第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议

（APCSCRM 2019）通知






亚太

碳化







碳化硅等宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）近年来已成为全球高新技术领域竞争的战略制高点和国际半导体及材料领域研究和发展的热点，在国民经济、国防安全、国际竞争和社会民生等领域具有重要的战略意义。宽禁带半导体在光伏逆变器、新能源汽车和5G通讯应用的牵引下，正逐步形成巨大规模的产业。

当前宽禁带半导体国际竞争日趋激烈，为了推动亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的发展，促进政、产、学、研、用之间的交流与协同创新，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、SEMI（国际半导体产业协会）、中科院物理所和中国晶体学会联合主办第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议（2019年）（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019)）。本届会议将于2019年7月17日-20日在北京世纪金源大饭店召开，参会规模500余人。

APCSCRM 2019会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件及相关设备研发和产业标准化及EHS发展等领域开展广泛交流，促进亚太地区在宽禁带半导体领域的相互交流与合作，实现亚太地区宽禁带半导体产业的快速健康发展。深信本次会议必将对亚太地区碳化硅等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。

APCSCRM是一个亚太地区高水平的碳化硅等宽禁带半导体相关材料、器件的产业与学术并重的高水平论坛。从2018年起，每年召开一次。



01

会议主题


宽禁带半导体材料生长与外延技术；

宽禁带半导体器件测试及分析技术；

宽禁带半导体器件封装模块、系统解决方案及应用；

半导体产业标准化及EHS发展


02

会议征稿

论文均为SCI及EI检索


为鼓励宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装、器件模块应用和标准化等领域理论和技术的学习与交流，会议将开展论文交流活动，欢迎国内外高校、科研院所和企事业单位的宽禁带半导体材料、器件、应用和标准化领域的专业技术人员投稿并与会交流！

被录用的论文将择优在 “Journal of Crystal Growth” （SCI收录）、“Materials science forum ” （EI收录）等杂志全文出版发表。

01

征稿范围

凡以宽禁带半导体为论述主体（标准化及EHS可扩充到所有半导体领域），在理论或应用实践上具有创新价值的，有科学依据和可靠数据的技术报告，阶段性成果报告，以及属于前沿技术，并对宽禁带半导体学科发展有指导意义的展望评论性论文，均可投稿。部分优秀论文作者有机会在会场作口头报告！

02

稿件要求

（1）只接受英文稿件；

（2）内容具体，突出创新研究成果，具有重要的学术价值或推广应用价值；

（3）原创的、未发表的研究成果、技术综述、工作经验总结或技术进展报告；

（4）不得涉及国家秘密；

（5）论文篇幅不限（论文格式请在文末点击“阅读原文”下载获知）

03

投稿要求

（1）摘要投稿请通过APCSCRM官网在线投稿：投稿操作说明文末点击“阅读原文”获知。

（2）全文投稿请直接在杂志官网进行投稿>>

Materials Science Forum官网：

https://www.scientific.net/MSF

Journal of Crystal Growth官网：

https://www.elsevier.com/journals/journal-of-crystal-growth

全文投稿通道即将开放，敬请期待~

（3）摘要提交截止日期：2019年6月8日

（4）全文投稿截止日期：待定

（5）投稿人请随时通过投稿系统关注论文评审情况。

04

论文费用

会议投稿免费；若被期刊录用，需要缴纳2000元。

05

投稿联系人

陈鹏

Tel/+8610-61256850-637or+86-15210986316

Email：mishuchu@iawbs.com


03

会议费用

01

路过
雷人
握手
鲜花
鸡蛋
上一篇：2018年度联盟工作报告及会费收支情况下一篇：Call For Papers·APCSCRM2019