Transphorm第二款900VGaN FET现已投入生产

双芯片常关功率晶体管在标准 TO-247 封装中提供 ±20 V 栅极稳定性。

Transphorm公司宣布其第二款900 V GaN FET已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，额定瞬态尖峰电压为1千伏，现已通过JEDEC认证。

主要目标市场是广泛的工业和可再生能源，包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源、照明和储能等应用。此外，随着900 V产品组合的推出，Transphorm正在努力将电压范围提升到三相应用。

TP90H050WS于去年推出，是该公司继TP90H180PS之后的第二个900 V设备。两芯片常关型功率晶体管采用标准TO-247封装，具有±20 V的栅极稳定性，从而提高了其在电源系统中的可靠性和可设计性。Transphorm的高速GaN和耐热性强的TO-247封装相结合，使系统在具有无桥式图腾柱功率因数校正（PFC）的典型半桥配置中，可以达到99％以上的效率，同时产生高达10 kW的功率。

"Transphorm在其900 V平台上的工作展示了高压GaN功率晶体管的能力，"Transphorm技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示，"这种器件使我们有能力支持以前无法支持的应用。在对这些50毫欧FET进行采样时，我们收到了市场反馈的强烈兴趣。我们很自豪地说，现在它们的供货状态已经转为大批量生产，以满足客户需求。"

应用中的900 V GaN

伊利诺伊理工大学(IIT)目前正在ARPA-E电路项目中与TP90H050WS合作，该项目独特地将Transphorm的领先产品与IIT的创新固态开关拓扑相结合。该项目将为可再生能源微电网生成可靠的固态断路器（SSCB）。它包括使用900 V GaN器件开发自主操作、可编程和智能双向SSCB。

"我们的SSCB项目需要一种非传统的电源转换解决方案，不仅在速度上优于机械式断路器，而且还能帮助我们降低功率损耗，"IIT的John Shen博士解释说，"Transphorm的GaN技术超出了我们的预期。它提供了完整的解决方案。高功率密度、可靠的双向性，以及作为市场上唯一的900 V GaN器件，在小封装中实现了前所未有的功率输出。"