《2019年中国第三代半导体材料产业演进及投资价值研究》白皮书发布

第三代半导体材料具有优越的性能和能带结构，广泛于射频器件、光电器件、功率器件等制造，具有很大的发展潜力。目前第三代半导体材料已逐渐渗透5G通信和新能源汽车等新兴领域市场，被认为是半导体行业的重要发展方向。2018年，全球第三代半导体材料市场规模为4.19亿美元，同比增长42.6%。

2018年，在5G、新能源汽车、绿色照明等新兴领域蓬勃发展以及国家政策大力扶持的双重驱动力下，我国第三代半导体材料市场继续保持高速增长，总体市场规模已达到5.97亿元，同比增长47.3%。

我国第三代半导体材料产业发展已初具规模，主要集中在京津冀、长三角、珠三角、闽三角和中部地区。京津冀地区：研发实力全国最强，并且具有较强的SiC研究基础和产业链基础；长三角地区：主要以GaN材料为主，侧重电力电子和微波射频领域，其中上海、江苏等地已将第三代半导体作为重点发展方向之一；珠三角地区：在半导体照明领域全国领先，是我国第三代半导体产业的南方基地，拥有“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”；闽三角地区：拥有以三安光电为代表的第三代半导体龙头企业，有效带动了上游材料企业的发展；中部地区：科研实力、军工应用雄厚，已经涌现出一批第三代半导体材料企业。

预计未来三年中国第三代半导体材料市场规模仍将保持20%以上的平均增长速度，到2021年将达到11.9亿元。

一是技术趋势：大尺寸和高质量SiC生长技术是未来发展的趋势、同质外延依然是GaN器件的技术改进方向，所以高质量GaN衬底的技术研发还将继续；二是应用趋势：半导体照明、激光器和探测器、军事领域以及5G及新能源汽车代表的新兴领域将成为未来第三代半导体材料主要的应用领域；三是价格及成本趋势：未来6英寸SiC衬底预计将降至5000元/片以下、GaN衬底价格有望降至500美元/片左右，并且随着衬底和外延片尺寸的增加和生产规模的扩大，衬底和外延片的成本将有所下降，毛利率会更高。

面对目前国内企业相对弱小、抗风险能力较差以及应用市场推进缓慢、市场需求可能不及预期等问题，赛迪建议：一是为了弥补技术差距可通过对外收购三代半企业来实现技术的快速追赶；二是把握5G带来机遇，加速提升产业竞争力；三是我国作为全球最大的汽车市场，应关注新能源汽车可能催生的新需求；四是参考国外企业，为了确保企业自身的竞争优势，向IDM模式发展；五是我国科研机构的人才和技术储备优势将愈发显著，因此国内厂商应继续加强高校以及科研院所的合作，争取早日实现高端三代半领域产业化发展。