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Coherent 扩展碳化硅平台，300 毫米产能瞄准 AI 与数据中心散热需求: 全球光学与半导体材料厂商Coherent 高意（NYSE: COHR）近日宣布，其新一代300 毫米碳化硅（SiC）平台取得重要进展。该平台面向人工智能（AI）与数据中心基础设施的高功率、高功率密度应用需求，重点提升散热效率与系 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-9 09:43

氮化镓上车进行时：从器件特性到系统效率的全面验证: 2025年12月，汇川联合动力与英诺赛科共同宣布，采用650V氮化镓的新一代6.6kW车载充电系统在长安汽车成功装车。这标志着氮化镓技术在中国新能源汽车领域迈出关键一步。该系统将车载充电器与车载直流变换器高度集成， ...; 分类: 新闻通知 2026-1-9 09:38

颠覆认知：高位错密度≠高漏电，GaN-on-Sapphire商业化的真相: 异质外延带来的高位错密度通常是漏电流的噩梦。然而，一项最新的研究通过精细的MOCVD生长控制和独特的拉曼光谱表征方法，给出了令人意外的答案：即便位错密度高出两个数量级，我们依然可以获得极具竞争力的反向漏电 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-9 09:36

超4亿，又有3家SiC企业获融资: 在新能源汽车、AI 数据中心等下游需求的强劲驱动下，碳化硅凭优异的材料特性正持续获得资本青睐。近日，又有3家SiC企业官宣融资动态：致瞻科技：完成近3亿元C轮融资，再深化碳化硅布局；芯联动力：完成新一轮战略融 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-8 09:48

中国科学技术大学龙世兵教授团队：具有高响应度和快速响应速度的a-SnOₓ/β-Ga&# ...: 由中国科学技术大学龙世兵教授的研究团队在学术会议2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)发布了一篇名为 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-8 09:46

Wolfspeed实现12英寸SiC突破: 1月5日，据Power Electronics International官网报道，Wolfspeed已成功演示12英寸SiC单晶衬底，这代表着其向下一代计算平台、沉浸式 AR/VR 系统以及高效电源设备发展迈出了一大步。Wolfspeed首席技术官Elif Balkas表 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-8 09:41

电感降低44.6%！西安交通大学研究团队提出一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳 ...: 导语多芯片碳化硅功率模块具有理论上极其优异的特性，然而传统功率模块的结构与布局引入了较大的寄生电感，产生较大的开关过冲与振荡，进而难以体现其理论上的优越性。西安交通大学研究团队在《电工技术学报》2025年 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-8 09:21

武汉大学招收半导体材料和先进封装协同设计方向博士后等研究人员: 武汉大学动力与机械学院、集成电路学院郭宇铮教授、张召富教授团队招收电子封装、先进封装工艺、集成电路微纳制造、人工智能/AI4S等方向的博士后等研究人员。课题组团队已获得基金委、中组部与武汉大学重点资助。团 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-7 09:54

碳化硅功率模块可靠性：Wolfspeed的功率循环与寿命建模方法: 碳化硅功率模块可靠性：Wolfspeed 的功率循环与寿命建模方法Mauro Ceresa，Wolfspeed 现场应用工程高级总监Robert Shaw，Wolfspeed 功率模块可靠性高级经理引言碳化硅 (SiC) 功率器件在汽车、可再生能源、工业电动交 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-7 09:51

湖北九峰山实验室首席专家魏强民、北京怀柔实验室、华中科技大学：β-Ga₂Ò ...: 由湖北九峰山实验室首席专家魏强民、北京怀柔实验室、华中科技大学的联合研究团队在学术会议 2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semico ...; 分类: 新闻通知 2026-1-7 09:12

【招聘】惠丰钻石压机事业部高薪诚聘！五险一金+多项福利+清晰晋升，寻找最“压”轴的 ...: 与强者同行，与压力共舞我们不只是制造设备，更在塑造行业未来惠丰钻石压机事业部，期待你的加入！如果你热爱技术，追求卓越如果你渴望在高温高压的领域里大展拳脚那么，这封邀请函正是为你而来！惠丰钻石压机事业部 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:53

300mm氮化镓，全球首发: 在IEDM 2025上，英特尔首次展示了一种基于300mm硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。该氮化镓Chiplet技术具有以下特点：业界最薄的氮化镓Chiplet，其底层硅衬底厚度仅为19μm，取自完全加工、减薄和单晶化的300mm硅 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:47

【IEDM 2025】北大团队提出 Punch Through GaN HEMT: E-Mode p-GaN Gate Punch-Through HEMT with Robust Non-Destructive Drain Breakdown作者团队：Maojun Wang, Kevin J. Chen, Bo Shen, Jin Wei所属单位：北京大学集成电路学院（School of Integrated Circuits, Pek ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:40

onsemi：碳化硅 MOSFET 到底难在哪？: 在功率半导体的技术地图上，碳化硅（SiC）不再是“下一代”，它正迅速成为“主流选择”。过去十年，SiC MOSFET 技术从材料探索走向大规模量产，从高昂“实验品”走向电动汽车核心部件。在这个过程中，技术与成本的双 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:15

【行业人才招聘】镓仁&浙大︱博士后招聘启事: 一、工作站简介杭州镓仁半导体博士后工作站联合浙江大学博士后流动站。博士后研究工作主要针对氧化镓材料进行系统研究，攻克研发过程中遇到的技术难题，推进企业技术创新步伐，推动与浙江大学更深层次的人才交流和技 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-5 10:13

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