首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布

今天，国产氮化镓再次实现新的突破——西安电子科技大学联合广东致能科技首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，器件主要包含几个突出优势：

● 调控外延工艺，外延片不均匀性控制在4%以内；

● HEMTs器件的cp测试良率超过95%；

● 击穿电压轻松突破2000 V。

西安电子科技大学&致能科技：

全球首发8英寸GaN HEMTs

4月10日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关，首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。

据李祥东教授在会上介绍，通过调控外延工艺，其GaN外延片不均匀性控制在4%以内，所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%，击穿电压轻松突破2000V。

李祥东教授介绍8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆

据行业人士推测，该8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件具有标志性意义，目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圆线上实现了量产，然而在8英寸线上实现2000V级别的GaN器件的展示尚属首次。

8英寸晶圆将是GaN成为主流电力电子器件的必由之路，其成本将极具竞争优势：

● 一方面，由于转向8英寸晶圆，每片GaN HEMTs晶圆的芯片数将比6英寸晶圆多近2倍，GaN器件成本与6英寸方案相比也将大幅下降。

• 另一方面，采用蓝宝石衬底可以大幅提升GaN耐压，市场应用从消费类转向工业和汽车等领域，需求进一步打开，而随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的日趋成熟和大批量出货，氮化镓器件成本也有望进一步下降。

• 第三，叠加致能自主开发的超薄缓冲层和简单场板设计等优势，蓝宝石基GaN HEMTs晶圆成本还可降至更低。

来源： 行家说三代半

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。