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立昂微6英寸碳化硅基氮化镓，下半年将有望实现出货: 氮化镓，下半年将有望实现出货本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品通过客户验证，下半年将有望实现出货。立昂微在互动平台表示，立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品通过客户验证 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-12 09:07

12英寸的方形SiC晶圆曝光: 半导体硅晶圆厂环球晶董事长徐秀兰于开幕典礼后受访时透露，该公司将在展览中宣布开发出12吋的方形碳化硅（SiC）晶圆，昭告该公司已具备相关能力。徐秀兰表示，若改采用方形片，不只需要制程能力，还需要设备能力， ...; 分类: 新闻通知 2025-9-12 09:06

苏州纳米所纳米加工平台在β-Ga₂O₃ 垂直功率器件方面取得进展: 超宽禁带半导体（UWBG）氧化镓（β-Ga2O3）作为战略性先进电子材料凭借其8 MV/cm优异的超高击穿场强以及独特的大尺寸熔体生长优势，正迅速崛起为后摩尔时代功率电子器件的颠覆性力量。垂直结构功率电子器件通过优化 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-12 09:03

特斯拉发布SiC储能系统，MOS用量400-800颗: 9月9日，特斯拉在拉斯维加斯举行的美国RE+展上推出了全新的储能系统，采用碳化硅器件是该系统的一大亮点。据估算，该系统单机的SiC MOSFET用量可观，整个工厂的产能需要配套为432-864万颗器件。特斯拉Megapack 3采用 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-12 09:01

混合键合，大热: 混合键合，被推到了台前。在Yole最新的预测中，混合键合是先进封装中最陡峭的增长曲线。三星、SK 海力士都表示，到HBM 5时就会用上混合键合技术。目前，韩美半导体宣称砸1000亿韩元开发下一代混合键合技术；LG 电子 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-11 10:17

哈工大团队：金刚石肖特基二极管研究获新进展: 在瑞士日内瓦举行的第50届国际发明展上，哈尔滨工业大学光电薄膜与晶体团队研发的“金刚石同位素电池技术”荣获评审团特别嘉许金奖。这一奖项被誉为“金奖中的金奖”，需要全票通过才能获得，含金量极高。此次获奖项 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-11 09:52

2Q25全球牵引逆变器装机量年增19%，增程式电动车助力SiC机种普及: 根据TrendForce集邦咨询最新发布的《全球电动车逆变器市场数据》，2025年第二季受惠纯电动车(BEV)销售成长，全球电动车（注1）牵引逆变器装机量达766万台，年增19%。从动力模式分析，BEV的装机比例为52%，继2024年第 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-11 09:29

中科大:龙世兵教授团队打造电控可调Ga₂O₃深紫外GAA光电晶体管: 中国科学技术大学龙世兵教授，赵晓龙教授，侯小虎副研究员等人发表了题为“Tunable Superlinear Gallium Oxide Gate-All-Around Deep-Ultraviolet Phototransistor for Near-Field Imaging” 的工作于ACS Nano期刊上 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-11 09:26

5000字长文讲透，你可以这样优化SiC栅级驱动电路: 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-10 09:27

对β-Ga₂O₃与β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃的块 ...: 由德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing发布了一篇名为 Current Status of Bulk β-Ga2O3 and β-(AlxGa1-x)2O3 Crystal Growth（β-Ga2O3 与 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-10 09:24

星钥半导体8英寸硅基氮化镓Micro-LED芯片中试线在光谷通线: 9月8日上午，星钥半导体微型发光二极管（Micro-LED）生产线在光谷正式通线，成为国内首条8英寸硅基氮化镓Micro-LED芯片中试线。市委常委、东湖高新区党工委书记沈悦，星钥半导体（武汉）有限公司创始人骆薇薇出席通 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-10 09:19

发力化合物半导体，合肥高新区出台新方案！: 近日，合肥高新区出台《合肥高新区化合物半导体产业发展实施方案》。主要目标是围绕碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(lnP)及氧化镓(Ga203)、金刚石等材料，到2027年，合肥高新区形成以衬底和外延材料 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:48

国联万众8英寸晶圆产线成功通线: 近日，位于中关村顺义园的第三代半导体领军企业——北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）成功实现8英寸碳化硅（SiC）芯片晶圆工艺线通线。这一技术突破标志着我国在第三代半导体领域取得了重要进 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:45

宽禁带科技论|芯三代： 8英寸晶圆上生长4H-SiC外延层及重复性研究: 引言第三代半导体碳化硅(Silicon Carbide, SiC)材料从2英寸、3英寸、4英寸到6英寸的发展历程，已经证明了扩大尺寸可以显著提升SiC芯片和器件生产的经济性，目前碳化硅产业已经在推动开发8英寸晶圆，晶圆直径增加50m ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:34

【APCSCRM 2025】Registration is now open!: 分类: 公告通知 2025-9-9 09:31

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