II-VI和Sumitomo合作开发150mm GaN-on-SiC HEMT

II-VI指出，部署下一代宽带无线服务的竞争正在推动可扩展的战略供应链的发展，其中包括关键的支持技术。 该公司认为，其在150mm化合物半导体制造方面的专业知识与SEDI的GaN RF器件技术相结合，应该能够使各方为5G RF提供同类最佳的性能，更大的规模和更具竞争力成本的解决方案。

“II-VI已积极投资建立世界级的150mm化合物半导体制造平台，”SEDI的企业总监Keiichi Imamura说道， “基于快速增长的市场机会，现在采取行动将我们长期的商业关系发展为完整的战略关系非常重要。 我们将利用II-VI的制造平台实现规模经济，使我们能够满足即将到来的对 GaN-on-SiC HEMT的全球需求，“他补充道。

“这项合作建立了从基板到RF模块差异化，垂直整合的价值链解决方案。”II-VI公司总裁兼首席执行官Chuck Mattera博士说道。（他将SEDI描述为“用于无线通信的高性能氮化镓HEMT产品的市场领导者”。）Chuck Mattera博士还相信，“将SEDI业界领先的HEMT器件技术与我们的150mm制造平台相结合，将加速两家公司的宽带RF产品路线图，并在未来许多年内确保领先的技术和市场地位。” “为了做好大规模生产的准备，我们正在准备一个150mm的半绝缘基板制造平台，并扩展我们位于新泽西州Warren的器件工厂，以便将这些核心技术添加到我们不断增长的光电器件制造能力中。”

II-VI为其位于新泽西州Pinebrook和伊利诺伊州Champaign的工厂提供宽带隙材料的快速增长市场。位于新泽西州沃伦的150毫米生产设施预计将在2020年中期获得GaN-on-SiC HEMT生产资格。

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