400V SiC MOS即将亮相！这家巨头看到了什么机会？

众所周知，目前主流的SiC MOSFET 器件电压等级主要在650V以上，而且正在向中高压发力，例如从1200V到1700V、2000V、3300V和6500V。但是，最近，英飞凌传出将推出400V低压SiC MOSFET。

近日，据德媒elektroniknet.de报道，英飞凌计划将一款分立式 400V SiC MOSFET 推向市场，与传统 Si 和 GaN 功率半导体展开进一步竞争，以抢占更多的市场份额。

文章透露，业界对英飞凌将推出400 V SiC MOSFET表示惊讶，因为截至目前，还没有企业致力于开发类似的 SiC MOSFET。

Littelfuse Europe全球首席应用工程师 Martin Schulz 等表示，在这个电压范围内，SiC 相对于 Si 和 GaN 没有技术优势和商业优势，因为其多应用于高电压和极高电压区域。此外，这款产品还要克服通道电阻、短路控制、栅氧化等技术难题才能实现应用。

另一方面，在低于 650 V 的反向电压范围内，硅功率半导体GaN 器件相对于SiC器件来说，往往技术更加成熟和更具优势，但是，对于市场而言，关键还是要看价格。

与上述意见不同的是，赛米控丹佛斯战略主管兼高级总监 Thomas Grasshoff等人指出，400 V SiC MOSFET实际上具有其独特优势：

● SiC 器件可以在高达 200°C 的较高芯片温度下运行，这对于如今的 GaN 或Si芯片来说是几乎不可能的；

● 在导通电阻中，SiC MOSFET 的温度稳定性更高，这使得可以使用相对较小的 SiC 芯片，由于具有更好的抗短路能力，SiC 在过流保护方面也可以使用传统电路；

● 根据应用的不同，特定的栅极阈值电压或雪崩电阻也可以决定开发人员是否想要在其 400 V 器件中利用 SiC 在高温和紧凑设计方面的优势。

另外，英飞凌这款400 V SiC MOSFET可能在新能源汽车、DC/DC 应用、空调机组等领域实现应用：

● 在DC/DC转换器、音频放大器、电池管理系统和多电平转换器中，400 V SiC MOSFET可以应用在阻塞器拓扑结构内，发挥其宽带隙晶体管的优势，解决400V Si晶体管存在的应用问题；

● 在空调和热泵设备上，关于能源效率的监管要求已经大幅提升，而根据工作点的不同，使用400V SiC器件的区域预计可以减少30%至50%的损耗；

● 目前400V-800V架构下的轻型新能源汽车市场正在增长，但其DC母线电压可能在100至300V之间，400 V SiC MOSFET有望为其提供应用；

● 针对电信和数据中心的高功率电源供应，400 V SiC MOSFET在未来可能会发挥其技术或商业特征，这是因为在650V 以下的电压范围内，无论使用哪种器件结构，都不具有Ron-Area（导通电阻-面积）优势。

来源：行家说三代半

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