力特公司推出首款1700V SiC MOSFET

Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。

在产品LSIC1MO170E1000中已经将该公司早前已发布的1200V SiC MOSFET和肖特基二极管运用到其中。Littelfuse公司表示，最终用户将由此获得更紧凑，更节能的系统并且将会降低使用的总体成本。

Littelfuse还表示，采用SiC MOSFET技术的高效率的特点为许多要求苛刻的应用（电动和混合动力汽车（EV / HEV），数据中心和辅助电源）提供了多种优势。与类似额定硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）相比，LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 可实现系统级优化，包括提高效率，增加功率密度，降低冷却要求以及可能降低系统级成本。

据称，与市场上其他业界领先的SiC MOSFET器件相比，该SiC MOSFET在所有方面都具有更好的性能。LSIC1MO170E1000的典型应用包括：太阳能逆变器; 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）; 电机驱动; 高压DC / DC转换器; 和感应加热。

“该产品可以改善现有应用，Littelfuse所开发应用可支持网络，这可以在新的设计项目上有所帮助，”Littelfuse半导体业务部门Power Semiconductors全球产品营销经理Michael Ketterer说。“SiC MOSFET为传统的硅基功率晶体管器件提供了更优的替代方案。与类似额定值的IGBT相比，MOSFET器件结构可实现更低的周期开关损耗和更高的轻载效率，“他补充道。“固有的材料特性允许SiC MOSFET在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面超过其Si MOSFET对应物。”

新型1700V，1ΩSiCMOSFET具有以下优点：

1、针对高频，高效应用进行了优化;

2、极低的栅极电荷和输出电容;

3、用于高频开关的低栅极电阻。

>>>LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET采用TO-247-3L封装，管材数量为450。样品要求可通过全球授权的Littelfuse经销商提供。