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下级分类:  公告通知|联盟动态
功率半导体总览
功率半导体总览
报告来源:基业常基功率半导体是电力控制的核心,驱动现代社会的电气化运作功率半导体,即依托电力电子技术、以功率处理为核心的半导体产业;与功率半导体这个概念相对应的,则是更为大众所熟知的依托微电子技术、保 ...
分类:    2018-11-30 09:35
5G、快充爆发:氮化镓商用进入快车道
5G、快充爆发:氮化镓商用进入快车道
来源:充电头网氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是一种氮(V)和镓(III)的III-V族化合物,直接带隙(Direct Bandgap)(直接跃迁型)的半导体材料,具有带隙宽(室温下,Eg=3.39eV)、原子键强、导热 ...
分类:    2018-11-30 09:32
集成电路制造技术简史
集成电路制造技术简史
来源:EETOP集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始,那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了,而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。半导 ...
分类:    2018-11-29 09:34
SEMI:功率暨化合物半导体将迎来高速成长
SEMI:功率暨化合物半导体将迎来高速成长
来源:工商时报根据SEMI(国际半导体产业协会)最新报告,预测2017~2022年之间全球将兴建16座功率及化合物半导体晶圆厂,每月投片量将冲上120万片8吋约当晶圆规模。法人表示,金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双 ...
分类:    2018-11-29 09:30
中国移动5G频谱发生变化!
中国移动5G频谱发生变化!
来源:5G重要信息总之,移动2600波段的5G初期,是80M的?后期移动依次移频,做2600 MHz频段100M的?电信的好处是,保住了自己20M的频谱(2635-2655 MHz)?电信3-5万个TDD基站不用拆除了?在此基础上,他认为,移动 ...
分类:    2018-11-28 09:26
漫谈半导体材料及异质结器件
漫谈半导体材料及异质结器件
来源:中国物理学会期刊网作者:王海龙 潘东 赵建华 (中国科学院半导体研究所,中国科学院大学 材料科学与光电技术学院)摘要 半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色,相关产品几乎渗透了人类生活的各个角 ...
分类:    2018-11-28 09:23
Cold Split技术让英飞凌以1.24亿欧元收购Siltectra GmbH公司
Cold Split技术让英飞凌以1.24亿欧元收购Siltectra GmbH公司
POWER COMPONENTS 2018年11月12日发布英飞凌以1.24亿欧元收购了位于德累斯顿的SiC初创公司——SiltectraGmbH。 Siltectra之前已开发了一种创新技术(cold split),可有效处理晶体材料,同时将材料损失降至最低。 ...
分类:    2018-11-23 09:09
301调查更新!清华大学、中国电信、晋华集成、南航都被点名!
301调查更新!清华大学、中国电信、晋华集成、南航都被点名!
刚刚消息!今日(21日),美国更新了“301条款”调查报告,指责中国,并未改变处于中美贸易冲突核心的“不公平”做法,另增加严厉指责中国企业侵犯美国企业的指控。其中,清华大学、中国电信、晋华集成、南航都被点 ...
分类:    2018-11-22 09:10
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 第三批团体标准立项评审会顺利召开
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 第三批团体标准立项评审会顺利召开
2018年11月19日上午,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)第三批团体标准立项评审会于中国科学院物理研究所D楼211会议室顺利召开。此次评审会旨在对《碳化硅单晶抛光片表面质量自动检测方 ...
分类:    2018-11-21 14:12
化合物半导体技术概述及最新应用
来源:中国信通院一、化合物半导体应用前景广阔,市场规模持续扩大  化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作为第二代和第三代半导体的主要代表,因其在高功率 ...
分类:    2018-11-20 17:15
功率半导体Ga2O3开始挑战GaN和SiC
功率半导体Ga2O3开始挑战GaN和SiC
来源:半导体行业观察半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。根据布法罗大学(UB)工程与应用科学学院电气工程副教授Uttam Singisetti博士的说法,这种材料可以在改善电动汽车、太阳能和其他 ...
分类:    2018-11-20 17:14
关于召开第三批团体标准立项评审会的通知
关于召开第三批团体标准立项评审会的通知尊敬的标委会委员/各参与单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(简称“宽禁带联盟”)将于2018年11月19日在中国科学院物理研究所M楼召开《碳化硅单晶抛光片表面质量自动 ...
分类:    2018-11-13 15:55
进击的第三代半导体——碳化硅器件
进击的第三代半导体——碳化硅器件
来源:碳化硅产业链随着国家对第三代半导体材料的重视,近年来,我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化镓为主的材料备受关注。该领域取得的进展,显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展,这 ...
分类:    2018-11-13 09:07
【联盟动态】2018年宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班成功举办
【联盟动态】2018年宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班成功举办
2018年11月10日,宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班于中国科学院物理研究所D楼210会议室成功召开。三位在宽禁带半导体领域有着杰出成就的国内专家:孙国胜研究员、张峰博士、许恒宇博士就碳化硅等宽禁带半导 ...
分类:    2018-11-13 09:05
硅基氮化镓技术助力5G发展
硅基氮化镓技术助力5G发展
来源:材料深一度随着5G技术的发展,如何提高射频器件各个方面的性能成为了问题的关键,而硅基氮化镓技术的迅速商业化为解决这一关键问题提供了思路。本期,一度姐根据深圳2018国际第三代半导体论坛(IFWS)射频分会 ...
分类:    2018-11-12 09:24

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