新闻通知
- 重磅！英特尔发布全新芯片架构，六大技术战略，震动芯片届
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来源：智东西英特尔火了！英特尔真的火了！北京时间12月12日对英特尔来说大事连连，在北京，正举办20岁生日的英特尔中国研究院的隔壁楼房着了大火，而远在大洋彼岸，英特尔在加州Los Altos举办的“架构日”上连发大 ...
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分类: 2018-12-17 09:59
- SEMI预测：全球半导体设备销售额2018年创纪录、2019年重整、2020年再创新高
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2018年12月12日 – SEMI在SEMICON Japan 2018展览会上发布年终总设备预测报告，2018年新的半导体制造设备的全球销售额预计将增加9.7%达到621亿美元，超过去年创下的566亿美元的历史新高。预计2019年设备市场将收缩4. ...
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分类: 2018-12-17 09:30
- 电力电子技术概述
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来源：功率半导体那些事儿1、什么是电力电子技术电力电子技术可以认为就是应用于电力领域的电子技术。电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。 ...
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分类: 2018-12-14 09:52
- “三高”SiC，新能源汽车应用将现高增长
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来源：罗姆半导体集团在2018年11月6至8日于上海举办中国汽车工程学会年会暨展览会（SAECCE）上，全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）携多款新产品亮相。在同期举办的“新能源汽车及混合动力技术分论坛”上 ...
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分类: 2018-12-14 09:48
- 比亚迪发布IGBT“中国芯”，电动车核心技术告别“卡脖子”时代
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来源：比亚迪人12月10日，比亚迪在宁波发布了在车规级领域具有标杆性意义的IGBT4.0技术，再一次展示出其在电动车领域的领先地位。这一晚，比亚迪将IGBT这个长期游离于人们视野、但又堪称电动车CPU的核心技术带到了“ ...
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分类: 2018-12-12 10:52
- 氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏
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。美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓（β-Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下，显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm-2。该器件采 ...
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分类: 2018-12-12 09:44
- 宽禁带半导体器件的春天要来了吗？
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来源：电子工程专辑从智能手机和互联网，到家电、工厂和汽车，电力电子产品已经成为了我们生活的一部分。随着云计算、工业4.0，以及电动汽车和自动驾驶等领域的发展，电力电子产品的设计和开发的革命正在全面展开， ...
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分类: 2018-12-11 10:18
- 氮化镓垂直沟道结场效应晶体管
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。德国亚琛工业大学在氮化镓（GaN）外延结构中首次实现了垂直沟道结型场效应晶体管（vc-JFET）。垂直器件对于高功率密度应用是很有应用价值的，因为通过该结构将峰值电场从表面推入散装材料，从而避免了对表面钝化或 ...
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分类: 2018-12-11 10:16
- 关于氮化镓器件的未来，英飞凌是这样看的
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来源：半导体行业观察经过了多年的探索和研究之后，氮化镓（GaN）等宽禁带材料终于进入了大爆发前的最后冲刺阶段。面对这个十亿美元级别的市场，国内外厂商正在摩拳擦掌，纷纷推出新品，以求在这个市场与竞争对手一 ...
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分类: 2018-12-10 09:36
- 安森美半导体发布碳化硅 (SiC) 二极管用于要求严苛的汽车应用
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来源：电力电子网推动高能效创新的安森美半导体发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合 AEC-Q101车规的汽车级 SiC 二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固 ...
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分类: 2018-12-10 09:32
- 2018年全球半导体产业回顾以及对2019年的展望
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来源：北京国际工程咨询在2017年年末的时候尝试性的写了关于2018年半导体产业发展的主要观点，包括：目前看来，这十条预测中，大部分都有发生，但2018年全年半导体行业最大的“变数”则是中美贸易摩擦以及美国加大对 ...
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分类: 2018-12-7 09:07
- 硅基氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测
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。华南师范大学和北京大学在（100）硅上开发了基于氮化镓（GaN）微丝阵列的紫外（UV）金属 - 半导体 - 金属（MSM）探测器。（本文在ACS Photonics于2018年11月1日在线发表）在此项研究中，研究人员称此款探测器具有 ...
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分类: 2018-12-7 09:05
- GaN| DARPA授予HRL实验室项目，推动毫米波GaN器件技术走向成熟
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来源：大国重器近日，HRL实验室就GaN项目进展做出了报告，该项目由其与美国国防先期研究计划局（DARPA）协同进行，目的是促进基于先进毫米波T3氮化镓(GaN)电子产品的相关研发技术和制造水平。HRL实验室HRL实验室是波 ...
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分类: 2018-12-6 09:10
- 三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制
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在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议（IEDM 2018）（12月1日至5日）上，三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。这个新机制是通过确认栅极氧化物和SiC之间的界面下的 ...
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分类: 2018-12-6 09:09
- GaN|美国SSDI公司推出GaN FET，适用于航空航天和国防机器人及自动化领域电力电子系统
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来源：大国重器美国固态设备公司（SSDI）推出用于航空航天和国防用高压氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）SGF46E70系列，可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。SGF46E70系列是46A、700V，可 ...
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分类: 2018-12-5 09:16
