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分析师:国内第三代半导体发展不容小觑
来源:富拉凯投资银行首席经济学家张明杰第一代半导体材料就是我们最为熟悉的矽或锗,又称元素半导体材料。第二代半导体材料以砷化镓(GaAS)等化合物材料为代表,可发光但有一定之波长限制,拜LED、行动通信及光通 ...
分类:    2019-2-15 08:51
SiC功率器件的市场机会与挑战
SiC功率器件的市场机会与挑战
来源:IC咖啡汽车日渐走向智能化、联网化与电动化的趋势,加上5G商用在即,这些将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产 ...
分类:    2019-2-14 09:36
利用零温度系数导通电压对导线键合IGBT功率模块在线状况监测
利用零温度系数导通电压对导线键合IGBT功率模块在线状况监测
来源:三菱电机半导体利用零温度系数导通电压对导线键合IGBT功率模块在线状况监测Nicolas. Degrenne, Mitsubishi ElectricRD Centre Europe, France,n.degrenne@fr.merce.mee.comStefan. Mollov, Mitsubishi Electri ...
分类:    2019-2-13 09:10
硅上的石墨烯-AlGaN纳米锥阵列
硅上的石墨烯-AlGaN纳米锥阵列
挪威和德国的研究人员在硅上使用石墨烯掩模生长出了氮化铝镓(AlGaN)纳米锥阵列。挪威CrayoNano AS公司、德国马克斯-普朗克学会光学所、德国亥姆霍兹柏林能源与材料中心、挪威科技大学(NTNU)和挪威科技工业研究院(S ...
分类:    2019-2-13 08:59
陈彤:碳化硅产业已经成熟,中国企业进入的窗口期正在关闭
陈彤:碳化硅产业已经成熟,中国企业进入的窗口期正在关闭
来源:泰科天润半导体科技2019年中国IC产业发展利弊交织2018年国际政治经济形势风云变幻,发生了很多大家始料未及的突发事件。同时各国经济形势动荡加剧,短期发展不容乐观,很有可能进一步跌入急剧波动、甚至全面紧 ...
分类:    2019-2-12 08:53
SiC热!意法半导体收购Norstel 55%股权
SiC热!意法半导体收购Norstel 55%股权
来源:全球半导体观察SiC功率器件大势所趋,国际巨头竞相布局,如今意法半导体拟通过并购整合进一步扩大SiC产业规模。日前,意法半导体宣布,公司已签署协议,收购瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(“Norstel ...
分类:    2019-2-12 08:53
继碳化硅之后,意法半导体践行功率氮化镓产业
据麦姆斯咨询报道,在许多电力系统中,氮化镓(GaN)是替代硅材料的合适候选者。正如Yole在《功率GaN:外延、器件、应用及技术趋势-2018版》报告中所阐述,GaN与传统的硅基MOSFET相比具有惊人的技术优势。尽管与32.8 ...
分类:    2019-2-3 10:03
MOSFET-走向宽禁带器件之路
MOSFET-走向宽禁带器件之路
来源:电力电子技术杂谈半导体器件需要解决的核心问题在于降低损耗,实现更高效率的电气转换。传统的Si器件在走过了半个多世纪的时间之后似乎已经山穷水尽,但人们在探索更高效率更高功率密度的路上并未停止脚步,人 ...
分类:    2019-2-3 09:53
氮化镓USB PD充电器大起底,市售GaN充电器盘点
氮化镓USB PD充电器大起底,市售GaN充电器盘点
来源:充电头网“GaN”中文名“氮化镓”,是一种新型半导体材料,它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一 ...
分类:    2019-2-1 08:57
Akash授权FCC批准开发GaN-on-diamond功率放大器用于卫星发射
Akash授权FCC批准开发GaN-on-diamond功率放大器用于卫星发射
美国Akash Systems公司专注于开发和供应小型卫星(CubeSat)以及RF功率放大器。目前已获得美国联邦通信委员会(FCC)颁发的实验特别临时管理局(STA)许可证,准许其开发金刚石基氮化镓发射器技术,它将集成到Ka波段 ...
分类:    2019-2-1 08:52
射频通信半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术讲解
射频通信半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术讲解
来源:一牛网在线多年以来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。与LDMOS相比 ...
分类:    2019-1-31 10:00
金刚石热控制提高InAlGaN晶体管输出功率
金刚石热控制提高InAlGaN晶体管输出功率
日本富士通研究所近期报道了在金刚石热控制的基础上,适用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。其中热管理是实现更高功率密度的关键步骤。 金刚石是一种具有非常高导热性的材料。该团队称: ...
分类:    2019-1-31 09:58
GaN在RF领域应用的优势、挑战及应对之策
GaN在RF领域应用的优势、挑战及应对之策
来源:半导体行业观察目前,氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用,其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透,而且对射频/微波行业的影响越来越大,不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的 ...
分类:    2019-1-30 09:11
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris半导体公司所制造 ...
分类:    2019-1-30 09:09
37页PPT,全面解读5G产业链及未来趋势!
37页PPT,全面解读5G产业链及未来趋势!
来源:国信证券经济研究所对于接下来的一年,5G无疑是全球关注的焦点。5G开始商用化,除了进一步促进移动互联网的发展,更重要的是会促进移动互联网和物联网的整合,进而全面落地大数据、云计算和人工智能等相关技术 ...
分类:    2019-1-29 09:29

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