TI推出即用型600V GaN FET功率级，该系列可支持10kW的应用条件

该公司表示，与在AC / DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管（FET）相比，其LMG341x系列可以使其应用在更小，更高效和更高性能的设计应用上。

GaN FET器件通过集成功能和保护特点，提供了传统级联和独立GaN FET的替代方案，从而简化了设计，提高了系统可靠性并优化了高压电源的性能。通过集成的<100ns电流限制和过温检测，它们可防止意外的直通事件并防止热失控，同时系统接口信号可实现自我监控功能。

LMG3410R050，LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和优点包括：

· 更小，更高效的解决方案：TI表示，与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，其集成的GaN功率级可将功率密度提高一倍，并将损耗降低80％。 每款器件均具有1MHz的快速开关频率和高达100V/ns的压摆率。

· 系统可靠性：该产品组合支持2000万小时的设备可靠性测试，包括加速和应用内硬开关测试。 此外，每个器件均提供集成的热和高速100ns过流保护，以防止直通和短路情况。

· 适用于各种功率级别的器件：产品组合中的每个器件均在50mΩ或70mΩ的GaN FET提供驱动器和保护功能，可为低于100W至10kW的应用提供单芯片解决方案。

这些器件现已在TI商店中采用8mm×8mm分割垫，四方扁平无引线（QFN）封装。 LMG3410R050，LMG3410R070和LMG3411R070的千片批购价分别为18.69美元，16.45美元和16.45美元。

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