【联盟动态】2021年11月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿

2021年11月热点资讯汇编

【新品发布】

1.纳微发布一款采用GaNSense技术的氮化镓功率芯片

本次发布的新品是将电路感知技术加入到氮化镓功率芯片中，是业界内首款集成了智能感知技术的氮化镓功率芯片。通过传感器与芯片的融合，让电路的保护功能也朝着智能化发展，保证了系统的安全与稳定。

2.碳化硅MOS进入消费电源市场，即思创意发布65W SiC快充方案

即思创意(Fast SiC Semiconductor Inc., FSS) 发布了一系列典型耐压 750V的 SiC MOSFET，将有望首次把以往只用于新能源车、航天和高阶工控等的碳化硅技术导入消费者随身携带的充电头中。

FSS 的PQFN5x6 SiC MOSFET应用于65W PD快充

3.SemiQ 发布 1200V 80mΩ SiC MOSFET

SemiQ 宣布推出其第二代 SiC 功率开关，即 1200V 80mΩ SiC MOSFET，扩大其 SiC 功率器件产品组合。该 MOSFET 补充了公司现有的 650V、1200V 和 1700V SiC 整流器。SemiQ 设计了这款 MOSFET，以提供传导和开关损耗的最佳平衡，从而使其应用范围尽可能广泛。

4.华为合作纯电动汽车亮相，全球首款续航破千公里

在2021广州国际车展上，搭载超过1008km续航的广汽埃安新车型AION LX PLUS亮相。该车最大的亮点就是拥有1008km（CLTC工况）的续航里程，也是全球首款续航破千的纯电动车。

【投资扩产】

1.抢占汽车电子市场份额，银河微电加码车规级半导体

11月10日，银河微电发布公告，拟发行可转债募资不超过5亿元，其中4亿元投向车规级半导体器件产业化项目（下称“车规级项目”），1亿元用于补充流动资金。公告显示，车规级项目将通过购置先进的芯片制造设备、封测设备及车规级半导体分立器件试验和检测设备，引进专业的研发生产人员，建设涵盖芯片设计、制造和封装测试全流程的车规级半导体分立器件生产线，提升公司高端半导体分立器件的产能规模。

2.碳化硅器件模块企业芯聚能半导体获新一轮融资

碳化硅器件模块企业广东芯聚能半导体有限公司（简称“芯聚能半导体”）获国投创业独家投资，支持企业扩充产能，优化产业链布局。芯聚能半导体成立于2018年，主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试及销售，主要产品包括车规级功率模块、工业级功率模块和分立器件等，产品可广泛应用于新能源汽车领域和工业领域。

3.合肥或再建SiC/IGBT产线

阿基米德半导体(合肥)有限公司完成天使轮数亿元融资，创谷资本作为重要投资方之一，投资数千万元，并深度参与了企业融资和产业落地。将建设大规模SiC/IGBT封装生产线、车规级SiC模块生产线，同时兼容IGBT模块，旨在成为国际领先的新能源汽车及光伏领域的功率半导体企业。

4.联电旗下子公司联颖产能满载，拟增资扩产

11月15日消息，据台湾媒体报道，联电子公司联颖光电近年积极投入第三代半导体领域，积极投入开发氮化镓功率元件与射频元件制程开发，锁定市场商机为高效能电源功率元件及5G 射频元件，并宣布与颀邦交换持股布局封测，分居产业供应链之上下游，至于子公司联颖将是未来主要生产基地，进行产业链前后段整合。加上受惠于5G 发展、物联网及车用电子需求持续增加，其6 吋厂产能产能爆满，第三季获利有望比前几季更亮眼，带动营运稳定发展。

5.SK集团两个“石子”，激起SiC千层浪

SK集团旗下子公司SK Siltron CSS将投资超过6亿美元（约合人民币38.28亿元）扩大其在美国的晶圆生产线。SK Siltron表示，最新的投资决定是为了满足对电动汽车用SiC晶圆不断增长的需求。SiC晶圆厂商泰科天润宣布D轮融资获得了某国际半导体大厂和元禾重元的联合助力，新进跟投方还包括老股东遨问创投、新股东TCL创投。而近日被证实，这个神秘投资方就是SK海力士无锡投资公司。而这也是SK海力士在中国第一笔碳化硅相关项目的投资。

