团体标准《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》正式发布

2024年2月27日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》。

对于半导体碳化硅材料，深能级缺陷指标非常重要，它很大程度上决定了材料质量和高压器件性能。目前在碳化硅半导体外延层深能级缺陷领域尚未有相关标准。本标准旨在采用瞬态电容方法，以单位体积上深能级缺陷的数目表示浓度， 单位为个每立方厘米（个/cm3）。该方法为碳化硅外延材料的深能级缺陷提供准确的和标准化的检测机制，这对于碳化硅外延材料的研发、生产和应用过程中产品质量的统一控制有重要的意义。

该标准介绍了碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法的测试原理、仪器设备、干扰因素、测量环境、样品制备、测试程度、精密度、测试报告等内容，适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。

欢迎在中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟官网，了解标准详细信息。