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安森美：AIDC的SiC收入将上涨60%: 8月4日，安森美（onsemi）发布2026财年第二财季财报。该季度其总营收为16.04亿美元（折合人民币约115.5亿元），同比增长9.18%；归母净利润2.27亿美元，同比增长33.18%；自由现金流4.25亿美元，同比激增三倍以上。其 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-5 09:09

GaN，打开新篇章: 功率型氮化镓（GaN）器件的普及应用主要得益于其更高的效率、更大的功率密度、双向传输能力以及系统级成本的降低。随着这些优势的应用范围从消费电子领域扩展到基础设施、汽车、能源和工业等其他领域，预计到2031年 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-5 09:07

武汉大学刘胜院士团队揭示BN₂缺陷形成路径，为n型金刚石半导体提供新方案: 文章亮点团队系统分析BN₂共掺杂金刚石的形成路径、热稳定性及电子结构；理论计算表明BN₂具有0.132 eV浅施主电离能，具有实现n型掺杂的潜力；揭示不同BNx（x=1–4）缺陷复合体的稳定性差异及应变效应。研 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-5 09:01

米格实验室完成新一轮融资，加速半导体检测服务全国化布局: 米格实验室（北京聚睿众邦科技有限公司）正式宣布完成新一轮战略融资。本轮融资由北工投领投，亦庄国投跟投。所募资金将主要用于公司在全国范围内的实验室网络扩建、高端检测设备采购及核心技术研发投入，进一步巩固 ...; 分类: 联盟动态 2026-8-5 09:00

工业驱动器正加速转向宽禁带材料: 硅基IGBT器件在工业设备领域已占据标准地位长达三十年，主要得益于其成熟的制造生态、在恶劣环境中的可靠性验证以及较低的每安培成本。那么，行业为何开始偏离这一长期标准？答案在于材料物理特性。碳化硅和氮化镓突 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-4 09:30

宽禁带紫外雪崩光电二极管在极弱光探测领域展现优越发展潜力: Advanced Photonics 2026年第2期文章：Hoon Jeong, Zhiyu Xu, Davide Balzerani, Alexandra Dolgashev, Theeradetch Detchprohm, Paul Doug Yoder, Adam Nepomuk Otte, Russell D. Dupuis, "Development of wide-b ...; 分类: 新闻通知 2026-8-4 09:29

沃尔德陈继锋：突破“硬度”单一认知，金刚石开启多元产业新赛道: 大众对金刚石的固有认知，大多局限于“质地坚硬”的特性，但在沃尔德董事长陈继锋看来，这仅是金刚石工业价值的冰山一角。伴随AI算力、高端PCB、半导体加工、新能源汽车等新兴产业快速迭代，金刚石功能材料的应用边 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-3 09:39

派恩杰全国首发碳化硅铜互连封装工艺: 派恩杰今天上午在官微发了一篇文章，展示了他们首发的碳化硅铜互连封装工艺，今天我找了几个行业的专家朋友对这篇文章展示的技术和工艺情况做了交流，下面这篇我也把交流到的一些观点给大家分享一下。派恩杰这篇文章 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-3 09:27

金刚石功率半导体：不只是散热，还能做芯片: 金刚石在电子产业中的身份正在转变。长期以来，业界关注的是其22W/cm·K的极端热导率，将其定位为散热衬底。但金刚石同时具备超宽禁带（5.47eV）、极高击穿电场（~10MV/cm）和优异载流子迁移率，这些本征半导体特性 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-31 09:52

2026年及以后的SiC与GaN: 根据TrendForce的数据，2026年第一季度碳化硅已应用于117万台电动汽车牵引逆变器，占全部出货量的17.2%。Yole Group预测，到2031年功率SiC器件市场规模将达到110亿美元。功率GaN在2024年创造了3.55亿美元的收入，预 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-31 09:33

科技论|κ-Ga₂O₃/GaN HEMT的性能与p-GaN栅极常关型操作研究: 2026-07-31 08:36·宽禁带联盟近日，无锡学院张燕芳团队在学术期刊发表研究论文“Performance of κ-Ga₂O₃/GaN HEMTs and Normally off Operation by p-GaN Gate”，通过数值模拟系统研究了κ-Ga₂ ...; 分类: 新闻通知 2026-7-31 09:22

项目申报丨江苏省科技厅组织开展技术创新中心申报工作: 关于组织开展2026年度江苏省技术创新中心建设工作的通知苏科资发〔2026〕114号各设区市科技局、财政局，各有关单位：为深入贯彻党的二十大和二十届历次全会精神，认真落实省委、省政府部署要求，加快建设高水平科技 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-30 09:24

全GaN还是SiC JFET？数据中心800V IBC路线分歧: 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近英诺赛科推出了一款全GaN的12kW 800V-50V数据中心HVDC供电方案，这款方案的核心参数颇具代表性。满载效率98.2%、峰值效率突破98.6%；功率级尺寸仅60mm×124mm×11mm，变压器、电感 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-30 09:21

技术突破！云天半导体携手厦门大学、华为攻克金刚石散热晶圆键合难题: 2026年第76届IEEE ECTC国际会议上，厦门云天半导体联合厦门大学AP-IS实验室、华为技术有限公司共同研发的4英寸多晶金刚石晶圆集体键合技术取得关键进展，为超高导热金刚石散热材料规模化应用奠定坚实基础。在算力产 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-30 09:17

【科研速递】首款垂直GaN/NiO超结肖特基二极管采用异质结p型掺杂实现1100V击穿电压: 超结概念在宽禁带功率器件中的最新应用进展显示出改善基本器件性能指标的潜力。尽管垂直GaN器件的规模化制造平台仍面临重大挑战，本文总结了垂直GaN超结肖特基二极管的研究工作，该工作可为后续开发和最终量产奠定基 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-30 09:14

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