【APCSCRM 2019报告嘉宾更新！】第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议最新通知

 为了推动亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的发展，促进政、产、学、研、用之间的交流与协同创新，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、SEMI（国际半导体产业协会）、中科院物理所和中国晶体学会联合主办的第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议（2019年）（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019)）。本届会议将于2019年7月17日-20日在北京世纪金源大饭店召开，参会规模500余人。

    APCSCRM 2019会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和功率器件研发及相关设备研发、宽禁带半导体封装模块产业及标准化发展等领域开展广泛交流，促进亚太地区在宽禁带半导体领域的相互交流与合作，实现亚太地区宽禁带半导体产业的快速健康发展。深信本次会议必将对亚太地区碳化硅等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。

    APCSCRM是一个亚太地区高水平的碳化硅等宽禁带半导体相关材料、器件的产业与学术并重的高水平论坛。

主题

宽禁带半导体材料生长与外延技术；

宽禁带半导体器件测试及分析技术；

宽禁带半导体器件封装模块、系统解决方案及应用；

半导体产业标准化及EHS发展。

日程

APCSCRM 2019

报告嘉宾

01

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报告嘉宾

Gourab Majumdar（日本三菱电机公司，日本）

Osami SAKATA（东京工业大学材料与化学技术学院，日本）

张玉明（西安电子科技大学微电子学院，中国）

报告题目：高阈值电压稳定的4H-SiC VDMOSFET的设计与特性

居龙（SEMI，中国）

报告题目：全球半导体产业的新变局新形势

filippo digiovanni（意法半导体，瑞士）

Noboru Ohtni（关西学院，日本）

报告题目：解析4H-SiC晶体物理气相传输过程中的位错形成过程

唐为华（北京邮电大学，中国）

报告题目：氧化镓外延薄膜生长与日盲紫外光电探测器件

孙国胜（东莞天域半导体科技有限公司，中国科学院半导体研究所，中国）

报告题目：4H-SiC晶片划痕及其对外延生长的影响

沈旭强（国家先进工业科学技术研究所（AIST），日本）

报告题目：无氨高温金属有机气相外延（AFHT-MOVPE）：高品质AlN生长的新方法 

冯哲川（广西大学，中国）

报告题目：4H碳化硅上成长的氮及磷掺杂的4H碳化硅外延厚膜的光学研究

徐科（苏州纳维科技有限公司，中国）

报告题目：氮化镓单晶材料的生长研究与应用进展

李忠辉（中国电子科技集团第五十五研究所，中国）

报告题目：高铝组分AlGaN材料的MOCVD外延生长研究进展

刘春俊（北京天科合达半导体股份有限公司，中国）

报告题目：碳化硅单晶生长研究及产业化进展

Won-Jae Lee（东义大学先进材料工程系，韩国）

报告题目：高品质4H-SiC晶体生长的改进工艺参数

Hiroshi Kanazawa（Showa Denko，日本）

Yasuto HIJIKATA（琦玉大学，日本）

报告题目：利用SiC晶体中的单光子源的室温电子可控量子器件

李金元（全球能源互联网研究院，中国）

报告题目：电网用碳化硅电力电子器件的设计与测试技术

高博（西安微电子技术研究所，中国）

报告题目：SiC功率器件宇航应用及辐射效应研究

Jinping AO（德岛大学，日本）

报告题目：氮化镓肖特基接触用氮化镍电极的合成

Q. Jon ZHANG （美国能源部，美国）

报告题目：SiC和GaN功率器件的设计，商业化和应用

Suga Tadatomo（东京大学，日本）

蔡蔚（精进电动，中国）

报告题目：对于车载电气化用SiC MOSFET逆变器的系统思考

龙腾（剑桥大学，英国）

报告题目：宽禁带半导体电力电子应用的潜力

李华（株洲中车时代电气股份有限公司，中国）

原诚寅（北京新能源汽车技术创新中心有限公司，中国）

报告题目：第三代半导体在新能源汽车领域应用技术路线和发展前景

李诚瞻（株洲中车时代电气股份有限公司，中国）

报告题目：轨道交通用3300V碳化硅器件和模块

董勇

路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