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当前,5G信技术、新能源汽车的推广正助推着第三代半导体产业的蓬勃发展,随着当前国家“新基建”政策的提出,更是对我国第三代半导体产业发展提供了宝贵机遇。以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料因其具有优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,能够满足当前节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,已成为全球半导体技术研究前沿和新的竞争焦点。

产业的发展需要人才的支撑,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟围绕第三代半导体产业对人才的需求,立足我国经济社会发展实际的要求,将组织开展“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班,提升技术人员的全产业链思维,使其了解产业最新动态,深入了解行业共性关键技术,为我国第三代半导体企业培养一批理论基础扎实,具备良好操作技能、具有国际视野的高级工程师骨干。培训班详细情况如下:

一、主办单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

二、培训时间:2020115-118

三、培训地点:中院物理研究所

四、课程内容:围绕第三代半导体材料、器件、检测分析、实际应用开展的系列培训课程。

五、参训人员:第三代半导体企业技术员工(研发、工艺、检测及质管等人员)高校及科研院所研究人员有志于从事第三代半导体行业的优秀青年

六、班级规模:60

七、培训费用:3800/人(培训费用包括听课费、考试费、培训证书费、培训日餐食费;差旅、住宿自理)

优惠

活动

920日前报名享受早鸟价:3200

联盟副理事长单位享受7.5折优惠(2850元),会员单位享受8折优惠(3040元)

企业满3人以上报名享7.5折优惠:2850/

注:以上优惠活动不叠加。

收款账户:

账户名称:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

开户行:北京农村商业银行股份有限公司北臧村支行

账号:0905000103000006397

八、课程讲师:

东莞天域半导体科技有限公司           孙国胜 研究员

全球能源互联网研究院                                     教授级高工

北京天科合达半导体股份有限公司   彭同华 研究员

中国科学院微电子研究所                              许恒宇 研究员

中国科学院电工研究所                                  宁圃奇 研究员

中国科学院电工研究所                                       

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟          研究员

九、授课形式:专家讲授、培训讨论相结合的形式。

十、课程安排:(总课时:40课时)

“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班课程安排

日期

时间

学习内容

授课讲师

课时

11月5日

9:00-9:15

开班仪式

/

/

9:15-12:45

碳化硅单晶生长及检测技术

彭同华研究员

5

14:00-17:45

碳化硅外延生长及检测技术

孙国胜研究员

5

11月6日

9:00-12:45

第三代半导体材料表征计量方案

闫方亮博士

5

14:00-17:45

功率半导体器件测试原理及最新测试技术

张瑾高工

5

11月7日

9:00-12:45

碳化硅器件的特性及测试——碳化硅器件特性及关键工艺研究简介

杨霏教授级高工

5

14:00-17:45

第三代半导体器件的设计、商业化及应用——碳化硅MOSFET器件关键工艺及可靠性的研究

许恒宇副研究员

5

11月8日

9:00-12:45

第三代半导体器件的设计、商业化及应用——新能源第三代半导体在新能源汽车上的应用路线及发展

宁圃奇研究员

5

13:30-17:15

第三代半导体材料的标准化

陆敏研究员

5

17:15-17:30

考核、发放结业证书、合影留念

 

十一、联系与报名:扫描下方二维码进行报名

报名表

或将附件一报名表填写完成后发送至邮箱:liuyichen@iawbs.com

对培训班有任何疑问请联系:

刘女士  010-61256859-657/702  18931699592 


附件一:“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班报名表.docx


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