请选择 进入手机版 | 继续访问电脑版
订阅

新闻通知

下级分类:  公告通知|联盟动态
“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班开班通知
“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班报名表.docx
分类:    2020-6-1 20:21
中国SiC、GaN两大IDM公司董事长齐聚“功率及化合物半导体国际论坛2020”,席位有限, ...
功率及化合物半导体国际论坛部分境外讲师可能面临调整日期:2020年6月28-29日地点:上海浦东嘉里大酒店,浦东大宴会厅4地址:上海市浦东新区花木路1388号现场提供中英文同声传译SPONSORSTHANKSInvited Keynote Speak ...
分类:    2020-6-1 11:13
金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚
金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚
氮化镓(GaN)现在很火。而更火的是,为了进一步提高GaN的性能,不同厂商竞相将GaN与其他材料集成在一起。“无论是在器件级还是系统级,金刚石基氮化镓都可以提供高导热率、高电阻率和小尺寸。因此,对商用基站、军 ...
分类:    2020-6-1 11:05
阳光推出可量产车用全SiC电机控制器
阳光推出可量产车用全SiC电机控制器
近日,阳光电源自主研发的车用全SiC电机控制器成功装车试运行,这标志着阳光成为国内首家开发出使用第三代宽禁带功率半导体(单管SiC MOSFET)并联技术的电机控制器企业。据悉,此前国际上批量应用此技术方案的仅特 ...
分类:    2020-5-29 09:18
"第三代半导体产业发展及标准支撑"线上沙龙顺利举办
"第三代半导体产业发展及标准支撑"线上沙龙顺利举办
为积极响应北京市加快科技创新构建高精尖经济结构系列文件及国家发展集成电路及半导体产业号召,支撑《中关村国家自主创新示范区创新引领高质量发展行动计划(2018-2020年)》推进工作。5月22日,中关村标准化协会主 ...
分类:    2020-5-28 09:34
第三代半导体SIC晶圆的激光内部改质切割技术
第三代半导体SIC晶圆的激光内部改质切割技术
自1960年代起,以硅为标志的第一代半导体材料一直是半导体行业产品中使用最多的材料,由于其在通常条件下具备良好的稳定性,硅衬底一直被广泛使用于集成电路芯片领域;但硅衬底在光电应用领域、高频高功率应用领域中 ...
分类:    2020-5-28 09:24
第一、二、三代半导体的区别在哪里?
第一、二、三代半导体的区别在哪里?
来源:今日半导体半导体原料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体原料;第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;第三阶段是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC ...
分类:    2020-5-27 09:27
碳化硅和氮化镓的区别在哪?
碳化硅和氮化镓的区别在哪?
近年来,研究人员和技术人员一直在共同努力,寻找优化器件能效和提高器件性能的解决方案。尽管微控制器在数码设备上已经达到了非凡的节能水平,但是在功率器件中使用新材料也取得了最佳效果。不久前,人们认为SiC和G ...
分类:    2020-5-26 09:31
倒计时30天,MSF期刊征稿持续进行中!
我们诚挚邀请高校、研究所的老师、学生们投稿啦!!此次收录的论文将发表在瑞士TTP出版社旗下EI列表期刊《MaterialsScience Forum》(ISSN: 1662-9752),目前该期刊EI和Scopus检索稳定。期待大家的投稿~APCSCRM 201 ...
分类:    2020-5-26 09:15
碳化硅电力电子器件的发展现状
在过去的十五到二十年中,碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就,所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件,并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化,在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件 ...
分类:    2020-5-22 09:28
2020科创中国·科技创新创业大赛启动,优秀项目快到碗里来
2020科创中国·科技创新创业大赛如约而至这里有活跃在国内的一批投资人有明星创业导师有创新创业圈梦想的基石这里是成功的起点现报名通道已全面开启面向国内外科技创新创业项目广发英雄帖诚挚欢迎优秀创业伙伴踊跃报 ...
分类:    2020-5-21 10:19
《第三代半导体产业发展及标准支撑​》线上沙龙
《第三代半导体产业发展及标准支撑​》线上沙龙
作为全球高新技术领域的战略竞争焦点,SiC和GaN宽禁带半导体正在消费电子、新能源汽车和5G通信等应用牵引下形成巨大规模的产业。中美贸易战的持续发酵升级,对我国乃至世界的技术及产业发展影响深远,贸易战促进政府 ...
分类:    2020-5-21 10:14
台阶生长降低碳化硅缺陷
台阶生长降低碳化硅缺陷
无论是PVT还是HTCVD生长碳化硅单晶,都涉及到了气固相变。所以,这个生长具有三种模式:岛状生长(Volmer-Weber,VW)、层状生长(Frankvander-Merwe,FM)、混合生长(Stranski-Krasannov,SK)。这是由于存在两种 ...
分类:    2020-5-21 09:48
这个国家级集成电路创新中心,被央视点赞!
这个国家级集成电路创新中心,被央视点赞!
5月19日,央视财经频道《正点财经》播出了《工信部批复组建国家制造业创新中心集成电路产业迎来空前发展机遇》,详细介绍了在无锡组建的国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心的情况。Source:央视截图集成电路行 ...
分类:    2020-5-21 09:45
新冠疫情带动GaN、SiC快速进入市场!这两家厂商正在积极扩大布局
来源:台湾工商时报新冠肺炎疫情全球蔓延,在家远距工作及远距教学成为新常态,并带动资料中心服务器、5G高速网络等需求爆发,其中,5G基地台及服务器电源系统开始大量采用SiC(碳化硅)元件,GaN(氮化镓)元件亦因 ...
分类:    2020-5-21 09:33

相关分类

关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

返回顶部