来源：半导体行业联盟
2018年10月18日，由北京大学作为牵头单位，联合清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等14家单位共同承担的 “氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目启动会在北京举行。

（图片来源：北京大学新闻网）
该项目是“战略性先进电子材料”研发计划的一个重点专项。
“战略性先进电子材料”实施周期为5年（2016 - 2020年），按照第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料4个技术方向，共部署35个研究任务。2018年，拟启动5个研究任务10个项目。
据悉，“氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目围绕后摩尔时代信息领域对分立光电子和电子器件的需求，开展基于氮化物半导体新结构材料和新功能器件的研究，重点突破氮化物半导体的零维量子点、一维量子线和二维量子阱及其复合结构等低维量子结构的制备，深入研究低维量子结构中载流子的输运/复合/跃迁及其调控规律，研制出单光子源、紫外红外双色探测器、太赫兹发射及探测器件和自旋场效应晶体管器件，形成具有自主知识产权的核心技术，为第三代半导体材料和器件的持续发展奠定基础。
目前，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料及相关器件芯片，具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术。郝跃院士曾表示，氮化物材料体系总的发展态势非常良好，首先在光电LED领域已经取得了巨大成功；微波电子器件领域开始得到了广泛应用，尤其是在移动通信领域和国防领域（雷达、电子对抗、卫星通信等）。但由于我国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比还有差距，我国在 SiC 和 GaN 材料的制备与质量等方面亟待提升。

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