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下级分类:  公告通知|联盟动态
氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏
氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏
。美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm-2。该器件采 ...
分类:    2018-12-12 09:44
宽禁带半导体器件的春天要来了吗?
宽禁带半导体器件的春天要来了吗?
来源:电子工程专辑从智能手机和互联网,到家电、工厂和汽车,电力电子产品已经成为了我们生活的一部分。随着云计算、工业4.0,以及电动汽车和自动驾驶等领域的发展,电力电子产品的设计和开发的革命正在全面展开, ...
分类:    2018-12-11 10:18
氮化镓垂直沟道结场效应晶体管
氮化镓垂直沟道结场效应晶体管
。德国亚琛工业大学在氮化镓(GaN)外延结构中首次实现了垂直沟道结型场效应晶体管(vc-JFET)。垂直器件对于高功率密度应用是很有应用价值的,因为通过该结构将峰值电场从表面推入散装材料,从而避免了对表面钝化或 ...
分类:    2018-12-11 10:16
关于氮化镓器件的未来,英飞凌是这样看的
关于氮化镓器件的未来,英飞凌是这样看的
来源:半导体行业观察经过了多年的探索和研究之后,氮化镓(GaN)等宽禁带材料终于进入了大爆发前的最后冲刺阶段。面对这个十亿美元级别的市场,国内外厂商正在摩拳擦掌,纷纷推出新品,以求在这个市场与竞争对手一 ...
分类:    2018-12-10 09:36
安森美半导体发布碳化硅 (SiC) 二极管用于要求严苛的汽车应用
安森美半导体发布碳化硅 (SiC) 二极管用于要求严苛的汽车应用
来源:电力电子网推动高能效创新的安森美半导体发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合 AEC-Q101车规的汽车级 SiC 二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固 ...
分类:    2018-12-10 09:32
2018年全球半导体产业回顾以及对2019年的展望
2018年全球半导体产业回顾以及对2019年的展望
来源:北京国际工程咨询在2017年年末的时候尝试性的写了关于2018年半导体产业发展的主要观点,包括:目前看来,这十条预测中,大部分都有发生,但2018年全年半导体行业最大的“变数”则是中美贸易摩擦以及美国加大对 ...
分类:    2018-12-7 09:07
硅基氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测
硅基氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测
。华南师范大学和北京大学在(100)硅上开发了基于氮化镓(GaN)微丝阵列的紫外(UV)金属 - 半导体 - 金属(MSM)探测器。(本文在ACS Photonics于2018年11月1日在线发表)在此项研究中,研究人员称此款探测器具有 ...
分类:    2018-12-7 09:05
GaN| DARPA授予HRL实验室项目,推动毫米波GaN器件技术走向成熟
GaN| DARPA授予HRL实验室项目,推动毫米波GaN器件技术走向成熟
来源:大国重器近日,HRL实验室就GaN项目进展做出了报告,该项目由其与美国国防先期研究计划局(DARPA)协同进行,目的是促进基于先进毫米波T3氮化镓(GaN)电子产品的相关研发技术和制造水平。HRL实验室HRL实验室是波 ...
分类:    2018-12-6 09:10
三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制
三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制
在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议(IEDM 2018)(12月1日至5日)上,三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。这个新机制是通过确认栅极氧化物和SiC之间的界面下的 ...
分类:    2018-12-6 09:09
GaN|美国SSDI公司推出GaN FET,适用于航空航天和国防机器人及自动化领域电力电子系统
GaN|美国SSDI公司推出GaN FET,适用于航空航天和国防机器人及自动化领域电力电子系统
来源:大国重器美国固态设备公司(SSDI)推出用于航空航天和国防用高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。SGF46E70系列是46A、700V,可 ...
分类:    2018-12-5 09:16
英飞凌推出可量产的氮化镓解决方案
英飞凌推出可量产的氮化镓解决方案
来源:OFweek 电子工程网随着市场对高功率高电压材料的需求增长,全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力 ...
分类:    2018-12-5 09:15
上周刷屏的国产光刻机报道背后的真相
上周刷屏的国产光刻机报道背后的真相
来源:半导体行业观察上周五,又一篇文章刷爆了半导体人的朋友圈。据军报记者成都报道,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收,这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。 ...
分类:    2018-12-4 11:25
【会员动态】半导体检测技术论坛(12月7日)走进中科院半导体研究所
【会员动态】半导体检测技术论坛(12月7日)走进中科院半导体研究所
来源:米格实验室为进一步交流半导体检测最新技术进展、促成与科研机构跨学科、跨行业的合作,米格实验室平台联合各大科研机构及知名企业将于2018年12月7日推出“米格实验室—半导体检测技术论坛”,第一期主题为: ...
分类:    2018-12-4 11:20
我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备
我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备
来源:解放军报社装备发展部分社我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备可加工22纳米芯片▲超分辨光刻装备核心部件纳米定位干涉仪以及精密间隙测量系统。军报记者成都11月29日电(吕珍慧、记者邹维荣) ...
分类:    2018-12-3 09:11
RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件
RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件
来源:充电头网近日,RAVPower发布了一款USB PD充电器新品,这款充电器内置了时下关注度很高的GaN氮化镓功率器件,这在业内被称为第三代半导体。而导入到充电器中,将会给体积带来显著变化,帮助到快充实现轻薄化、 ...
分类:    2018-12-3 09:05

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