新闻通知
- SiC IGBT的现状和挑战！
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SiC IGBT--一个是第三代宽禁带半导体材料的翘楚，一个代表着功率器件的最高水平，应该有怎么样的趋势？绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，结合MOS的高输入阻抗和双极型期间的电流密度的特性，暂时成为当下最高水平的功率器 ...
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分类: 2020-10-28 18:29
- 英飞凌SiC CoolSiC MOSFET助力EA Elektro-Automatik电源瘦身
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双向实验室电源，用于测试电动传动系统，集成了CoolSiC分立1200V MOSFET。混合动力汽车和全电动汽车的销售正在全球范围内加速发展。虽然这对减少二氧化碳排放是个好消息，但这对测试电子组件（即电机、控制和电池） ...
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分类: 2020-10-27 16:19
- 是德科技与罗姆半导体联手支持基于碳化硅工艺的开关电源设计
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德科技公司近日与领先的半导体制造商罗姆半导体公司（ROHM Semiconductor）联合宣布推出一个兼容PathWave先进设计系统（ADS）的新工作区。通过该工作区，设计人员可以对现有开关电源（SMPS）设计的虚拟原型进行修改 ...
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分类: 2020-10-27 15:53
- 碳化硅生长选用红外测温
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通常的温度通过热电偶就可以测量。常用的铂铑、镍铬、铜镍等热电偶从-50-1600℃均可连续测量，某些特殊热电偶最低可测到-269℃（如金铁镍铬）、最高可达2800℃（如钨、铼）。两种不同导体（或半导体）形成闭合回路， ...
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分类: 2020-10-23 09:07
- 博世：SiC功率芯片和域控制器芯片，我们一个都不放过
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10月19-20日，NE时代作为受邀媒体参加了博世于东海汽车测试技术中心举办的“2020年博世汽车与智能交通技术创新体验日”。此次创新体验日上，博世特别展示了其碳化硅功率芯片和智能座舱域控制器解决方案。“博世，不 ...
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分类: 2020-10-23 09:07
- 上海瞻芯电子发布国产6英寸碳化硅晶圆产品
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近日，首片国产6英寸碳化硅MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆在临港正式发布，填补了国内在此领域的空白，未来市场容量可达百亿美金。该国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆，基于碳化硅也就是第三代半导体材料制成，用于 ...
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分类: 2020-10-21 09:18
- Cree出售LED业务，专注Wolfspeed碳化硅材料以及碳化硅功率器件和氮化镓RF器件业务
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美国北卡罗来纳州达勒姆市的Cree公司已同意将其LED产品业务部门（Cree LED）出售给SMART Global Holdings Inc.，交易价格最高为3亿美元，包括固定的预付款和递延付款以及或有对价。根据该协议的条款，该协议已获得Cr ...
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分类: 2020-10-21 09:16
- 宽带隙SiC如何加速电动车创新？
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由于价格下降，行驶里程增加，电动车正在逐渐成为主流。2019年，全球电动车销量超过210万。国际能源署报告《2020年全球电动车展望》称，2019年有超过720万辆电动客车上路行驶。然而，电动车数量是否会继续增长取决于 ...
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分类: 2020-10-20 18:17
- 【联盟动态】2020北京化合物半导体先进应用大会破时空联动出彩
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未来已至，芯机不待。2020年10月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟协办的化合物半导体先进应用大会在北京国家会议中心火热开幕。200余进步人士纷至而来，与此同时，还有超过800位观众守候在网络端，准点收 ...
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分类: 2020-10-19 17:36
- 欧时电子引入安森美最新SiC MOSFET系列产品！现可采购
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10月15日，欧时电子(RS Components，简称，RS)是Electrocomponents plc公司(全球工业客户及供应商全方位解决方案合作伙伴)(伦敦证交所：ECM)的一个贸易品牌，现在中国和日本引进了安森美最新的1200V碳化硅(SiC) MOSF ...
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分类: 2020-10-19 17:33
- GaN半导体器件迎来红利期？2027年市场规模将达408亿！
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基于摩尔定律即将走到极限，各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及硒化锌等宽频半导体为主，有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体材料。根据 ...
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分类: 2020-10-19 17:31
- 中关村天合宽禁带联盟关于同意第四批团体标准立项申请的公告
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各有关单位：2020年中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第四批团体标准研讨会于10月14日在中科院物理所M楼二层249会议室召开，由联盟标准化委员会与会委员表决，通过《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 ...
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分类: 2020-10-15 16:11
- 2020年Q3国内化合物半导体相关项目汇总
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中科钢研SiC项目落户西安7月28日，西咸新区空港新城在北京和中科钢研节能科技有限公司、国宏中晶集团有限公司共同就碳化硅半导体新材料及激光陀螺仪制造两个“高精尖”项目正式签订投资协议，此次签约的碳化硅半导体 ...
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分类: 2020-10-15 11:52
- 第三代半导体渐入佳境
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南科管理局10月7日宣布，稳懋进驻南科高雄园区的投资案在今年 8 月已经获得科技部园区审议会核准，稳懋预计将投入 850 亿新台币（约201亿人民币）盖新厂。9月19日，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式， ...
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分类: 2020-10-15 11:50
- 解读！碳化硅晶圆划片技术
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碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键 ...
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分类: 2020-10-15 11:48
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