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中国是否会成为下一个芯片帝国?
中国是否会成为下一个芯片帝国?
来源:传感器技术芯片被推上了21世纪技术争夺的风口浪尖。《经济学人》最新的封面文章,题为《芯片大战》(Chip wars),认为21世纪对技术的争夺,包括从人工智能到网络设备等,主战场在半导体工业。计算机芯片是数字 ...
分类:    2019-1-4 09:38
SiC MOSFET进入主流市场,功率器件新局面正式开启
SiC MOSFET进入主流市场,功率器件新局面正式开启
来源:新电子碳化硅(SiC)MOSFET的优异技术功能必须搭配适合的成本定位、系统相容性功能、近似于硅的FIT率以及量产能力,才足以成为主流产品。电力系统制造商需在实际商业条件下符合所有上述多项要素,以开创功率转换 ...
分类:    2019-1-3 09:08
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟成功入选中关村国家自主创新示范区第 ...
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟成功入选中关村国家自主创新示范区第 ...
来源:创新处根据《关于申报第二批中关村国家自主创新示范区标准化试点示范单位的通知》(中科园发〔2018〕50号)要求,中关村科技园区管理委员会和北京市市场监督管理局组织开展了第二批标准化试点示范单位申报和审 ...
分类:    2019-1-3 09:03
科技部 发展改革委 财政部关于印发《进一步深化管理改革激发创新活力确保完成国家科技 ...
国科发重〔2018〕315号各重大专项牵头组织单位、各有关项目管理专业机构、各有关单位:  为全面贯彻落实习近平总书记在两院院士大会上的重要讲话精神和《国务院关于优化科研管理提升科研绩效若干措施的通知》(国 ...
分类:    2018-12-28 08:48
GaN|Yole预测:2017-2023年GaN在电源和充电器市场发力,智能手机的充电器是杀手级应用
GaN|Yole预测:2017-2023年GaN在电源和充电器市场发力,智能手机的充电器是杀手级应用
来源:大国重器在很长一段时间内,对基于GaN的解决方案的开发主要有由研发机构和实验室进行。今天这种情况发生了变化。在法国悠乐(Yole)公司发布的年度报告《电力GaN:外延、器件、应用和技术趋势》中,Yole表示, ...
分类:    2018-12-28 08:48
优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
来源:三菱电机半导体优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETsToshikazu Tanioka, Yuji Ebiike,Yasunori Oritsuki, Masayuki Imaizumi,Masayoshi Tarutani,三菱电机功率器件制作所本文介绍了三菱电机第 ...
分类:    2018-12-27 11:05
2018年全球十大国家半导体产业发展亮点分析
2018年全球十大国家半导体产业发展亮点分析
来源:OFweek电子工程网半导体已经发展成为全球经济增长的支柱性产业,随着技术的不断突破,越来越多的国家开始重视相关技术的发展。在全球半导体技术发展和应用里,北美、欧洲和亚太地区成为全球三大半导体产业的发 ...
分类:    2018-12-27 10:21
IGBT设计关键因素简析
IGBT设计关键因素简析
因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比较关心的几点出发,概括性地来说一说。而没有深入到物理参杂等方面,希望可以对你们有所帮助。IGBT基本结构和原理每 ...
分类:    2018-12-25 10:07
市场报告|由于信号处理应用的实施不断增加,到2023年宽禁带功率半导体器件市场将增长 ...
市场报告|由于信号处理应用的实施不断增加,到2023年宽禁带功率半导体器件市场将增长 ...
来源:大国重器美国第三方市场研究机构Technavio在其报告“全球宽禁带半导体功率器件市场”中预测,2019-2023年间,宽禁带功率半导体器件市场的复合年增长率(CAGR)将达到39%,到2023年达到21.9亿美元。一个关键驱 ...
分类:    2018-12-25 09:57
IGBT关断过程分析
IGBT关断过程分析
上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT的开通过程,今天,我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析,而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。前言绝缘栅双极型晶体管(IGB ...
分类:    2018-12-24 12:14
氧化镓|佛罗里达大学,美国海军研究实验室和韩国大学评估氧化镓作为超宽带隙半导体的 ...
来源:大国重器美国佛罗里达大学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员在AIP出版的《应用物理学》上发表了研究有关,展现最具前景的超宽带化合物——氧化镓(Ga2O3)的特性、能力、电流限制和未来发展前景。氧化 ...
分类:    2018-12-21 08:50
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟顺利通过2018年度新区产业创新联盟发 ...
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟顺利通过2018年度新区产业创新联盟发 ...
来源:北京经济技术开发区官网根据《北京经济技术开发区产业创新联盟促进与发展评估项目实施方案》, 开发区知识产权局于2018年11月20日组织召开2018年度新区产业创新联盟发展评估专家评审会。专家组经过对申报单位基 ...
分类:    2018-12-21 08:49
IGBT开通过程分析
IGBT开通过程分析
来源:功率半导体那些事儿IGBT开通过程的分析IGBT作为具有开关速度快,导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。 ...
分类:    2018-12-19 10:17
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
来源:上观新闻5纳米,相当于头发丝直径的二万分之一,将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划明年进行5纳米制程试产,预计2020年量产。最近,中微半导体公司收到一个好消息:其自主研制的5纳米等离子体刻蚀机 ...
分类:    2018-12-19 10:11
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
来源:上观新闻5纳米,相当于头发丝直径的二万分之一,将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划明年进行5纳米制程试产,预计2020年量产。最近,中微半导体公司收到一个好消息:其自主研制的5纳米等离子体刻蚀机 ...
分类:    2018-12-19 10:10

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