【邀请函】广州粤升邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛

尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：

凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能装备、核心器件等产业链，与业界精英们共同解锁我国宽禁带半导体产业链降本增效，高质量发展的实现路径，提高宽禁带半导体创新链整体效能，为行业搭建多维度沟通合作平台！

在会议期间，广州粤升半导体设备有限公司将在37号展台上展出最新产品和技术，我们诚挚地邀请您莅临展台，与我们进行深入的交流和探讨，共同探索合作与发展的可能性。

我们期待着您的光临，相信您的参与将为本次会议增添更多精彩与活力。让我们携手共进，共创辉煌！

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01.

关于广州粤升半导体设备有限公司

广州粤升半导体设备有限公司是一家专业研发生产半导体设备的公司，成立于 2021 年。公司专注于碳化硅外延设备和碳化硅晶体生长设备研发和生产，帮助客户生产高质量的碳化硅外延片和晶片。

公司拥有一流的技术团队和先进的生产设备，为客户提供高效、可靠和经济实惠的解决方案。公司致力于成为世界一流碳化硅设备供应商，通过提供优质的产品和服务，推动碳化硅产业的发展，创造美好的生活。

粤升主营产品：碳化硅外延炉、液相法碳化硅单晶炉。

02.

展品精彩预告

设备名称：SiC 外延炉

设备型号：YS-E06S01

设备功能：CVD 法生长 SiC 同质外延

衬底尺寸：4 吋兼容 6 吋、6 吋兼容 8 吋

片内厚度不均匀性：＜2%

片内掺杂浓度不均匀性：＜5%

形貌缺陷密度：＜1 个/cm2

设备特点：

1、具备 n、p 型及高速率的外延生长能力；

2、高均匀性、低缺陷的 SiC 外延质量；

3、RUN TO RUN 性能优异；

4、供液一体化系统。

设备名称：液相法 SiC 单晶炉

设备型号：YS-C08S01

设备尺寸：L1300×W1300×H3600mm

适用工艺：LPE 法 (兼容 PVT 法)

长晶尺寸：6 吋兼容 8 吋

主炉腔体：不锈钢

籽晶/坩埚升降行程：200mm

籽晶/坩埚旋转速度范围：0.1-200rpm

可加热温度范围：800℃~2800℃

设备特点：

1、高真空度，高品质泵体、密封设计，各部件严密结合，保障长晶环境；

2、高精密性，高品质电控系统、传动系统、零部件，保障设备精密性和运行稳定性；

3、自主开发，具有自主知识产权，生产制造不受制约，供货稳定，可接受定制。

4、已通过国内知名 SiC 衬底公司验证，并可兼容 8 英吋晶锭

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03.

关于会议

会议时间地点

会议时间

2024年6月5日—7日，5日报到

会议地点

北京格兰云天国际酒店三层格兰厅

（北京大兴区亦庄经济技术开发区荣华南路15号中航技广场10号楼）

组织机构

主办单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

承办单位

北京北方华创微电子装备有限公司

北京天科合达半导体股份有限公司

协办单位

京津冀国家技术创新中心光电技术研究所

河南联合精密材料股份有限公司

天津裕丰碳素股份有限公司

惠丰钻石股份有限公司

杭州众硅电子科技有限公司

中电科风华信息装备有限公司

会议拟讨论话题

• 晶体生长、加工工艺及相关装备技术；

• 外延材料生长、芯片制造等核心工艺技术及装备；

• 封装材料、工艺及装备技术；

• 宽禁带半导体材料、器件的可靠性和故障分析；

• 宽禁带半导体器件应用前景；

• 产品性能/良率/可靠性等要素分析与改进；

• 产能产量的思考与风险；

• 促进工艺优化及降本增效的解决方案；

• 更多热点话题......

部分出席和拟邀嘉宾

刘 胜 武汉大学教授，中国科学院院士

陈小龙 中国科学院物理研究所 研究员/宽禁带联盟理事长

林 健 中国电子材料行业协会半导体材料分会 秘书长

徐 科 中国科学院苏州纳米所 研究员

沈 波 北京大学 教授

马 雷 天津大学 教授

欧 欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究员

章 嵩 武汉理工大学 研究员

林学春 中国科学院半导体研究所 研究员