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成员风采

助力泰科天润碳化硅电力电子器件产业化做强做大!
项目名称:碳化硅电力电子器件产业化项目企业简介:泰科天润半导体科技(北京)有限公司(简称“泰科天润”)成立于2011年4月,总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地,是国内第一家致力于第三代半导体材料碳化 ...
2018-5-15 10:51
新能源汽车,中车电动注入中国“芯”
火柴盒般大小的黑匣子,肚子里装着小“芯”脏和复杂的“经脉”,能将电能自由转换和控制......这,就是新能源汽车的“芯”——IGBT。作为国内唯一一家拥有从IGBT元器件制造、“三电”关键零部件、动力系统到整车制造 ...
2018-5-15 10:50
打通技术与产业的通道,推进自主可控第三代半导体产业链发展——北京市科学技术委员会 ...
打通技术与产业的通道,推进自主可控第三代半导体产业链发展——北京市科学技术委员会 ...
4月27日上午,北京市科学技术委员会张光连副主任、新能源与新材料处王红梅副处长、新材料发展中心肖澜主任一行领导莅临天科合达公司调研指导,了解目前天科合达公司生产与运营情况,并针对“大力发展自主可控第三代 ...
2018-4-28 16:45
探讨科技成果转化为技术标准,助推企业科技成果产业化——天科合达到访国家技术标准创 ...
探讨科技成果转化为技术标准,助推企业科技成果产业化——天科合达到访国家技术标准创 ...
近日,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)一行来到国家技术标准创新基地(中关村)建设办公室(以下简称“基地建设办公室”),针对天科合达在“十二五”期间的科技成果转化为技术标准相关事宜 ...
2018-4-28 09:18
打造中国第三代半导体行业独角兽——中国科学院副院长李树深院士一行莅临天科合达公司 ...
打造中国第三代半导体行业独角兽——中国科学院副院长李树深院士一行莅临天科合达公司 ...
2018年4月23日下午,中国科学院副院长李树深院士,中国科学院物理研究所党委书记、副所长文亚,中国科学院物理研究所先进材料实验室主任陈小龙研究员,中国科学院大学电子电气与通信工程学院副院长焦建彬教授,中国 ...
2018-4-25 16:40
中国电科四十六所突破多项关键技术,制备出70mm(长)Х50mm(宽)Х4mm(厚)β-Ga2O ...
β-Ga2O3是一种新型超宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8eV,击穿电场强度高达8MV/cm,适用于制造高电流密度的功率器件、紫外探测器、发光二极管等。β-Ga2O3是唯一的高温稳定相,可以通过熔体法生长出无杂相的β-Ga ...
2018-4-3 16:05
天科合达公司起草的首批团体标准发布会成功召开
天科合达公司起草的首批团体标准发布会成功召开
2018年3月27日,宽禁带半导体技术标准化论坛暨中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)首批团体标准发布会在北京市中科院物理所召开,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达” ...
2018-3-30 16:30
泰科天润参展慕尼黑电子展前沿报道
3月14日,一年一度的慕尼黑电子展(electronica China 2018)在上海新国际博览中心拉开帷幕。作为电子行业最重要的展会之一,慕尼黑电子展以“智向未来”为主题,全方位展示电子产业链的各个关键环节,参展产业包括 ...
2018-3-15 16:56
半导体所荣获北京分院2017年度任期考核优秀领导集体
近日,根据《北京分院优秀领导集体评选表彰方案》,中共中国科学院北京分院分党组对2017年度任期考核的领导班子进行了评选。半导体所荣获优秀领导集体。2012-2016年,在院党组正确领导下,半导体所上一届领导班子团 ...
2018-3-9 15:54
天科合达公司2017年主题年会“新时代的起点”顺利召开
北京天科合达半导体股份有限公司2017年度会议于2018年2月10日在北京总部顺利召开。本次年会公司监事长惠毓伦、中国科学院物理研究所碳化硅科研团队和所科技处张伟刚老师与天科合达公司全体员工、新疆子公司代表欢聚 ...
2018-2-14 15:57
泰科天润:成功获得上海遨问创投的增资
上海遨问乙期创业投资合伙企业(有限合伙)(以下简称“遨问创投”) 于2017年12月份完成了对泰科天润半导体科技(北京)有限公司(以下简称“泰科天润”)的增资。泰科天润是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导 ...
2018-2-6 18:39
苏州纳米所:强强联手,开启科技成果产业化新征程
1月30日,中科院苏州纳米所以氮化镓基半导体蓝、绿光激光器制造技术与山东华光光电子股份有限公司、杭州中科极光科技有限公司、中山富汇丰利创业投资中心(有限合伙)、杭州和达产业基金投资有限公司等合作投资杭州 ...
2018-2-6 18:39
中国中车:国内首条6英寸碳化硅(SiC)生产线首批芯片试制成功
伴随着2017年12月初中车时代电气6英寸碳化硅(SiC)产业基地技术调试圆满完成的步伐,时代电气半导体事业部的SiC产品开发团队即刻又吹响了产品试制的号角,历经一个多月时间,通过器件设计、工艺开发和工艺流程整合 ...
2018-2-6 18:38
苏州纳维:氮化镓衬底晶片实现“中国造”
苏州纳维生产的4 英寸GaN 单晶衬底一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片,却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件,是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(Ga ...
2018-2-6 18:16
微电子所在大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化领域取得显著进展
近期,在微电子所的技术支持和协助下,株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅(SiC)芯片生产线顺利完成技术调试,厂务、动力、工艺、测试条件均已完备,可实现4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发 ...
2018-1-24 17:02
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