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KAUST:首个基于氧化镓的可高性能运行的半导体自由空间栅极晶体管: 阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授等人发表了题为 Lateral Semiconductor−Free-Space Gate Transistors 的工作于Nano Letters期刊上。本文介绍了一种新型的横向半导体-自由空间栅极晶体管（SFGT），该晶体管用半 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-14 09:23

富加镓业MOCVD外延片助力氧化镓功率器件全链路贯通: 近日，基于杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）提供的高质量MOCVD厚膜外延片，福州大学团队成功制备出高性能氧化镓垂直型功率肖特基二极管，在公开发表的基于MOCVD外延制备的功率肖特基二极管中，PFOM性能 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-14 09:00

浙江大学盛况课题组：基于Cu烧结的新型双面冷却SiC功率模块: 针对额定标称1200V/600A的功率模块，提出一种基于Cu烧结的超紧凑、高功率密度的双面冷却(Double-sided cooling，DSC)的SiC功率模块。通过辅助衬底作为栅极驱动电路，这提高了主基板上Cu涂层的利用率。这个设计实现了 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-14 08:58

芯联集成与理想汽车举办晶圆下线仪式全新碳化硅产品开启量产交付: 近日，芯联集成与理想汽车隆重举办理想芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式。近日，芯联集成与理想汽车隆重举办理想芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式，这标志着双方在碳化硅产品领域的深度合作 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-14 08:54

超2000万只！5家SiC企业透露交付进展: 近期国内碳化硅产业捷报频传，多家企业相继实现交付突破：悉智科技：第10万颗SiC车载电驱模块已顺利下线及交付；国基南方：车规级碳化硅MOSFET芯片累计为600万辆新能源汽车提供保障；中电科二所：12英寸激光剥离设备 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-13 09:30

西电郝跃院士、马晓华教授、郑雪峰教授团队：β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管在 ...: 由西安电子科技大学郝跃院士、马晓华教授、郑雪峰教授的团队在学术期刊 Energy Conversion and Management 发布了一篇名为 Integration of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes on thermoelectric modules for heat re ...; 分类: 新闻通知 2025-10-13 09:22

工信部召开SiC光波导会议: 据《中国电子报》10月10日的报道，9月26日，我国工信部电子信息司在北京举办了“AR眼镜-碳化硅材料产业链供需对接活动”。报道提到，本次活动汇聚了AR眼镜整机、光波导、微显示以及碳化硅材料等领域的十余家行业组织 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-13 09:12

英诺赛科携手联合电子与纳芯微，共创新能源汽车功率电子新格局: 近日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）、联合汽车电子有限公司（以下简称：联合电子）与苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称：纳芯微）共同签署战略合作协议。三方将聚焦新能源汽车功率电 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-11 10:43

南京邮电大学&北京邮电大学：具有光子与能带工程的各向异性Ga₂O₃纳米光 ...: 由南京邮电大学和北京邮电大学的研究团队在学术期刊Advanced Optical Materials发布了一篇名为 Anisotropic Ga2O3Nanograting with Photonic and Band Engineering Enables High-Sensitivity Solar-Blind Photodetec ...; 分类: 新闻通知 2025-10-11 10:41

东芝/中车/基本/格力：公布最新SiC合作进展: 近期，多家碳化硅企业披露了合作进展：东芝+基本：联合展出Pcore™2 E2B、Pcore™2 L3工业级全碳化硅功率模块等产品；中车+赛米控：将在功率半导体芯片技术的开发与供应领域展开深入合作；格力+电子科技大 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-11 10:21

中车时代电气：全SiC MOSFET 器件在轨道交通变流装置中的应用研究: 全SiC MOSFET 器件在轨道交通变流装置中的应用研究徐绍龙，胡云卿，窦泽春，李华，彭程，万伟伟株洲中车时代电气股份有限公司，湖南株洲摘要在全球气候变化与能源结构转型的背景下，轨道交通系统低碳化发展已成为国 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-11 10:12

功率变革：将GaN集成到SMPS中: 硅是电子领域极具价值的材料。生长高纯度体硅，并通过掺杂实现p型与n型半导体特性的能力，是电力电子行业发展的巨大推动力，催生出低成本、高性能的开关器件。如今，几乎所有带电池或电源插头的设备中，都能见到这类 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-10 09:24

北京大学刘忠范院士＆中科院半导体所魏同波＆苏州大学孙靖宇Adv. Sci——面向柔性光电 ...: 【背景介绍】3D 异质集成正在成为推动多功能半导体发展的关键技术，尤其在柔性与可穿戴设备中展现出巨大潜力。通过将 III–V 氮化物薄膜与硅平台堆叠，不仅可以弥补硅基光源的不足，还能充分发挥 III–V 材料可调带 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-10 09:19

丰田：碳化硅长晶厚度70mm，良率超80%: 近日，丰田中央研发实验室发布了题为《用于提升碳化硅晶体厚度的PVT长晶设备置改造》论文。该团队在文中表示，他们生长出了厚度约为70mm的6英寸SiC晶体，标称良率达到80.9%。图1a：SiC晶体厚度；图1b：SiC粉料丰田中 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-10 09:16

中国SiC，卷赢了？: 碳化硅 (SiC) 因其比硅 (Si) 具有更高的击穿场强和更大的带隙，作为下一代功率半导体材料，尤其在高温高压应用领域，SiC正受到越来越多的关注。自 2000 年代以来，SiC 功率器件的研究和开发也取得了显著进展。日前， ...; 分类: 新闻通知 2025-10-9 10:01

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