SEMI中国HB-LED标准技术委员会2018秋季会议在南昌顺利召开 - 联盟动态中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

由SEMI中国主办、中微半导体承办、万机仪器赞助支持的SEMI中国HB-LED标准技术委员会2018年度秋季会议10月24日在江西南昌香格里拉大酒店顺利举办。

来自三安光电、华灿光电、兆驰半导体、乾照光电、晶能光电、中微半导体、奥瑞德、皓天光电、协鑫、哈工大、Monocrystal、博蓝特、同鑫光电、福建晶安、德豪润达、昂坤视觉、中图、晶安、华夏幸福、丹东新东方等30余家企业及科研院所的70余位委员及专家代表参加了会议。

SEMI中国标准事务高级专员金燕汇报了SEMI全球标准工作展及相关工作报告。目前，SEMI共发布989项标准，其中由SEMI全球HB-LED技术委员会发布的标准共有10项。SEMI中国LED标委从2014年成立以来，运行近4年，共召开了10次委员会会议，发布了3项SEMI国际产业标准，另有5项标准正在制定中。

本次会议上，委员会联席主席左洪波先生、王江波博士以及SEMI中国首席分析师兼项目总监戚发鑫为今年8月和10月获批发布的2条标准的主编单位及参编单位颁发标准发布牌及证书，分别是由华灿光电牵头编制的“ SEMI HB9-0818, Test Method and Acceptance Criteria for Visual Inspection of Surface Defects of GaN Epitaxial Wafers Used for Manufacturing HB-LED ”以及由贵州皓天光电科技牵头编制的“ SEMI HB10-1018, Specification for Single Crystal Sapphire Intended for Use for Manufacturing HB-LED Wafers ”。

经委员会审阅SEMI全球Cycle4-2018的草案：Doc 6192将完善后再次申请全球投票、Doc 5775D申请Ratification Ballot投票。Doc 6371经由委员会认真审核批准进入Cycle 9-2018。

本次会议上，对于已到期的核心委员徐州同鑫光电科技股份有限公司总经理魏明德先生，经委员会的审议和投票续任成功。会议讨论决定，SEMI中国HB-LED 标准技术委员会2019年度春季会议将于4月19日在上海召开。

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