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GeneSiC发布6.5kV SiC MOSFET产品

芯片在牵引、脉冲电源和智能电网基础设施等应用中提供性能、效率和可靠性。

美国SiC功率半导体制造商GeneSiC Semiconductor日前宣布,6.5kV SiC MOSFET裸芯片——G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL即将上市。基于该技术的完整SiC模块也即将发布。


应用包括牵引、脉冲电源、智能电网基础设施和其他高压电源转换器。


GeneSiC的创新之处在于采用了SiC双注入MOSFET器件结构,在SiC DMOSFET单元中集成了JBS整流器。其他显著优势包括更高效的双向性能、不受温度影响的开关、低开关/传导损耗、降低的冷却要求、卓越的长期可靠性、易于并联和成本优势。


GeneSiC半导体公司技术副总裁Siddarth Sundaresan说:"GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圆上设计和制造,实现了低导通电阻、最高品质和优越的性价比。这种新一代MOSFET技术采用片上集成的JBS二极管,承诺为高压电源转换应用提供卓越的性能、出色的耐用性和长期可靠性。"


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