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 12月11日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审会包含《碳化硅单晶》等四项团体标准送审稿审定及《碳化硅混合模块产品检测方法》等四项团体标准草案讨论两部分内容。

会议由宽禁带联盟秘书长陆敏博士主持,中国科学院半导体研究所刘忠立教授、北京天科合达半导体股份有限公司常务副总彭同华博士、北京三平泰克科技有限责任公司常务副总郑红军、中国科学院电工研究所研究员宁圃奇博士、东莞天域半导体科技有限公司研发部经理张新河博士、中国科学院电工研究所实验室技术负责人张瑾、中国科学院微电子研究所副研究员许恒宇博士、北方微电子基地设备工艺研究中心有限公司WBG事业部副总经理鲍慧强博士、北京华进创威电子有限公司课题组长何丽娟、北京天科合达半导体股份有限公司研发中心主任刘春俊博士、全球能源互联网研究院高级开发工程师钮应喜、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司质量部副经理陈志霞等宽禁带联盟标准化委员会委员及团体标准参与单位代表参加了本次会议。

参会人员合影


评审会现场


       宽禁带联盟标准化委员会2017年下半年共收到来自北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、中国科学院电工研究所、全球能源互联网研究院四个牵头单位团体标准送审稿审定申请。12月11日上午,各申请单位代表对送审稿的主要内容进行了详细介绍,与会专家进行了逐条讨论,从引用文件、术语定义、技术要求和试验方法等给予了各单位中肯的建议,最后与会专家一致同意以下4项团体标准送审稿通过审定:
(1)《碳化硅单晶》(牵头起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司);
(2)《碳化硅外延片表面缺陷测试方法》(牵头起草单位:全球能源互联网研究院);
(3)《碳化硅外延层载流子浓度测定-汞探针电容-电压法》(
牵头起草单位:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司);
(4)《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》(
牵头起草单位:中国科学院电工研究所)。
与会代表建议起草单位吸收本次会议专家的修改意见后尽快形成报批稿,上报宽禁带联盟标准化委员会秘书处审批,作为联盟团体标准颁布实施。
 

          参会代表发言


    截至2017年12月11日,2017年立项的4项团体标准起草单位都已在规定时间内向宽禁带联盟标准化委员会提交了标准草案。12月11日下午,宽禁带联盟标准化委员会组织专家讨论了此4项团体标准草案:《碳化硅混合模块产品检测方法》、《碳化硅单晶抛光片位错密度测试方法》、《6英寸碳化硅单晶抛光片》、《4H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法》。与会专家对4项标准草案的内容进行了逐条讨论,从标准的适用范围、术语定义到标准的结构、内容、格式等提出了许多科学合理、严谨专业的建议,各标准起草单位代表认真听取并采纳了专家的建议。针对本次讨论会的建议,各起草单位表示将进一步修改和完善标准内容,尽快形成征求意见稿,按照标准制定工作计划进度要求,有条不紊地推动标准工作,以制订出高质量的碳化硅产业团体标准,响应国家标准化改革方案,为推进团体标准事业做出应有的贡献。

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