新闻通知
- 典型GaN射频器件的工艺流程
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来源：材料深一度导读GaN射频器件在基站、国防等领域获得广泛应用，那么GaN射频器件是如何制作的呢？本期，1°姐将和大家一起来一探究竟。典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触 ...
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分类: 2018-10-25 09:10
- 国际会议期刊投稿倒计时21天，还不赶快行动？！
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APCSCRM2018会议杂志全文投稿报名就在2018年7月11日，首届“亚太碳化硅及相关材料(GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 金刚石等)国际会议（APCSCRM 2018）”在北京圆满闭幕。在为期三天的会议中，共有来自十余个国家和地区的 ...
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分类: 2018-10-24 10:02
- 郝跃院士：宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展
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来源：半导体行业资讯日前，在纪念集成电路发明60周年学术会议上，中科院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士做了题为《宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展》的报告。郝跃院士 ...
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分类: 2018-10-23 10:31
- 什么芯片，让李克强摘下眼镜端详了这么久？
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来源：中国政府网“这可能是目前世界上最先进的芯片之一了。”听到比利时微电子研究中心（IMEC）负责人的介绍，李克强接过递到他手中的一片黑胶唱片大小的晶圆，摘下眼镜，近距离端详了许久，问了四五个问题。当地时 ...
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分类: 2018-10-22 09:03
- Empower RF推出600-6000MHz 150W GaN系统放大器
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Empower RF Systems公司近期推出了一款单波段固态氮化镓（GaN）系统放大器。该款放大器能够整个0.6-6GHz频段内提供至少150W的功率。Model 2223型配有内部DDC，外部前向和反向采样端口，以及带有专用功能的Web服务GUI ...
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分类: 2018-10-15 08:36
- 【联盟动态】宽禁带联盟组织会员单位参观2018年全国双创周北京会场主题展
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2018年10月9日，以“高水平双创，高质量发展”为主题的2018年全国大众创业万众创新活动周北京会场主题展在中关村国家自主创新示范区展示中心正式拉开帷幕。本次主题展重在展示北京在推动大众创业万众创新升级、建设 ...
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分类: 2018-10-15 08:35
- 碳化硅在新兴能源领域应用及现状
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来源：粉体圈随着电动汽车、智能电网、核电、太阳能、风能等能源领域以及航海、航空、航天、高速轨道交通等技术的不断发展，对功率器件的性能提出了更高的要求。目前，基于硅基材料制作的功率器件已经随其结构设计和 ...
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分类: 2018-10-12 08:55
- 开关|美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关，针对电子战和宽带通信系统等应用进行了 ...
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来源：大国重器近日，美国Macom公司发布新的MASW-011102 SPDT非反射开关，扩展了其RF开关技术组合。基于Macom的GaAs基单刀双掷（SPDT MASW）系列开关的既定性能标志，新型MASW-011102针对跨越测试和测量、电子战和宽 ...
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分类: 2018-10-10 08:37
- 碳化硅晶圆产能有限，供不应求将成常态？
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相较于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的元件性能优势十分的显著，尤其是在高压与高频的性能上，然而，这些优势却始终未能转换成市场规模，主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。由于碳化硅需要在2000 ...
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分类: 2018-10-10 08:36
- 如何实现SiC MOSFET的快速短路检测与保护
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来源：英飞凌工业半导体摘要：SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路过程 ...
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分类: 2018-10-9 08:58
- 化合物|美国StratEdge公司将展示高频高速高效GaN和GaAs封装
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来源：大国重器美国StratEdge公司将在2018年10月举办的三个行业研讨会上展示其高频、高速、高效的氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）封装。公司简介美国StratEdge公司是微波、毫米波和高速数字器件的高性能半导体封装制 ...
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分类: 2018-10-9 08:55
- 意法半导体为什么看好硅基氮化镓技术？
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来源：内容综合自CTIMES等媒体，谢谢。日前，意法半导体和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研发硅基氮化镓（GaN）功率切换元件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混 ...
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分类: 2018-10-8 08:51
- 用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料
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瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上生长出更薄的IIIA族氮化物结构，以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管（T-HEMT）和其他器件。从图1可以看出，新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝（AlN）成核层，而不是大约1 ...
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分类: 2018-10-8 08:50
- 光电|美国莱斯大学研究人员研究二维材料以获得最大光学响应，有利于更好的设计光电器 ...
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来源：大国重器来自美国莱斯大学的研究人员使用定性分析建模和第一性原理计算以确定55种不同2D材料中最大光学响应的理论极限。该研究提出了几种可用于光电应用的超薄反射器和吸收器的二维材料。图为测试的55种材料中 ...
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分类: 2018-9-30 09:59
- 合适的SiC MOSFET驱动芯片有多重要？
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文章来源：英飞凌工业半导体文章作者：张明丹，郑姿清近年来，基于宽禁带材料的器件技术的不断发展，碳化硅器件的实际工程应用，受到了越来越广泛的关注。相较传统的硅基器件，碳化硅MOSFET具有较小的导通电阻以及很 ...
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分类: 2018-9-30 09:57
