日本新技术，可将SiC成本降低75%

源自日本东京大学的企业Gaianixx开发出了用于制造调节电压和电流的功率半导体、名为「中间膜」的材料。可以在廉价的硅基板上叠加碳化硅（SiC）等，预计功率半导体的制造成本将减少75%左右。这有可能推动纯电动汽车（EV）等的高性能化。

功率半导体被认为有助于提高纯电动汽车的续航里程，促进电子产品的小型化。与属于主流材料的硅相比，性能更优越的碳化硅、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga ₂O₃）等的洽购增加。例如，在半导体功能所需的电气特性方面，碳化硅的性能被认为是硅的约3倍。即使在高温下，电流也很少泄漏，因此不容易发生误启动。

另一方面，这些新材料的供应量很小，每平方厘米基板的价格达到硅（不到100日元）的数倍到400倍。在需求不断扩大的背景下，控制成本成为紧要课题。

如果使用中间膜，则可在廉价的硅基板上堆叠碳化硅等薄膜。这是因为中间膜会随着不同材料的原子的排列方式而改变形状，从而防止引发缺陷和性能下降的「变形」的发生。与将薄膜叠加在相同材料的基板上的传统方法相比，制造成本可降至约四分之一。

来源：半导体国产化

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