6.三菱电机：1300亿投向功率半导体，谋划8英寸SiC

三菱电机于 2021 年 11 月 9 日举行了功率器件业务的业务说明会，并宣布将在未来五年内向功率半导体业务投资 1300 亿日元，直至 2025 年。该公司计划在福山工厂（广岛县福山市）新建一条 12 英寸（300 毫米）晶圆生产线，并计划到 2025 年将其产能比 2020 年翻一番。三菱电机同时表示，公司也在加强对 SiC 的努力，它具有从大型电动汽车扩展到中型电动汽车的潜力。除了将独特的制造工艺应用于沟槽 MOSFET 以进一步提高性能和生产力之外，该公司还考虑制造 8 英寸SiC晶圆。

7.深化GaN市场布局，环球晶圆母公司入股美商Transphorm

硅晶圆厂中美硅晶10日晚间宣布，将由子公司中美鑫投资(股)公司参与美商Transphorm私募，预计取得5.84%持股。资料显示，Transphorm是GaN半导体厂商，生产并供应高效能、高可靠性的GaN功率转换元件。中美硅晶是全方位绿色能源整合供应商，同时也是全球前三大硅晶圆制造商环球晶圆的母公司。

8.Qorvo收购SiC器件供应商UnitedSiC

射频解决方案的领先供应商Qorvo今天宣布，公司已收购位于新泽西州普林斯顿的 United SiliconCarbide (UnitedSiC)，一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。据介绍，收购 United Silicon Carbide 将 Qorvo 的影响力扩大到快速增长的电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。据报道，在收购之后，UnitedSilicon Carbide 将成为 Qorvo 基础设施和国防产品 (IDP) 业务的一部分，由 Chris Dries 博士领导，Chris Dries 博士曾任 United Silicon Carbide 总裁兼首席执行官，现在是 Qorvo 功率器件解决方案的总经理。

【企业/科研院所动态】

1.物理所陈小龙研究团队荣获2020年度国家自然科学二等奖

11月3日，中共中央、国务院在北京人民大会堂隆重举行2020年度国家科学技术奖励大会，对为我国科学技术进步、经济社会发展、国防现代化建设做出突出贡献的科学技术人员和组织给予奖励，党和国家领导人出席奖励大会并为获奖科学家们颁奖。物理所“基于结构基元的新电磁材料和新效应的发现”项目荣获2020年度国家自然科学二等奖。

陈小龙研究团队（从左到右：钱天、王刚、陈小龙、郭建刚、金士锋）

2.微电子所在毫米波GaN MIS-HEMT器件研究方面取得突破

微电子所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质，成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT，并通过远程等离子体预处理（RPP）技术，在EC - ET >0.4 eV条件下, 界面态密度达到了6×1011 cm-2 eV-1~2.1×1012 cm-2 eV-1，实现了低界面态密度，减小了器件的关态泄漏电流，保证了器件具有良好的阈值电压稳定性。与常规HEMT器件相比，MIS-HEMT器件沟道载流子迁移率显著提高，器件电流崩塌效应得到抑制，在30GHz连续波测试中，实现了7.05W/mm的功率密度，峰值效率51.4%。

图（a）和（b）毫米波MIS-HEMT器件结构图和TEM图；HEMT器件和MIS-HEMT器件（c）反向肖特基漏电流（d）2DEG迁移率；(e)30GHz下MIS-HEMT器件功率测试；（f）26GHz—40GHz文献报道的毫米波HEMT和MIS-HEMT器件功率特性

3.瑞能半导体荣获年度全球电子成就奖最具潜力第三代半导体技术大奖

全球双峰会2021全球电子成就奖揭晓，瑞能半导体凭借第三代1200V碳化硅MOSFET技术从一众第三代半导体技术企业中脱颖而出斩获了年度最具潜力第三代半导体技术。

全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。

4.9000万元增资士兰明镓，士兰微加快推动化合物半导体产线建设

2021年11月29日，士兰微发布公告称，士兰明镓将新增注册资本30,000万元，注册资本由97,037万元增加为127,037万元。本轮增资额由士兰微与厦门半导体投资集团按目前股权比例共同认缴，其中，厦门半导体投资集团认缴21,000万元，士兰微认缴9,000万元。士兰微指出，本次增资的主要目的是为了增加士兰明镓的资本充足率，有利于加快推动化合物半导体生产线的建设和运营。该增资事项对公司当期业绩不会产生重大影响，但对公司的经营发展具有长期促进作用。

