GaN| DARPA授予HRL实验室项目，推动毫米波GaN器件技术走向成熟

来源：大国重器

近日，HRL实验室就GaN项目进展做出了报告，该项目由其与美国国防先期研究计划局（DARPA）协同进行，目的是促进基于先进毫米波T3氮化镓(GaN)电子产品的相关研发技术和制造水平。

HRL实验室是波音公司和通用汽车旗下的研发实验室，专门负责传感器和研究材料、信息和系统科学应用电磁学、集成电路和微电子方面的研究工作。实验室的工程师表示，将GaN应用于碳化硅衬底晶圆后研制的集成电路能够满足最佳的组合效率、输出功率，而此类IC在无线电频率和毫米波半导体技术同样适用；这类GaN器件和单片微波集成电路将成为促进下一代雷达、电子战系统和通信系统发展的关键。 

应HRL实验室与DARPA二者要求，HRL传感器和电子实验室的工程师举办了研讨会，诚邀各学术机构和政府实验室的电路设计师，共同研讨HRL的T3 GaN技术流程设计组件的优劣。该研讨会的发起者、HRL公司的Dan Denninghoff博士说：“为了促进T3 GaN技术走向成熟，DARPA为我们提供了资金保障，如今我们只需要充分利用技术研发优势。同时我们非常高兴GaN技术能够引起各界伙伴的兴趣，并热情地加入进来。作为我们项目团队的一份子，设计师们将参与到基于多项目晶片的单片微波集成电路各类设计工作中。”

HRL mm-wave GaN研发项目负责人赫罗特博士说：“到目前为止，阻碍GaN电子产品进入军工市场的因素有两个，生产周期长和技术发展不成熟。该项目将缩短实际设计的产品与预想的世界最快的GaN产品之间的差距。在DARPA的支持下，我们完全有能力缩短生产周期，促成流水线生产，并满足国防性能标准。简而言之，政府需要的是一个拥有成熟和先进的GaN技术的工业供应商，而我们的微加工技术实验室有优秀的生产环境，我们将致力于成为高性能毫米波GaN器件的主要供应商之一。”

2018年11月，HRL获得DARPA的毫米波GaN成熟项目的916万美元成本加固定费用完工合同。工作将在加利福尼亚州马里布（97％）和加利福尼亚州亨廷顿海滩（3％）进行，预计完成日期为2020年4月。