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中国氧化镓雷达技术突破从第三代氮化镓到第四代太赫兹的全球领跑: 当前国际雷达技术前沿领域，以氮化镓（GaN）半导体材料为基底的相控阵雷达系统已确立第三代技术体系的主导地位。这类基于宽禁带半导体的雷达系统，通过 GaN 功率器件的高效射频能量转换特性，构建起兼具高功率密度、 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-30 10:23

华润微、士兰、比亚迪、中车，跻身全球功率器件厂商前20: 中国功率芯片崛起华润微、士兰微、比亚迪和中车杀进Top 20Yole 集团发布《2025 年功率电子行业现状》报告。2024 年功率电子市场受新能源汽车需求波动等挑战，2024-2030 年预计以 8.7% 复合年增长率增长，2030 年规模 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-30 10:18

安储科技邀您参加2025宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：张家港安储科技有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议期间 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-30 09:52

未来5年，SiC复合年增长率达20%: 到2030年，SiC功率器件市场将占整个市场的71%。Yole公布了对碳化硅（SiC）功率器件市场的最新预测。预测显示，预计该市场在2024年至2030年期间将以20%的复合年增长率（CAGR）增长，到2030年将扩大到1.03亿美元。当前 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-30 09:23

浙江大学| 热场对PVT法200 mm碳化硅（SiC）扩径的影响: 背景PVT法生长的SiC单晶扩径是利用特殊设计的坩埚结构，经过多次促进横向晶体生长来逐步完成的。其中，关键的前提是精确控制径向温度梯度和过饱和度。适当的径向温度梯度为SiC晶体生长的扩径提供了必要的驱动力。此 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-27 10:12

智新半导体1700V SiC MOSFET模块正式下线: 6月23日，#智新半导体六周年暨第100万只模块下线仪式举行。图片来源：智新科技活动现场，智新科技副总经理曹永军介绍，六年来，智新半导体体系能力持续增强，产品平台不断丰富，今年销量同比大幅增长，两条产线产能 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-27 10:07

英飞凌SiC创新图谱：混合模块、三电平技术与900V前瞻布局: 2025-06-27 09:04·宽禁带联盟2025年是英飞凌进入中国市场的第30年。从晶体管到AI时代，英飞凌始终推动行业进步。而如今在全球汽车产业加速向电动化、智能化转型的浪潮中，半导体技术的核心驱动力显而易见，而英飞凌 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-27 10:00

金刚石芯突破！4英寸，超薄、超低翘曲金刚石自支撑薄膜！: 4英寸超薄、超低翘曲金刚石自支撑薄膜超低翘曲金刚石自支撑薄膜实物拍摄（正面金刚石凭借其超高热导率成为解决高频大功率芯片散热难题的关键材料。将硅（Si）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等芯片直接键合到金刚石 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-27 09:51

【氧化镓专场报告】2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛，邀您共话氧化镓 ...: · 关于会议·7月15日-17日，“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛”将于安徽省芜湖市盛大召开。论坛将聚焦宽禁带半导体产业链耗材-设备-材料-外延-器件-应用上中下游全产业链，设 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-26 09:30

麻省理工学院推出氮化镓与硅芯片3D集成新技术: 近日，#麻省理工学院（MIT）的研究团队取得了一项重大技术突破，开发出一种创新的制造工艺，能够将高性能#氮化镓（GaN）晶体管与标准硅芯片进行三维集成。这一成果有望显著提升高频应用（如视频通话和实时深度学习） ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 10:17

SiC攻占光储市场，7家企业均已采用: 最近，“行家说”发现光储领域的企业加速应用碳化硅技术。麦米电气、千帆翼、中弦能源、思格新能源、新能安等企业均推出相关新产品，加快在该领域的技术导入。下表为完整名单，具体详情请往下看：麦米电气：充电模块 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 10:16

矢量科学邀您参加2025宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：深圳市矢量科学仪器有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 09:55

效能革命：第三代半导体如何重塑新能源电力电子装置？: 在能源转型与低碳化发展的全球趋势下，新能源电力电子装置作为连接能源生产与消费的核心纽带，其技术革新直接关乎能源利用效率与系统可靠性。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，凭借其超宽禁 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 09:51

耐高温SiC：通往商业化功率器件之路: 密歇根大学（U-M）获得重要资金支持，以推动耐高温碳化硅（SiC）半导体从实验室走向商用制造。密歇根大学近日获得“硅十字路口微电子共享中心”（Silicon Crossroads Microelectronics Commons Hub）拨款240万美元， ...; 分类: 新闻通知 2025-6-24 09:34

西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、赵胜雷教授研究组：利用原位生长技术提高p- ...: GaN基HEMT器件具有耐高压、低损耗、快开关速度、耐高温、抗辐照等特点在5G通讯、数据中心、汽车工业、太空探索等领域具有广泛的应用前景。作为实现常关工作的主要方法之一，具有良好可靠性的p-GaN栅HEMT结构引起了广 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-24 09:31

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