美国采用新型键合技术改进氮化镓器件的散热性能

据佐治亚里工学院网站3月16日报道，在美国海军研究办公室（ONR）的资助下，佐治亚理工学院采用一种表面活化键合(由日本 Tadatomo Suga 教授和母凤文博士团队完成的)方法，成功在室温下将氮化镓（GaN）与金刚石集成在一起。研究人员首先在高真空环境中使用离子源清洁氮化镓和金刚石的表面，然后通过形成悬空键来活化表面。在离子束中加入少量硅，有助于在室温下形成牢固的原子键，使氮化镓和单晶金刚石直接结合，从而制造出高电子迁移率晶体管（HEMTs）。通过该方法，从氮化镓到单晶金刚石的界面层只有4纳米厚，散热效率比现有的金刚石衬底氮化镓HEMTs高2倍，未来有望用于无线发射机、雷达、卫星设备以及其他大功率和高频电子设备制造。