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成员风采

思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式隆重举行
思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式隆重举行
6月27日,以“智启新程,奠基未来”为主题的思锐智能半导体先进装备研发制造中心(以下简称中心)落成投产仪式在青岛隆重举行。中国半导体产业领军人物张汝京,欧洲科学院院士、北京超弦存储器研究院执行院长赵超, ...
2025-7-1 09:26
突破性成果:自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功!
突破性成果:自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功!
深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司,在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破!成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题,构建了8英寸工艺平台,实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC M ...
2025-6-30 09:54
SiC AR眼镜迈入量产节点,天科合达提供6大助力
SiC AR眼镜迈入量产节点,天科合达提供6大助力
近期,慕德微纳发布了第二代碳化硅 AR 眼镜光学模组,并透露将在2025年第三季度可实现AR刻蚀光波导的量产,将进一步推动碳化硅光波导的应用进程。值得关注的是,慕德微纳此前已与碳化硅头部企业天科合达达成深度合作 ...
2025-6-27 09:57
ROHM SiC MOSFET被采用于丰田面向中国市场的新款纯电动车实现量产
ROHM SiC MOSFET被采用于丰田面向中国市场的新款纯电动车实现量产
罗姆第四代SiC MOSFET功率模块应用于丰田bZ5牵引逆变器,提升效率、降低功耗,助力电动车市场快速增长。关键词:SiC MOSFET, 电动汽车, 牵引逆变器bZ5产品展示,图片来源:网络丰田bZ5搭载ROHM第四代SiC芯片,正式在 ...
2025-6-26 10:25
平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管
平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管
氮化铝(AlN)作为禁带宽度最大的超宽禁带半导体材料,具有高达15.4 MV/cm的击穿场强和高达340W/(m·K)的热导率,是耐高温、耐高压大功率器件的理想材料,也被称为唯一能够满足138-230 kV电网需求的半导体。目前国内 ...
2025-6-26 09:57
宁波丞达精机携手科研力量,引领半导体设备创新
宁波丞达精机携手科研力量,引领半导体设备创新
在半导体行业蓬勃发展的浪潮中,宁波丞达精机股份有限公司不断书写着创新的篇章。近日,公司在技术合作与核心产品研发领域取得重大突破,引领行业创新方向,赢得瞩目。宁波丞达精机股份有限公司与中国科学院宁波材料 ...
2025-6-26 09:37
西湖仪器专访 | 国产激光剥离技术突破大尺寸金刚石壁垒,定义半导体制造新范式
西湖仪器专访 | 国产激光剥离技术突破大尺寸金刚石壁垒,定义半导体制造新范式
随着第三代半导体器件在超高热导率、量子传感与功率电子领域不断逼近性能极限,作为第四代半导体核心材料的金刚石因其卓越的性能,被誉为材料界的“性能天花板”,成为大国科技竞逐的关键。而在这精密制造的核心环节 ...
2025-6-23 09:25
AR眼镜再添新马达,中电化合物与甬江实验室展开合作
AR眼镜再添新马达,中电化合物与甬江实验室展开合作
6月16日,#中电化合物半导体有限公司(以下简称“中电化合物”)与#甬江实验室 正式签署了战略合作框架协议。此次合作标志着双方将在AR眼镜用光学碳化硅(SiC)晶片领域展开深度研发合作,共同推动SiC材料在增强现实 ...
2025-6-19 09:31
天域半导体完成“全流通”备案,计划赴港交所主板IPO!
天域半导体完成“全流通”备案,计划赴港交所主板IPO!
2025年6月13日,中国证监会国际司发布关于广东天域半导体股份有限公司境外发行上市及境内未上市股份“全流通”备案通知书(国合函1000号)。广东天域半导体股份有限公司:你公司境外发行上市及境内未上市股份“全流 ...
2025-6-17 09:21
镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底
镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底
2025年5月,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称镓仁半导体)在氧化镓大尺寸晶体生长与衬底加工技术方面取得突破性进展,基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备,使用垂直布里奇曼(VB)法制备出100毫米(010)面氧化镓 ...
2025-6-12 10:05
强强联合!︱镓仁半导体与德国NextGO.Epi携手,推动氧化镓应用
强强联合!︱镓仁半导体与德国NextGO.Epi携手,推动氧化镓应用
中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业 NextGO.Epi 签署全球战略合作协议,双方将依托技术优势协同攻关,聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化,此次强强联合将共同推动氧化镓在新能 ...
2025-5-19 09:04
国产半导体装备迎重大进展!山东力冠微电子装备推出12英寸液相法SiC长晶炉
国产半导体装备迎重大进展!山东力冠微电子装备推出12英寸液相法SiC长晶炉
新能源汽车、5G通信等产业的高速发展,推动碳化硅(SiC)衬底需求持续攀升,而大尺寸、高良率晶体生长技术成为全球半导体装备领域的核心竞争方向。山东力冠微电子装备有限公司继8英寸液相法SiC长晶炉量产后,正加速 ...
2025-5-15 09:20
米格实验室完成近亿元战略融资 加速打造半导体检测全球化标杆
米格实验室完成近亿元战略融资 加速打造半导体检测全球化标杆
米格实验室近日宣布完成近亿元战略融资,致力于加速突破半导体检测技术壁垒,推动国产化进程,引领科研检测服务新范式。加速打造半导体检测全球化标杆近日,国内领先的新材料与半导体科研检测平台------北京聚睿众邦 ...
2025-5-14 09:26
大尺寸金刚石关键技术!西湖仪器激光剥离效率与损耗双重突破!
大尺寸金刚石关键技术!西湖仪器激光剥离效率与损耗双重突破!
被誉为“终极半导体材料”的金刚石,具备超宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱和漂移速度等材料特性,同时还兼具抗辐射能力。金刚石优异的诸多特性,使其在热沉、半导体、光学等领域具有广阔的应用前景(详见 ...
2025-5-14 09:23
河南科之诚:技术创新驱动发展 推出多项核心引领行业突破
河南科之诚:技术创新驱动发展 推出多项核心引领行业突破
河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司(以下简称“科之诚”)一直致力于射频通信与热管理领域的技术创新与产品研发。近期接连推出多项技术创新成果,进一步巩固其行业领先地位。2025年5月7日,科之诚宣布,其开发 ...
2025-5-12 10:22

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