,SiC方面,2020年至今公司已经定点多个使用全SiC MOSFET模块新能源汽车主电机控制器项目,预计将在2022年至2028年持续上量。公司全碳化硅功率模组产业化项目已经开始建设并开始批量供货,预计2022年开始大批量供货。


根据斯达半导体发布的2021年半年报,新能源则是未来主要发力方向。该半导体公司通过与上海华虹、上海先进等代工厂的多年合作和对英飞凌等的芯片外购,向电驱动企业、充电桩企业等新能源汽车上下游企业提供IGBT和SiC Mosfet模块。


今年上半年,斯达整体营业收入7.19亿元,较2020年上半年同期增长72.62%,其中新能源行业的收入达1.84 亿元,同比增长106.09%。

斯达半导IGBT/SiC的配套与定点

斯达在财报中指出,公司生产的应用于主电机控制器的车规级 IGBT 模块持续放量,合计配套超过20 万辆新能源汽车,预计下半年配套数量将进一步增加。同时公司在用于车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。


据悉,英威腾电气、汇川技术、巨一动力、上海电驱动等均是斯达的客户。


关于新技术的配套和定点,今年上半年,斯达基于第六代 Trench Field Stop 技术的 650V/750V IGBT 芯片及配套快恢复二极管芯片的模块新增多个双电控混动以及纯电动车型的主电机控制器平台定点,将对2023年-2029 年公司新能源汽车 IGBT 模块销售增长提供持续推动力;


基于第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的新一代车规级 650V/750VIGBT 芯片研发成功,预计 2022 年开始批量供货;


基于第六代 Trench Field Stop技术的1200V IGBT芯片在12寸产线实现大批量生产,12英寸IGBT芯片产量迅速提高;


车规级 SGT MOSFET (split-gate trench MOSFET)开始小批量供货;


新增多个使用全SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点,将对2023 年-2029年 SiC 模块销售增长提供持续推动力。

斯达半导IGBT/SiC的配套与定点

同时,斯达在扩产保障供应,也在从代工走向自产:募资35亿元,建设高压和SiC 芯片产线,扩充模块产能。具体为,高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目达产后,预计将形成年产 30 万片6英寸高压特色工艺功率芯片生产能力;SiC 芯片研发及产业化项目达产后,预计将形成年产 6 万片 6 英寸 SiC 芯片生产能力;功率半导体模块生产线自动化改造项目达产后,预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。



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