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关于氮化镓器件的未来,英飞凌是这样看的
关于氮化镓器件的未来,英飞凌是这样看的
来源:半导体行业观察经过了多年的探索和研究之后,氮化镓(GaN)等宽禁带材料终于进入了大爆发前的最后冲刺阶段。面对这个十亿美元级别的市场,国内外厂商正在摩拳擦掌,纷纷推出新品,以求在这个市场与竞争对手一 ...
分类:    2018-12-10 09:36
安森美半导体发布碳化硅 (SiC) 二极管用于要求严苛的汽车应用
安森美半导体发布碳化硅 (SiC) 二极管用于要求严苛的汽车应用
来源:电力电子网推动高能效创新的安森美半导体发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合 AEC-Q101车规的汽车级 SiC 二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固 ...
分类:    2018-12-10 09:32
2018年全球半导体产业回顾以及对2019年的展望
2018年全球半导体产业回顾以及对2019年的展望
来源:北京国际工程咨询在2017年年末的时候尝试性的写了关于2018年半导体产业发展的主要观点,包括:目前看来,这十条预测中,大部分都有发生,但2018年全年半导体行业最大的“变数”则是中美贸易摩擦以及美国加大对 ...
分类:    2018-12-7 09:07
硅基氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测
硅基氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测
。华南师范大学和北京大学在(100)硅上开发了基于氮化镓(GaN)微丝阵列的紫外(UV)金属 - 半导体 - 金属(MSM)探测器。(本文在ACS Photonics于2018年11月1日在线发表)在此项研究中,研究人员称此款探测器具有 ...
分类:    2018-12-7 09:05
GaN| DARPA授予HRL实验室项目,推动毫米波GaN器件技术走向成熟
GaN| DARPA授予HRL实验室项目,推动毫米波GaN器件技术走向成熟
来源:大国重器近日,HRL实验室就GaN项目进展做出了报告,该项目由其与美国国防先期研究计划局(DARPA)协同进行,目的是促进基于先进毫米波T3氮化镓(GaN)电子产品的相关研发技术和制造水平。HRL实验室HRL实验室是波 ...
分类:    2018-12-6 09:10
三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制
三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制
在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议(IEDM 2018)(12月1日至5日)上,三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。这个新机制是通过确认栅极氧化物和SiC之间的界面下的 ...
分类:    2018-12-6 09:09
GaN|美国SSDI公司推出GaN FET,适用于航空航天和国防机器人及自动化领域电力电子系统
GaN|美国SSDI公司推出GaN FET,适用于航空航天和国防机器人及自动化领域电力电子系统
来源:大国重器美国固态设备公司(SSDI)推出用于航空航天和国防用高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。SGF46E70系列是46A、700V,可 ...
分类:    2018-12-5 09:16
英飞凌推出可量产的氮化镓解决方案
英飞凌推出可量产的氮化镓解决方案
来源:OFweek 电子工程网随着市场对高功率高电压材料的需求增长,全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力 ...
分类:    2018-12-5 09:15
上周刷屏的国产光刻机报道背后的真相
上周刷屏的国产光刻机报道背后的真相
来源:半导体行业观察上周五,又一篇文章刷爆了半导体人的朋友圈。据军报记者成都报道,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收,这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。 ...
分类:    2018-12-4 11:25
【会员动态】半导体检测技术论坛(12月7日)走进中科院半导体研究所
【会员动态】半导体检测技术论坛(12月7日)走进中科院半导体研究所
来源:米格实验室为进一步交流半导体检测最新技术进展、促成与科研机构跨学科、跨行业的合作,米格实验室平台联合各大科研机构及知名企业将于2018年12月7日推出“米格实验室—半导体检测技术论坛”,第一期主题为: ...
分类:    2018-12-4 11:20
我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备
我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备
来源:解放军报社装备发展部分社我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备可加工22纳米芯片▲超分辨光刻装备核心部件纳米定位干涉仪以及精密间隙测量系统。军报记者成都11月29日电(吕珍慧、记者邹维荣) ...
分类:    2018-12-3 09:11
RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件
RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件
来源:充电头网近日,RAVPower发布了一款USB PD充电器新品,这款充电器内置了时下关注度很高的GaN氮化镓功率器件,这在业内被称为第三代半导体。而导入到充电器中,将会给体积带来显著变化,帮助到快充实现轻薄化、 ...
分类:    2018-12-3 09:05
功率半导体总览
功率半导体总览
报告来源:基业常基功率半导体是电力控制的核心,驱动现代社会的电气化运作功率半导体,即依托电力电子技术、以功率处理为核心的半导体产业;与功率半导体这个概念相对应的,则是更为大众所熟知的依托微电子技术、保 ...
分类:    2018-11-30 09:35
5G、快充爆发:氮化镓商用进入快车道
5G、快充爆发:氮化镓商用进入快车道
来源:充电头网氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是一种氮(V)和镓(III)的III-V族化合物,直接带隙(Direct Bandgap)(直接跃迁型)的半导体材料,具有带隙宽(室温下,Eg=3.39eV)、原子键强、导热 ...
分类:    2018-11-30 09:32
集成电路制造技术简史
集成电路制造技术简史
来源:EETOP集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始,那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了,而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。半导 ...
分类:    2018-11-29 09:34

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