5.BMW盯上氮化镓，与原厂签署供应协议锁定产能

加拿大业者GaN Systems宣布与德国汽车大厂BMW已就确保氮化镓(GaN)晶体管产能达成协议，其产量预期能确保该车厂的供应链稳定；该公司首席执行官Jim Witham在接受访问时表示，GaN Systems将会为多种应用提供一系列产能。

6.博世牵头，在欧洲打造自主可控的SiC供应链

博世近日发表公告表示，当今的许多关键项目都集中在同一个目标上——那就是提高能源效率，从而保护环境。这些项目通常在电动汽车、可再生能源、边缘计算和云计算等领域——包括必要的数据中心。专家们一致认为，碳化硅 (SiC) 半导体和包含它们的电子元件将确保我们可以最有效地利用电力。为此博世指出，由公共资助的“Transform ”项目（可信赖的欧洲 SiC 绿色经济价值链）的目标是为这项技术建立一个弹性的欧洲供应链，涵盖范围从晶圆和其他基础材料到成品 SiC 功率半导体器件和电源。电子应用。

7.东芝半导体屈兴国：加速SiC/GaN开发 车载工控领域将是发力方向

东芝电子元件（上海）有限公司分立器件战略业务企划统括部高级经理屈兴国表示，在MOSFET和IGBT的基础上，东芝在加速碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物半导体的开发，构建更广泛的产品线，车载和工控市场将是东芝半导体发力的领域。“中国是东芝最重要的海外市场，有巨大的成长空间。东芝希望坚持差异化的产品方向，推出更好的产品满足市场需求，同时为节能减排和碳中和做出贡献。”屈兴国说。

8.丰田电装大举进军碳化硅

在去年十二月，电装宣布，作为其实现低碳社会努力的一部分，其配备了高质量的碳化硅 (SiC) 功率半导体的最新型号升压功率模块已开始量产，并被用于于2020 年 12 月 9 日上市的丰田新 Mirai 车型上。

在介绍中，DENSO表示，公司开发了 REVOSIC 技术，旨在将 SiC 功率半导体（二极管和晶体管）应用于车载应用。他们指出，碳化硅是一种与传统硅（Si）相比在高温、高频和高压环境中具有优越性能的半导体材料。因此，在关键器件中使用 SiC 以显着降低系统的功率损耗、尺寸和重量并加速电气化引起了广泛关注。

9.东部高科进军功率半导体：押注SiC和GaN

据韩媒报道，DB HiTek 将在明年第一季度开发基于下一代半导体材料的功率半导体。这是其首次进军功率半导体业务。据称，DB HiTek 正在开发基于 SiC 的 6-8 英寸功率半导体，目标是明年第一季度推出。在推出SiC功率半导体的同时，东部高科还爱同时推进GaN基功率半导体业务。DB HiTek是一家代工公司，为全球无晶圆厂客户设计的微控制器单元（MCU）、显示驱动芯片（DDI）和图像传感器（CIS）等半导体。特别是主要生产Si DDI、MCU、CIS。

【政策】

1.国家第三代半导体技术创新中心（湖南）揭牌

11月19日，国家第三代半导体技术创新中心（湖南）揭牌仪式在湖南长沙启动。同日，中心多个共建单位签约《国创湖南中心共建协议》，拟紧扣国家重大战略和区域科技需求，聚焦共性技术和重大瓶颈，突破核心技术，支撑第三代半导体产业向中高端迈进。按照计划，到2025年，国创中心（湖南）拟带动湖南第三代半导体产业年产值100亿元，到2030年，拟带动湖南第三代半导体产业年产值1,000亿元。

2.北京再出政策利好！第三代半导体成重点

近期《北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划》印发。《规划》提出，聚焦动态随机存取存储器(DRAM)关键技术需求，开展先进DRAM及新型存储器技术等研发。构建集成电路专利池，开展知识产权合作与运营。支持开展关键新材料“卡脖子”技术攻关。《规划》中表示，将搭建硅基光电子、第三代半导体器件等重点领域共性技术平台，加速技术及产品研发进程。光电子板块围绕光传感、光电芯电、大功率激光器等方向材料制备、器件研制、模块开发等方面补短板。

【市场预测】

1.2021年全球功率半导体市场规模将达441亿美元

据IHS Markit预测，2021年全球功率半导体市场规模将达441亿美元，年化增速为4.1%。其中，中国市场预计约159亿美元，占全球市场的36.1%。功率半导体在超高压输电、大数据中心、工业互联网、城际高铁以及新能源汽车和充电桩等行业被采用。