这两个月，随着全系标配SiC的小米SU7上市，再加上小米和智己针对SiC的来回“拉扯”，SiC的热度又再次拔高。本次北京车展也不例外，主机厂、Tier1、半导体厂商在SiC方面的宣传与露出“从不缺席”。

北京车展SiC新动态速览：

◎吉利：碳化硅混合驱动集成技术，降低75%以上碳化硅用量

◎岚图：碳化硅自研国内主机厂唯二，电控最高效率可达99.4%

◎埃安：首次将碳化硅应用于最主流的400V平台

◎蔚来：自研1200V碳化硅功率模块

◎博世：新一代碳化硅功率模块CSL和LSL

◎博格华纳：Viper功率模块，双面水冷散热

◎精进电动：自研800V碳化硅逆变器

◎比亚迪半导体：1200V 1040A SiC模块，双面银烧结

◎三安半导体：1200V 8mΩ SiC MOSFET

◎晶能：GeePak碳化硅塑封模块

01.

吉利：碳化硅混合驱动集成技术

吉利汽车携自研的GEA全球智能新能源架构、银河11合1智能电驱、AI数字底盘、碳化硅混合驱动集成、天地一体化卫星科技等数十项造车科技亮相2024北京国际车展。

电驱方面，吉利本次带来了800V SiC碳化硅电驱、11合1智能电驱以及轮边电驱。

当业界还在卷“三合一”、“八合一”等多合一概念时，吉利现场展示了行业最轻、最小、效率最高的智能电驱——吉利银河11合1智能电驱，在CLTC工况下，效率达到了90.04%。值得一提的是，该电驱荣获“电驱动总成5A级认证” ，也是同级中唯一效率超过 90% 的产品。

同时，吉利已经突破并掌握了碳化硅混合驱动集成关键技术，在降低75%以上碳化硅用量的同时，实现更高综合效率，推动800V的全面普及。

02.

岚图：全栈自研碳化硅平台

2024岚图汽车春季技术沟通会也在北京车展同期举行。在沟通会上，岚图汽车发布了多项核心“三电”技术：最新一代岚海动力系统、全新一代琥珀电池、自研5C超级快充技术等。

其中，岚图汽车全栈自研的最新一代岚海动力系统搭载了全球效率最高的800V高效率电驱系统，工况效率达到92.5%，相较行业800V电驱效率提升了0.5%。

这一技术突破主要得益于800V碳化硅平台的应用，作为国内唯二可以全栈自研碳化硅平台的车企，岚图的电控最高效率可达99.4%，基于全球首次应用的最新一代TMOS+ 160纳米级精细沟槽栅芯片技术，可降低能量传递损失20%。同时，还有独有专利的流体力学优化设计的椭圆针翅，可将热阻降低10%。

03.

埃安：首次将碳化硅应用于400V平台

在2024北京车展上，广汽埃安带来了全新纯电动SUV——第二代AION V，基于AEP纯电平台打造。

第二代AION V装备了全球首创的液冷多合一深度集成电驱，配合着碳化硅技术，将电控的最高效率提升到了99.85%，损耗极低。

值得注意的是，埃安也首次将碳化硅应用于最主流的400V平台，让车辆拥有了在400V平台下15分钟也能充电370km的能力。

04.

蔚来：自研1200V碳化硅功率模块

蔚来此次携2024款全系车型首次集体亮相北京车展，同时也展示了其自研1200V碳化硅功率模块。

据此前消息，蔚来的行政旗舰车型ET9搭载的是面向900V的碳化硅电驱平台，采用蔚来自研的1200V SiC功率模块。

今年1月，芯联集成官宣与蔚来签署了SiC模块产品的生产供货协议。按照双方签署的协议，芯联集成将成为蔚来首款自研1200V SiC模块的生产供应商；今年3月，蔚来自研SiC模块C样下线，标志着蔚来自研SiC模块成熟度进一步提升，更近一步接近量产。

05.

博世：新一代碳化硅功率模块CSL和LSL

博世展出了其新一代碳化硅功率模块CSL和LSL，采用博世第二代1200V，９毫欧的碳化硅（SiC）芯片。

碳化硅芯片方面，得益于博世专利的沟槽技术，博世第二代碳化硅MOSFET芯片进一步降低30%的pitch size，实现单位面积Rdson 30%的缩减，Rdsonsp得到进一步降低。博世在后续SiC芯片的研发持续加大投入，预计每两年迭代一次沟槽工艺技术。

据悉，博世第二代1200V碳化硅MOSFET已于2024年第一季度投入量产，由于其较低的Rdson，使其在主驱逆变器中的高压功率模块应用中具备显著优势。

目前，博世第二代1200V碳化硅MOSFET已在多个车型上成功定点，博世第二代1200V碳化硅MOSFET的高可靠性和优异质量表现得到了众多主机厂以及Tier 1客户的认可。

模块封装方面，CSL和LSL分别采用壳封和塑封的结构设计，根据碳化硅芯片特性对尺寸进行了优化，显著提高了电驱产品的功率密度，并支持功率端子螺钉连接或激光焊连接，满足市场对全桥半桥的多样性需求。

06.

