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Yole报告 2025-2031年功率器件市场CAGR达7.1%，中国玩家加速崛起: 7月7日，Yole Group发布最新报告《Status of the Power Electronics Industry 2026》。报告指出，全球电力电子行业在经历了多年由电气化和可再生能源驱动的快速扩张后，正进入一个更为复杂的阶段——产能过剩、价格 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 14:01

SiC成光储“标配”？华为、海尔等集中采用: 近期，华为数字能源、中车株洲所、海尔新能源、海博思创、林洋储能等光储企业在业界展会上集中发布了基于碳化硅技术的最新产品。这表明碳化硅正加速渗透光储应用领域，从组串式储能平台到工商业储能柜，碳化硅已成提 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 14:00

昕感科技与蔚来达成合作！联合布局车规碳化硅技术: 7月6日，碳化硅功率半导体企业昕感科技与新能源汽车企业蔚来在无锡签署战略合作协议，并宣布共建“车规功率半导体联合实验室”。此次合作不仅标志着双方将在车规级碳化硅功率器件领域展开深度协同，也反映出新能源汽 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 13:55

深圳平湖实验室两项氮化铝功率器件指标刷新全球文献纪录: 近日，深圳平湖实验室氮化铝研发团队，在氮化铝（AlN）功率器件研发领域取得重要进展，通过核心工艺优化实现关键性能跃升，两类核心器件指标双双刷新全球公开文献报道纪录，为我国超高压、极端环境电力电子装备发展 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 13:53

瞻芯电子招募海外 Foundry Sales & Customer Service，拓展全球市场: 中国领先的碳化硅功率半导体（IDM）和芯片商——瞻芯电子，为进一步拓宽海外渠道、完善一站式商务与销售服务水平，支撑海外业务长效增长，现面向业界招募海外销售客户服务相关人才。Application Address/投递地址 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-8 13:09

氧化镓全景解读 | 氧化镓衬底产品盘点：类型与供应格局: 在氧化镓产业链中，衬底是外延生长、器件制备与性能验证的起点，也是决定后续产业化进程的关键基础。随着β-Ga2O3单晶制备技术不断成熟，全球氧化镓衬底供应正逐步从小尺寸科研样品，向多晶向、大尺寸、可定制、可外 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-8 12:03

《碳化硅单晶切割片》等三项团体标准正式发布: 2026年7月7日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《碳化硅单晶切割片》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和(-1-1-1)C面的检测方法》三项团体标准。上述标准 ...; 分类: 公告通知 2026-7-8 12:01

是德科技与稳懋半导体携手合作，降低氮化镓单片微波集成电路风险: 联合设计流程可大幅降低 5G、卫星及国防领域产品的流片制造风险是德科技与稳懋半导体联合推出一套一体化单片微波集成电路设计流程，助力氮化镓芯片设计企业实现一次流片即成功的研发目标。这套一体化设计平台将片上 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:50

国家重点新材料研发及应用科技重大专项2026年度第二批项目申报: 关于组织申报重点新材料研发及应用国家科技重大专项（科技创新2030重大项目）2026年度第二批项目的通知发布时间：2026年07月03日来源：新材料重大专项专项办各有关单位：根据重点新材料研发及应用国家科技重大专项 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:47

宽禁带科技论|单晶4英寸超薄氧化镓及其日晷启发的高维日盲光电探测超系统: 近日，东北师范大学刘为振、徐海洋团队与新加坡国立大学仇成伟团队在《Nature Communications》发表研究论文，报道了一种液态金属辅助合成与转移单晶、4英寸、超薄β-Ga₂O₃的方法。所制备的β-Ga₂ ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:46

onsemi访谈：欧洲SiC设计周期比中国慢一倍，GaN和SiC是互补关系: PCIM Europe 2026期间，Power Electronics News与onsemi欧洲销售与运营副总裁Sam Francis进行了一场对话。话题覆盖SiC在中欧汽车市场的采用差距、GaN与SiC的互补定位、垂直GaN的应用方向等。onsemi在PCIM上展示了从M ...; 分类: 新闻通知 2026-7-6 09:40

上海临港发布第四代半导体三年行动方案：氧化镓、金刚石、氮化铝: 7月2日，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会正式印发《第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案（2026-2028年）》（沪自贸临管委〔2026〕48号）。方案聚焦以氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石（C） ...; 分类: 新闻通知 2026-7-6 09:36

742GHz超高频率45纳米GaN HEMT问世，庆北大学突破射频器件性能天花板: 在2026年6月22日举办的VLSI技术与电路研讨会上，韩国庆北大学研究团队对外发布了一项极具行业突破性的射频半导体研究成果，一款依托IVWorks reGaN工艺技术研发的45纳米氮化镓高电子迁移率晶体管器件正式亮相，该器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-2 10:04

SiC MOSFET 芯片解说— 看懂结构图中的栅极下方的P⁺，P shielding: 上次聊了P-base（P基区）旁边的P⁺——它的作用是防止寄生三极管导通。SiC MOSFET 芯片结构解说：— 看懂结构图中的P base中的 P⁺，炸管元凶之一芯片结构图里还有另一个P⁺，位置在栅极下方，如下图 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-2 10:02

氧化镓MOSFET：界面为何至关重要: 得益于超宽禁带特性以及原生衬底的可用性，β-Ga₂O₃正从一种令人关注的实验室材料，逐步成为下一代功率电子领域一个值得认真对待的技术选项。对于致力于这一目标的研究人员和技术人员来说，核心问题已不 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-2 09:31

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