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第三代半导体器件制备及评价技术取得突破
来源:内容来自科技部以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和 ...
分类:    2018-9-6 09:04
碳化硅|美国能源部支持公司研究快速充电变压器,旨在通过不到10分钟的充电时间为电动 ...
碳化硅|美国能源部支持公司研究快速充电变压器,旨在通过不到10分钟的充电时间为电动 ...
来源:大国重器美国能源部(DOE)资助Delta公司研发用于极速EV充电器(XFC)的固态变压器(SST),该项目为期三年,总经费700万美元,其中DOE提供50%的资金。这种极速EV充电器容量高达400 kW,可以在不到10分钟的充 ...
分类:    2018-9-6 08:57
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓(GaN)中利用光电化学(PEC)蚀刻深层高纵横比沟槽的进展。该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。具 ...
分类:    2018-9-5 09:07
剖析美国半导体产业高速发展的三大因素
剖析美国半导体产业高速发展的三大因素
来源:内容来自21世纪经济报道市场调研机构Strategy Analytics最新完成的一份调查报告显示,2017年,在全球基带芯片和智能手机应用处理器市场,美国半导体厂商高通分别占据了53%和42%的占有率,继续稳固着该领域的霸 ...
分类:    2018-9-4 09:35
氧化镓|美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管,提高器件功率并保持小体积、低 ...
氧化镓|美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管,提高器件功率并保持小体积、低 ...
来源:大国重器美国纽约州立大学布法罗分校研制出击穿电压达到1850V的氧化镓晶体管,有望在改善电动汽车,太阳能和其他形式可再生能源方面发挥关键作用,如可使电动汽车提高能量输出的同时,保持车身的轻量化和流线 ...
分类:    2018-9-3 10:37
我国首款商用100G硅光芯片投产
我国首款商用100G硅光芯片投产
来源:微电子制造记者从中国信息通信科技集团获悉:日前,我国自主研发的首款商用“100G硅光收发芯片”正式投产使用。该系列产品支持100—200Gb/s高速光信号传输,具备超小型、高性能、低成本、通用化等优点,可广泛 ...
分类:    2018-9-3 10:31
功率半导体国产替代,势在必行
功率半导体国产替代,势在必行
来源:内容节选自中信证券,谢谢。功率半导体器件(Power Semiconductor Device) 又称为电力电子器件,是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。 主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等,同 ...
分类:    2018-8-30 09:04
雷达采用氮化镓材料和华睿DSP 中国雷达性能提升5倍
雷达采用氮化镓材料和华睿DSP 中国雷达性能提升5倍
头条号:铁流所谓相控阵雷达技术,简单讲就是在一个阵面上放置了大量的辐射器(小天线)组成的阵列,辐射器数量成百上千,每个辐射器的后面都接有一个可控移相器,移相器由电子计算机控制。典型的相控阵是利用电子计 ...
分类:    2018-8-29 09:14
关于征集中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准项目立项建议的通知
关于征集中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准项目立项建议的通知
宽禁带联盟是国标委认定的团体标准试点单位,是第三代半导体功率器件行业唯一一家国标委团体标准试点单位,现已发布实施了首批4项团体标准—(1)《碳化硅单晶》(牵头起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司); ...
分类:    2018-8-28 15:32
汽车产业成SiC市场主要推手
来源:新电子根据市调机构Yole Developpement调查指出,全球碳化硅(SiC)功率半导体市场将从2017年的3.02亿美元,快速成长至2023年的13.99亿美元,2017~2023年的市场规模年复合成长率(CAGR)为29%;而随着汽车制造商未 ...
分类:    2018-8-28 08:54
不止硅片,关于半导体晶圆的最全介绍
不止硅片,关于半导体晶圆的最全介绍
来源:半导体行业观察中信证券徐涛、胡叶倩雯与晏磊晶圆(wafer) 是制造半导体器件的基础性原材料。 极高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆,晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构,再经 ...
分类:    2018-8-28 08:51
重大突破:我国研制出世界上最大口径单体碳化硅反射镜!
重大突破:我国研制出世界上最大口径单体碳化硅反射镜!
历时15年探索攻关、9年立项研制,中国科学家打破国外技术封锁和产品垄断,研制成功世界上迄今公开报道的最大口径单体碳化硅(SiC)反射镜——直径4.03米口径高精度碳化硅非球面反射镜,并且核心制造设备以及制造工艺都 ...
分类:    2018-8-27 10:36
迫于美国政府压力,光刻机巨头荷兰ASML被曝不再招收中国员工
在光刻机领域,荷兰ASML公司几乎垄断了全球高端光刻机市场,在EUV光刻机中更是独一份,7nm及以后的工艺都要依赖EUV光刻机。在高科技领域,美国这一年来加强了对中国人的防范,不只限于美国本土,就连欧洲公司也受到 ...
分类:    2018-8-24 08:53
欧美集成电路发展动态
- 欧美国家集成电路发展概况 -(一)美国集成电路发展概况美国是半导体技术的发源地。半导体产业建立之初主要为了应对二次世界大战,当时美国开始对电子和材料进行研发投入,这成为半导体技术出现和发展的关键力量。 ...
分类:    2018-8-24 08:52
氮化镓|以色列VisIC公司宣布推出9 KW GaN半桥板,可用于混合动力和电动汽车
位于以色列的GaN功率半导体公司VisIC Technologies宣布推出一款新的水冷半桥评估板,以展示使用其GaN全开关(高级低损耗开关)可实现的性能。V22N65A-HBEVB评估平台可以在任何半桥拓扑中运行,并且仅使用单个V22N65A ...
分类:    2018-8-23 11:00

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