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近年来,以SiC和GaN为代表的第三代半导体广受关注,由于SiC和GaN器件具有更高的击穿电压、更高的导热率,在功率电子方面具有显著优势,特别适合于高温、高功率等应用场景。


随着5G、电动汽车、新能源等行业的兴起,为SiC和GaN带来了更广阔的应用增长空间,将大大刺激SiC和GaN器件的销售。IHS Markit 预测,2018年全球SiC的总收入约为5亿美元,到2026年将增至近50亿美元。同样,2019年全球GaN功率器件的销售额将达到约1.5亿美元,在2028年升至18亿美元。


针对SiC和GaN功率电子的快速发展,2020年3月20日上午9 -12点,《化合物半导体》将举办在线研讨会,邀请行业大咖和明星企业专家,线上探讨GaN、SiC功率半导体技术及产业的最新发展趋势、技术挑战及相应的解决方案,并通过圆桌论坛,与线上参会听众互动,现场解答听众的问题。


本次会议大会主席,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书长,《化合物半导体》技术顾问陆敏博士,将通过SiC和GaN功率电子技术与产业发展趋势,以及宽禁带半导体前景展望,为听众全面介绍国内外宽禁带半导体的整体形势。


作为业界领先的沉积设备供应商,AIXTRON爱思强的技术解决方案被全世界广泛的客户所使用,以制造先进的电子和光电子应用元件。AIXTRON SE 中国区市场与工艺部门经理方子文博士将以“用于宽禁带半导体材料大规模生产的解决方案”为题目在研讨会上演讲。方子文表示:化合物半导体凭借其优良的材料特性在各个新兴领域得到了应用。其中最引人注目的SiC和GaN材料,它们已逐步替代传统硅基材料,在功率半导体器件中崭露头角。为了成为功率半导体器件可持续发展的解决方案,这两种新材料器件必须克服性能,可靠性,以及生产成本的难题。


全球测试先锋是德科技公司再次参加 CSC化合物半导体在线研讨会,是德科技 半导体应用技术工程师,Keysight上海开放实验室主任 查海辉先生的演讲题目是“宽禁带半导体在射频和功率应用中的测试挑战”。查海辉表示:随着5G和电动汽车市场的发展,具有性能优势的宽禁带半导体已经广泛应用于射频和电力电子领域。GaN射频器件的参数测试项目繁多,测试系统复杂,面临许多挑战,需要完整的参数测试方案。GaN和SiC功率器件是大电压,大电流和高效率,既要测量高达上千V和几百A的静态IV参数,同时也需要测试电容,栅极电荷 Qg,开启、关断特性和反向恢复等参数,同样面临许多挑战。

★ 会议议程 ★


8:30-9:00


嘉宾登录  


9:00-9:10


开幕致辞


9:10-9:50


SiC和GaN功率电子技术及产业发展趋势

陆敏博士,研究员 - 《化合物半导体》 技术顾问


9:50-10:30


用于宽禁带半导体材料大规模生产的解决方案

方子文博士 - AIXTRON SE 中国区市场与工艺部门经理


10:30-11:10


宽禁带半导体在射频和功率应用中的测试挑战

查海辉 - 是德科技 半导体应用技术工程师


11:10-11:40


圆桌论坛—针对现场提问进行解答

(陆敏博士、陈洪建博士、方子文博士、查海辉老师)


11:40-12:00


幸运抽奖

想要了解——

SiC功率半导体技术及产业的最新发展趋势和技术挑战


快来报名参加

3月20日 CSC化合物半导体在线研讨会


直播地址:https://live.polyv.cn/watch/856218


阅读原文:

http://www.compoundsemiconductorchina.net/edm/2020/online0320/csc-net-agenda.html?from=timeline&isappinstalled=0


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