军民融合|美空军的GaN技术将转移到BAE系统公司以促进更高性能、更低成本和更广泛的国 ...

来源：大国重器

美国空军研究实验室（AFRL）与BAE系统公司签署了一项合作协议，旨在将美国空军开发的氮化镓（GaN）半导体技术转移到位于美国新罕布什尔州纳舒厄的高级微波产品（AMP）中心的技术工作。BAE系统公司将转移并进一步增强该技术，并将其扩展到6英寸晶圆，以降低每个芯片的成本，同时改善其在国防关键技术中的可用性。

由于GaN技术能在较小的封装面积内提供宽频带宽、高效率和高发射功率，因此适用于下一代雷达、电子战（EW）和通信系统。根据合作协议，BAE系统公司将与AFRL合作建立一条140nm GaN单片微波集成电路（MMIC）工艺线，该工艺线将于2020年开始生产，并通过开放式代工服务向美国国防部（DoD）供应商提供产品。

BAE系统公司AMP主管Scott Sweetland表示：“今天的毫米波GaN技术是在研发实验室以低产量和高成本生产的，或者是在国防供应商无法广泛使用的专用代工厂中生产的，我们与AFRL的合作工作将同时利用AFRL的高性能技术和BAE系统公司的6英寸制造能力，在GaN MMIC性能、可靠性和性价比方面提高先进水平，同时促进这一关键技术的更广泛使用。”

该合作项目的工作将主要在BAE系统公司70000平方英尺（约6503平方米）的微电子中心（MEC）进行，该中心研究、开发和生产用于各种微波和毫米波的化合物半导体材料、器件、电路和模块。自2008年以来，MEC一直是经过DoD认证的1A类可信供应商，并为关键的国防部计划生产集成电路。

作为该合作项目的一部分，AMP中心团队将与该公司的FAST实验室研究组织以及ENGIN-IC的MMIC设计专家紧密合作。