宽禁带联盟第六批团体标准送审稿评审会顺利召开

2024年1月10日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第六批团体标准送审稿评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，分别对《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》、《碳化硅外延层深能级缺陷的测试瞬态电容法》、《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》三项标准进行研讨与评审。

中国电子科技集团公司第四十六研究所首席专家/研究员林健、中科院半导体研究所研究员孙国胜、中科院半导体研究所教授级工程师钮应喜、中科院电工研究所高级工程师张瑾、中科院电工研究所研究员宁圃奇、株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家刘国友、山西烁科晶体有限公司高级工程师侯晓蕊、北京聚睿众邦科技有限公司副总裁刘紫洋、深圳方正微电子有限公司公共关系管理杨南、河北普兴电子科技股份有限公司产品工程师李洪浩、广东天域半导体股份有限公司工程师刘薇、宽禁带联盟副秘书长郑红军等宽禁带联盟标准化委员会委员及此次团体标准申报牵头单位代表等十余人参加了本次会议。本次会议由宽禁带联盟秘书长刘祎晨主持。

会议首先由刘秘书长介绍与会专家和评审流程，之后牵头单位代表分别对3项团体标准的主要内容逐条进行了详细介绍及说明。与会专家针对标准的适用范围、引用文件、标准格式和标注说明等内容与牵头单位进行了深入的讨论，并提出了很多宝贵意见。牵头单位将充分吸收本次会议提出的评审意见，同时征求同行业其他单位意见以及下游单位和实际使用需求，做出修改，尽快形成报批稿，上报至联盟秘书处，按照标准制定工作计划进度要求，有条不紊地推动标准工作，完成高质量团体标准的发布。

目前宽禁带联盟已发布了团体标准20项，在研标准10项。今后联盟将会继续做好团体标准工作，使团体标准服务于宽禁带半导体产业的技术创新需求，为推进团体标准事业做出应有的贡献。