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化合物半导体技术概述及最新应用
来源:中国信通院一、化合物半导体应用前景广阔,市场规模持续扩大  化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作为第二代和第三代半导体的主要代表,因其在高功率 ...
分类:    2018-11-20 17:15
功率半导体Ga2O3开始挑战GaN和SiC
功率半导体Ga2O3开始挑战GaN和SiC
来源:半导体行业观察半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。根据布法罗大学(UB)工程与应用科学学院电气工程副教授Uttam Singisetti博士的说法,这种材料可以在改善电动汽车、太阳能和其他 ...
分类:    2018-11-20 17:14
关于召开第三批团体标准立项评审会的通知
关于召开第三批团体标准立项评审会的通知尊敬的标委会委员/各参与单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(简称“宽禁带联盟”)将于2018年11月19日在中国科学院物理研究所M楼召开《碳化硅单晶抛光片表面质量自动 ...
分类:    2018-11-13 15:55
进击的第三代半导体——碳化硅器件
进击的第三代半导体——碳化硅器件
来源:碳化硅产业链随着国家对第三代半导体材料的重视,近年来,我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化镓为主的材料备受关注。该领域取得的进展,显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展,这 ...
分类:    2018-11-13 09:07
【联盟动态】2018年宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班成功举办
【联盟动态】2018年宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班成功举办
2018年11月10日,宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班于中国科学院物理研究所D楼210会议室成功召开。三位在宽禁带半导体领域有着杰出成就的国内专家:孙国胜研究员、张峰博士、许恒宇博士就碳化硅等宽禁带半导 ...
分类:    2018-11-13 09:05
硅基氮化镓技术助力5G发展
硅基氮化镓技术助力5G发展
来源:材料深一度随着5G技术的发展,如何提高射频器件各个方面的性能成为了问题的关键,而硅基氮化镓技术的迅速商业化为解决这一关键问题提供了思路。本期,一度姐根据深圳2018国际第三代半导体论坛(IFWS)射频分会 ...
分类:    2018-11-12 09:24
GaN|爱尔兰Fact MR公司预测:氮化镓射频器件市场将在2026年前将以18.4%复合年增长率增 ...
来源:大国重器根据爱尔兰Fact.MR公司发布研究报告预测,2017~2026年,氮化镓(GaN)射频器件市场将以18.4%的复合年增长率增长,市场规模将在2026年底超过15亿美元。提出更大需求报告指出,随着无线通信产业的蓬勃 ...
分类:    2018-11-12 09:22
2018年何梁何利奖颁奖,56名科学家获奖!
2018年何梁何利奖颁奖,56名科学家获奖!
来源:科学中国人11月6日,备受关注的2018年度何梁何利基金颁奖大会在北京钓鱼台国宾馆举行。全国人大常委会副委员长曹建明出席大会。全国政协副主席、中国科协主席万钢,科技部党组书记、部长王志刚出席并讲话。何 ...
分类:    2018-11-8 09:16
Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购
位于美国伊利诺伊州芝加哥市的Littelfuse公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith Semiconductor Inc的收购,该公司主要是对碳化硅(SiC)功率器件技术进行开发研究。Littelfuse于2015年便开始与Mon ...
分类:    2018-11-8 09:12
我国首款自主研发RapidIO二代交换芯片正式发布
我国首款自主研发RapidIO二代交换芯片正式发布
来源:半导体行业观察11月4日,天津市滨海新区信息技术创新中心对外发布了我国首款自主研发的RapidIO二代交换芯片——NRS1800。该芯片在数据计算、数据采集、数据存储、对外通信领域具有领先优势,可广泛应用于图像 ...
分类:    2018-11-7 08:52
GaN|美国洛马公司氮化镓基长距离识别雷达获技术发展里程碑,为2020年交付导弹防御局做 ...
GaN|美国洛马公司氮化镓基长距离识别雷达获技术发展里程碑,为2020年交付导弹防御局做 ...
来源:大国重器美国洛克希德·马丁(洛马)公司报告说,其长距离识别雷达(LRDR)已经完成了一个带有战术硬件和软件的闭环卫星跟踪;该测试标志实现了一个重要里程碑,LRDR项目将继续发展以满足技术目标,并努力实现 ...
分类:    2018-11-7 08:48
中科院半导体所张韵研究员:III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器
中科院半导体所张韵研究员:III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器
第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。谁掌握着技术的高地,谁就拥有更多的话语权。中科院半导体研究 ...
分类:    2018-11-6 09:35
全球首款GaN技术的PD充电器 | 黑科技来袭
全球首款GaN技术的PD充电器 | 黑科技来袭
来源:Anker纽约时间2018年10月25日,安克创新在纽约召开了首场新品发布会,搭载GaN(氮化镓)黑科技的,AnkerPowerPort AtomPD 1全球首次亮相!GaN(氮化镓)是什么?GaN(氮化镓)是研制微电子器件、光电子器件的 ...
分类:    2018-11-6 09:34
【媒体中环】| 注册资本5亿元 中环股份拟与格力等成立功率半导体合资公司
【媒体中环】| 注册资本5亿元 中环股份拟与格力等成立功率半导体合资公司
来源:SEMIChina中环股份10月30日晚公告称,公司拟与格力电器、长安汽车、南网科研院、中车时代电气、湘投控股、时代电动、时代新材共同合资成立湖南功率半导体创新中心有限公司(简称“合资公司”)。公告显示,合资 ...
分类:    2018-11-5 09:32
二极管|德国ifw Optronics公司开发出具有扩展波长响应的SiC光电二极管
二极管|德国ifw Optronics公司开发出具有扩展波长响应的SiC光电二极管
来源:大国重器几十年以来,德国ifw Optronics公司的紫外(UV)光电二极管系列一直是“黑马”探测器,这部分地归因于活性材料碳化硅(SiC)的高弹性特性,其宽带隙提供低泄漏电流、优异的辐射硬度和温度不敏感性。由 ...
分类:    2018-11-5 09:31

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