博格华纳：双面水冷散热Viper功率模块

博格华纳在本次北京车展将Viper功率模块的“双面水冷散热”形象地展现出来。采用双面水冷散热设计的热阻相对于单面冷却可降低50%，有效提高了逆变器的功率密度。同时还取消了绑定线设计，提升了循环可靠性。

博格华纳基于现有的逆变器产品路线图，正在开发结构更为紧凑的Viper功率模块。Viper封装技术兼容硅基和碳化硅两种功率半导体设计，最终使模块外形尺寸上几乎一致，大大提升了产品的功率密度。与前几代电机控制器相比，这款双面冷却电源开关可减轻40%的重量，减少30%的整体尺寸，并提升25%的功率密度。

此外，高性能紧凑型功率模块不仅适配400V和800V电压平台，硅和碳化硅的灵活选择，也支持240Arms-620Arms峰值电流范围。因此，博格华纳的Viper功率模块具有模块化和灵活易集成的特点，能够满足不同车型和客户对于性能、效率以及动力输出的多样化需求。

博格华纳在本次车展还展出了乘用车800V碳化硅电机控制器以及商用车800V碳化硅电机控制器。

这两款控制器均采用了SiC MOSFET半导体，核心技术在于博格华纳专利的Viper模块封装技术，高度集成了独特的双面水冷技术。

07.

精进电动：自研800V碳化硅逆变器

精进电动展出了其高功率碳化硅三合一电驱动总成，该总成集成方导体电机，碳化硅控制器和高效减速器，系统最高输出扭矩6100Nm，输出功率可达300kW。

其中，自主研发的800V碳化硅(SiC)逆变器采用第三代的宽禁带半导体碳化硅技术，具有高开关频率，高效率，高功率密度等优点。

据悉，控制器内搭载的芯片及功率器件全部具有自主知识产权，为国内首款全自主的电驱动控制器产品，供应链自主可控；控制器软件已满足ASIL-D级功能安全认证，为汽车行业最高等级。

此外，该逆变器可采用三相交流铜排直接安装在电机和减速器上，省去高压线束和连接器。该逆变器按照ASPICE流程开发，功能安全等级可达到ASILD它不仅集成了精进电动独有的双稳态驱动与控制功能、还集成了精进电动板载应急电源技术，此功能可确保整车在低压电源丢失时自动切换到应急电源供电。

08.

比亚迪半导体：1200V 1040A SiC模块

比亚迪半导体在车展零部件板块展出了其1200V 1040A SiC模块（型号：BME1040F12B34U5S-N）。据悉，该模块为车规级SiC功率模块，采用全桥拓扑，pinfin设计和双面银烧结工艺。

■ 图源：比亚迪半导体《分立器件及功率模块》

2022年6月，比亚迪半导体推出1200V 1040A SiC功率模块，在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率大幅提升了近30%，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。

09.

三安半导体：1200V 8mΩ SiC MOSFET

在本次北京车展上，三安半导体也展示了最新研发成果——1200V 8mΩ SiC MOSFET，这款产品是三安半导体目前MOS 1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品。

◎采用先进的SiC MOSFET技术，导通电阻低，开关损耗低，工作温度高达175℃，且具有超快的反向恢复时间和鲁棒性好的本征体二极管。

◎产品的电性能优越，具有开启电压低，实际额定电压远高于平台水平等特点。

◎产品适用于高频电路，并使应用系统的整体尺寸减小、效率得到提升以及开关频率大幅提高。

◎产品已广泛应用于电机驱动、断路器、不间断电源和光伏逆变器等领域。产品采用符合RoHS标准的元件，车规应用符合AEC-Q101标准。

10.

晶能：GeePak碳化硅塑封模块

晶能携带GeePak碳化硅塑封模块亮相北京车展。去年9月，晶能首款SiC半桥模块M1试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。

据了解，M1模块寄生电感达5nH，采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模塑封工艺，持续工作结温达175℃，在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms。

在模块布局方面，今年2月消息，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约。该项目由晶能微电子与星驱技术团队共同出资设立，重点布局车规SiC半桥模块。项目总投资约人民币10亿元，投资建设年产90万套SiC半桥模块制造生产线及相关配套，投产后预计实现年产值约12.5亿元。

据浙江晶能微电子有限公司CEO潘运滨透露，该项目是在去年晶能微电子投资50.17亿元建设晶圆和模块生产线基础上，联合合作伙伴，针对新的市场需求和产品类型做的新一轮扩产投资。

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来源：NE时代半导体

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