《宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？》成功举办！

1月31日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社主办的“宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！活动得到了中关村联盟联合会、创客总部、小饭桌、蔻享学术、零碳信息通信网络联合实验室的大力支持，同时也得到了多家媒体的大力宣传和直播分享，线上线下观看直播人数达1.8万人次，大家可以关注【宽禁带联盟】视频号观看直播回放。

本次活动邀请到北方华创FEP事业部，晶体生长设备产品经理吴周礼、河南通用智能装备有限公司总工程师/副总经理巩铁建、北京特思迪半导体设备有限公司创始人和CEO刘泳沣、上海优睿谱半导体设备有限公司总经理唐德明，分别从长晶-切割-抛光-检测多个角度发表了精彩演讲，并与大家共同探讨在8英寸时代，设备厂商分别做出了哪些新突破？

活动现场

方华创FEP事业部晶体生长设备产品经理吴周礼作报告分享

北方华创FEP事业部晶体生长设备产品经理吴周礼在《国内8英寸碳化硅衬底设备发展特点》的主题发言中重点介绍了碳化硅长晶工艺和设备技术，并结合国内碳化硅长晶炉设备的发展情况给出了我国碳化硅长晶炉设备的研发重点和研发意见。他认为国内SiC产业目前尚未实现全面的产业分工细化，部分SiC材料厂商大批量自制设备，设备维护运营成本较高；产业分工是SiC材料行业的发展趋势，专业半导体设备厂商可以帮助客户提升设备性能、降低运营成本、专注于长晶材料研发；并且可以加速先进SiC长晶设备（如大尺吋、低缺陷、厚晶体等）的研发与产业化。

河南通用智能装备有限公司总工程师巩铁建作报告分享

河南通用智能装备有限公司总工程师巩铁建在《SiC晶圆、晶锭激光加工工艺及装备》的主题发言中重点介绍了晶圆分割技术和晶锭剥离技术，晶圆分割工艺进入技术革新窗口期-传统切割方法已无法满足大尺寸晶圆制造工艺的发展需求，SiC功率芯片产品材质硬度高，脆性高、极易碎裂，避免加工应力伤害是技术关键。SiC芯片需要高效安全的低应力切割技术，并指出“第三代技术：激光内部改质分割更适合碳化硅功率半导体”。

北京特思迪半导体设备有限公司创始人和CEO刘泳沣作报告分享

北京特思迪半导体设备有限公司创始人和CEO刘泳沣在《先进抛光技术助力8英寸碳化硅量产》的主题发言中重点介绍了先进抛光技术的应用及前景，并特别指出了碳化硅衬底的发展趋势。他指出，针对6英寸SiC衬底，双抛工艺会优于研削工艺。针对8英寸SiC衬底，双抛路线依旧是可行的，但可能需要关注Bow、Warp等参数变化；8英寸SiC-激光切割减薄+双面抛光工艺流程是针对更大尺寸提出的新工艺，但最终工艺选择还需要根据整体成本来考虑。

上海优睿谱半导体设备有限公司总经理唐德明作报告分享

上海优睿谱半导体设备有限公司总经理唐德明在《第三代半导体量测检测设备的机遇和挑战》的主题发言中重点介绍了碳化硅生产流程中各种检测技术及设备，并给出了碳化硅主要量测检测设备的国产化进度。他指出，目前主要碳化硅量测检测设备可以同时匹配6、8英寸晶圆，碳化硅衬底位错/微管测量国产设备性能有大幅度提升，无损测量方法仍然在验证早期阶段；碳化硅衬底和外延出货缺陷检测设备已经面临与多家国产替代设备激烈竞争的状态。

活动最后，来自现场和线上的观众纷纷踊跃发言提问，参会嘉宾针对大家提出的普遍关注的技术和市场问题进行了现场解答。

宽禁带半导体大讲堂通过线下+线上同步直播的形式，让观众与科学家、企业家、投资家等能够面对面充分互动，点对点精准交流，打造科学界、产业界与资本圈之间的信息交流平台。未来联盟将继续为宽禁带半导体产业链的专家和企业提供更多交流和学习的机会，为宽禁带半导体事业的高质量发展助力赋能，为构建产业生态化和生态产业化硬科技圈奉献可持续源动力！