碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表，具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，广泛应用于电力电子与射频等下游。根据Wolfspeed预测，2026年碳化硅相关器件市场有望达到89亿美元，衬底市场有望达到17亿美元，合计市场超百亿。在过去十年中，全球碳化硅半导体行业通过收购、垂直整合、战略合作和投资扩产高速发展。2021年，碳化硅半导体产业也保持着飞速的发展的态势，9月7日，山东天岳先进科技股份有限公司科创板IPO成功过会，成为国内第一家上市的第三代半导体企业；10月4日，碳化硅龙头企业Cree公司名称由Cree,Inc.更改为Wolfspeed,Inc.，并于10月4日起在纽约证券交易所上市；10月25日，全球首家采用全碳化硅功率模块的车企特斯拉市值首破万亿美元，从中也可以看出，目前，碳化硅半导体产业正处于爆发式增长前期，各国纷纷加速布局碳化硅半导体产业，抢占市场。

随着2021年以美国为主导的逆全球化浪潮逐渐加剧，我国产业链安全亟需摆脱关键技术和产品“卡脖子”以及5G、新能源等发展提速的双重驱动下，2021年国内碳化硅半导体产业发展迅速，成为碳化硅半导体产业化元年。

2021年碳化硅半导体行业发展情况

目前，全球SiC半导体产业格局仍呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势，其中美国占据主导地位，SiC材料约占全球产量的70-80%，主要企业有Wolfspeed，II-VI等。欧洲拥有完成的SiC产业链，在全球电力电子市场拥有强大的话语权，在SiC器件设计开发方面领先，主要企业有意法半导体，英飞凌等。日本的技术力量雄厚，在设备和模块开发方面领先，主要企业有罗姆，三菱，富士电机，住友电气等。由于中美贸易战升级，国家越来越重视芯片、高端设备等领域的国产化，而SiC材料和器件在军工国防领域的重要作用也越来越突出，国内各厂商加速布局，发展迅速。预计到2026年，亚太地区将占据SiC市场的重要份额。

2021年，随着“碳中和”政策和新能源汽车的深入，SiC产业崛起趋势愈发明显，在此背景下，Wolfspeed、II-VI、意法半导体、英飞凌等国际大厂积极布局SiC研发、推广新产品以及扩产。国内SiC厂商也在政策和市场双重刺激下，也纷纷加速布局扩产。相关数据显示，仅2021年一季度，国内便新增SiC项目12个，合计投资金额达到630亿元，超过2020年全年水平（560亿元），是2012至2019年累计投资额的5倍以上。已投资扩产及并购具体情况见表1和表2。

表 1 2021年国外企业扩产情况

表 2 2021年国内企业扩产情况

2021年国内对第三代产业政策支持情况

2021年，作为“十四五”开局之年，中央及各地方政府继续高度重视国内第三代半导体产业发展，各级政策持续跟进，纷纷出台各类利好政策，护航产业发展。其中2021年3月，第十三届全国人大四次会议审议通过的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035远景目标纲要》在“科技前沿领域攻关——集成电路”领域专栏提出要取得“碳化硅、氮化镓等半导体的发展”。同时在科技部发布的“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度项目申报指南中碳化硅涉及到多个项目，加速推动碳化硅半导体产业高质量、快速、健康发展。

同时2021年其他各省市也陆续出台“十四五”规划纲要，都提出要大力支持碳化硅等第三代半导体产业的发展，不完全统计情况见表3。

表 3 各省市“十四五”规划纲要

了解更多请下载：碳化硅半导体产业发展白皮书2021-宽禁带联盟.pdf