大会主席介绍·APCSCRM 2019

瑞士，意法半导体市场战略部总监

Filippo先生在STMicroelectronics工作了30余年，致力于功率晶体管技术的开发和推广，从当时广泛应用于CRT水平偏转和照明的双极管，到现在的MOSFET。作为技术市场经理，帮助推出了行业内第一个基于带状的低电压和高电压MOSFET，成为ST在行业内首批作为参考的器件。

在九十年代末，Filippo先生着手推出ST自己的“超级结”高压MOSFET，名为MDmeshTM，这使ST成为该领域最强大的市场参与者之一。

通时Filippo先生推动了平面IGBT的引入，并为第一代沟槽IGBT的开发铺平了道路。

从2012年开始，Filippo先生开始开发首批1,200V碳化硅（SiC）MOSFET，使ST成为当今无可争议的市场领导者。

日本 日本三菱电机公司首席科学家

2018年入选IEEE-ISPSD首届名人堂，半导体与器件集团高级研究员。

Gourab Majumdar先生于1955年6月出生于印度，并于2018年10月获得日本国籍。

Gourab Majumdar先生于1977年获得印度德里印度理工学院（IIT）电子工程学士学位，2005年获得日本九州工业大学（KIT）工程博士学位。1978年9月在三菱电机公司的特殊OJT项目开始了他的职业生涯。自1983年以来，一直在其负责先进功率半导体开发，设计和应用的部门工作。2012年4月至2017年3月，担任三菱电机公司半导体和设备集团的执行研究员。

目前Gourab Majumdar先生担任该公司半导体和设备集团的高级研究员。Gourab Majumdar先生出版并合著了许多关于功率器件的技术论文和书籍，并在相关领域拥有多项专利。

2005年，凭借发明IPM（智能功率模块）基本概念而获得日本着名的国家发明奖，并获得了其他一些知名奖项，包括“日本工艺大奖赛”（日本手工艺大奖赛），2013年荣获经济，贸易和工业荣誉部长奖等，以表彰各代IPM设备的开发和商业化。

他曾担任ISPSD 2013总裁，并作为PCIM顾问委员会和ISPSD咨询委员会的成员参与其中。他于2017年获得IEEE-ISPSD贡献奖，以表彰其在智能电源模块和电源IC技术领域的积极作用，并为ISPSD做出了重要贡献。由于他在推动IGBT和IPM技术发展方面的全球作用，他被提名为IEEE-ISPSD首届名人堂成员之前的32位入选者之一，并于2018年5月获得该奖项。

Gourab Majumdar先生曾在九州大学和东京工业大学（TIT）担任客座教授多年，并一直在大学授课，讲授高级功率半导体器件课程。并于2016年获得了印度Amity大学荣誉教授的称誉。