新闻通知
- 三菱将推出第二代碳化硅模块
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新型工业模块将有助于实现更高效、更小、更轻的电力电子装备三菱电机推出采用新开发的工业用碳化硅芯片的第二代全碳化硅功率模块。 该模块中的SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片的低功率损耗特性和高载波运行频率，有望促进各 ...
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分类: 2020-9-25 10:10
- Transphorm第二款900VGaN FET现已投入生产
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双芯片常关功率晶体管在标准 TO-247 封装中提供 ±20 V 栅极稳定性。Transphorm公司宣布其第二款900 V GaN FET已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，额定瞬态尖峰电压为1千伏，现已通过JEDEC认证。主要目 ...
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分类: 2020-9-25 10:02
- 首次公布！北京自贸试验区涵盖三个片区，具体这样布局
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9月24日，中国（北京）自由贸易试验区正式挂牌。北京自贸试验区进行空间布局规划时，是怎样进行选择和考虑的？记者从市政府新闻办9月24日下午举行的新闻发布会上获悉，北京自贸试验区涵盖科技创新片区、国际商务服务 ...
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分类: 2020-9-25 09:54
- 江宁开发区企业发布6吋碳化硅MOSFET 70mΩ产品
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9月21日，位于江宁开发区的南京晟芯半导体有限公司、晟芯世科电力电子（南京）有限公司举办新品发布会，正式发布公司研制的国内首款拥有自主知识产权的工业级6吋1200V 70mΩ碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶 ...
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分类: 2020-9-25 09:46
- 碳化硅可以使用其他抛光技术吗
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对于碳化硅单晶抛光，一般选用的是化学抛光+机械抛光=化学机械抛光，这个在之前的文章有详细介绍。下面将进行归纳后再演绎，分析抛光技术这个概念。基本的抛光技术常见的有6种：机械抛光；化学抛光；电解抛光：类似 ...
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分类: 2020-9-24 17:38
- 一期投资超60亿，全球最大氮化镓工厂落地苏州
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9月19日，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也标志着中国半导体创新史步入一 ...
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分类: 2020-9-24 17:36
- "高精尖"大咖讲"高精尖"——第三代半导体产业技能高级培训班
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当前，5G通信技术、新能源汽车推广以及光电应用正助推着第三代半导体产业的蓬勃发展，随着当前国家“新基建”政策的提出，更是对我国第三代半导体产业发展提供了宝贵机遇。以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料因 ...
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分类: 2020-9-24 17:35
- 【SiC技术行业动态】德尔福800V SiC逆变器再攻下欧洲车厂定点
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近日，德尔福科技再传佳讯——欧洲某TOP 3豪华汽车制造商与德尔福科技签署800V碳化硅逆变器供货合约，预计将于2024年启动纯电动汽车合作项目。届时，全球4大豪华汽车制造商中的前3家都将使用德尔福科技所提供的逆变 ...
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分类: 2020-9-24 17:30
- 叶甜春：中国半导体行业蓬勃发展，材料领域并没有拖后腿
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集微网消息，在2020中国半导体材料创新大会上，中科院微电子研究所所长叶甜春表示，中国整个半导体行业蓬勃发展，其实本土半导体材料产业没有拖后腿。 叶甜春指出，近年来，人们见证了中国半导体材料产业艰难的发展 ...
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分类: 2020-9-17 09:01
- “新基建”加速推动中国智能制造升级
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文 / 特约记者 邱锐在政府强势力推“新基建”的背景之下，中国智能制造也必将迎来新一轮的发展。但在制造业蓄势待发的同时，必须对自身的实力与定位有清晰的认知。当前中国工业仍处于“大而不强”的状态， 其关键就 ...
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分类: 2020-9-17 09:00
- 倒计时5天！高精尖第三代半导体产业技能高级培训班优惠活动即将截止
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分类: 2020-9-17 08:56
- 如何有效地检测碳化硅(SiC)二极管？
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随着宽禁带半导体技术的日益普及，需要在高温和苛刻的电流循环条件下，对二极管操作进行各种耐久性测试，以评估其性能。毫无疑问，功率电子器件作为基本元器件，将在未来几年中持续发展。而新型碳化硅（SiC）半导体 ...
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分类: 2020-9-16 10:05
- 如何投资碳化硅外延材料
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“第三代半导体碳化硅风头正盛，随着下游的逐步打开，整个产业链受到极大的关注度。上一次说完碳化硅衬底材料，今天我们来说说衬底的下游外延片的江湖到底是如何的？”总览碳化硅的产业链其实和硅的是比较相似的，都 ...
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分类: 2020-9-16 10:02
- 挑选一个碳化硅MOSFET
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实际上使用MOSFET，直接在市场上挑选所需要的就行了。我们可以把MOSFET选型分成六个步骤。并且，以Cree旗下公司Wolfspeed于近期宣布推出新型15-mΩ和60-mΩ 650V碳化硅 MOSFET为例。第一步：选用N沟道还是P沟道？当 ...
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分类: 2020-9-11 09:37
- SiC领域20年来的重大技术突破，京都大学将品质提高约10倍
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京都大学研究生院工学研究科的木本恒畅教授、东京工业大学科学技术创成研究院的松下雄一郎特任副教授及小林拓真博士研究员等人组成的研究团队，把被视为节能王牌的SiC半导体20多年来面临的主要问题——半导体缺陷降 ...
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分类: 2020-9-11 09:35
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