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厚德钻石邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 14:02

碳化硅很火，但不挣钱？: 最近，一则消息引发芯片圈和投资圈集体焦虑，全球最大碳化硅（SiC）制造商Wolfspeed股价自1月以来已暴跌近50%，而美国激进投资公司Jana Partners给Wolfspeed北美总部董事会发了一封信，敦促这家公司探索一切提高股东 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 13:59

SiC MOSFET方案：5kW 高效率无风扇逆变电路: 文章来源：罗姆（ROHM）半导体摘要：采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET 高频特性的 Trans-link 交错型逆变电路(1)、实现了 5kW 时的功率转换效率达到 99%以上。在该电路拓扑中，平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 13:56

【成员动态】2个SiC工厂有新动态，均宣布扩产: 近期：有2个SiC工厂有新动态，均宣布扩产：● 泰科天润：扩建6吋SiC项目，新增投资1亿元；● Vishay：完成对安世半导体NWF晶圆厂的收购，已购置爱思强SiC设备正式扩产。泰科天润：追投1亿扩建SiC项目近日，泰科天润 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 13:47

氮化镓功率器件的技术路线: 氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于使用较低的Rds ...; 分类: 新闻通知 2024-4-25 10:19

双沟槽SiC MOSFET重离子单粒子效应: 摘要：本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验, 分析了器件产生单粒子效应的物理机制。实验结果表明, 辐照过程中随着初始偏置电压的增大, 器件漏极电流增长更明显; ...; 分类: 新闻通知 2024-4-25 10:09

【邀请函】广州粤升邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-25 09:58

衬底“突围”，碳化硅五巨头的产能博弈: 4月22日，ROHM 和意法半导体宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）衬底晶圆多年长期供货协议基础上，继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议，SiCrystal公司将对 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-24 11:26

罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应: 罗姆(ROHM)和与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics）今天（4月22日）宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）衬底多年 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-24 11:22

宽禁带科技论|高K场板的凹槽型阳极结构调控AlGaN/GaN SBD 电流输运及相关机制分析: 近期，河北工业大学、广东工业大学和南京大学联合开发了一种具有高k场板凹槽阳极结构的AlGaN/GaN肖特基势垒功率二极管（SBD）物理模型，旨在分析电荷耦合效应对肖特基结区域电场、漏电流和击穿电压的影响；研究人员 ...; 分类: 联盟动态 2024-4-24 11:20

【邀请函】东映碳材邀您参加2024宽禁带半导体先进技术与应用发展高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 公告通知 2024-4-24 11:18

【邀请函】张家港安储邀您参加2024宽禁带半导体先进技术与应用发展高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 公告通知 2024-4-24 11:10

南京大学-大尺寸碳化硅激光切片设备与技术: 南京大学科技成果推介　第一百二十四篇大尺寸碳化硅激光切片设备与技术所属领域新材料（第三代半导体材料加工设备）项目介绍1. 痛点问题SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-22 13:49

世界首个！中国成功研制！氮化镓量子光源芯片: 量子光源芯片四川团队全球首用氮化镓　　　　●量子光源芯片，此前多使用氮化硅等材料进行研制　　●氮化镓量子光源芯片，在输出波长范围等关键指标上取得突破　　●该团队接连取得的研究进展，将为量子互联网建设提 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-22 13:47

今年将是第四代半导体氧化镓元年: 越来越多的明确进展昭示了一个事实：氧化镓已经走到了产业化应用的节点。我愿称2024年为氧化镓元年。觉得有点不可思议？这个判断只需要我们共同梳理一下自上篇关于氧化镓文章至今近两年的进展即可得到共识。2021-202 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-22 13:46

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