合计投资16亿，两个SiC项目传来新进展

碳化硅（SiC）是当下的热门赛道之一，投资者纷至沓来。近期，又有两个项目迎来新动态。

纬湃科技落子天津

根据“天津经开区一泰达”的报道，3月6日，天津经开区与纬湃汽车电子（天津）有限公司（以下简称：纬湃科技）正式签署投资合作协议，纬湃科技新能源智能制造与汽车电子新产品投资项目正式落户天津经开区。

source：纬湃

项目将积极引入SiC功率模块、800伏电机定子及转子、EMR3三合一电动轴驱动系统、高压逆变器、新一代变速箱控制器等新产品，以满足小鹏等新势力汽车制造企业订单需求。

据悉，纬湃科技早在2019年便已在天津经开区投资设立研发中心，而本次新能源智能制造与汽车电子新产品投资项目的正式落户，是纬湃科技研发中心业务的拓展与再升级，标志着其在天津正式启动新一轮新能源核心产品的投资。

该项目于2023年8月签约，将持续投入固定资产12亿元，预计为天津工厂新增引入不少于100名高端人才，并带来每年上亿元新增销售额。

泰科天润北京项目预计2028年达产

根据“北京日报”的报道，北京顺义区21个在建市区重点产业项目已全部复工复产，其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功率器件生产基地项目。目前，该项目正在进行打桩收尾和结构施工建设准备。

source：泰科天润

项目将建设办公研发总部基地及应用于新能源汽车、国家电网等领域6-8英寸SiC功率器件生产基地，一期投资4亿元，年产SiC SBD和MOSFET等类型晶圆2万片，预计实现产值8亿元，2028年达产。

另一方面，2024年1月份，泰科天润董事长兼CEO 陈彤表示，泰科天润湖南6英寸晶圆线已经累计完成了超３万片的流片和销售，经受住了国内外一线大厂的严格审厂。同时，北京8英寸晶圆线已开工建设，2025年可实现通线投产。

据介绍，泰科天润现已推出多款新品，包括1200V SiC MOSFET、2000V SiC二极管、IGBT混合单管，并实现批量销售。其中，1200V 40/80mΩ SiC MOSFET已经在大功率充电模块应用上，累计经受了88万个小时的电动汽车充电实战应用，包括夏季户外高温场景，累计为新能源汽车进行800多万度电的超快充电。

来源：集邦化合物半导体

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