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【APCSCRM 2026】注册开启！第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议: APCSCRM 2026第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议2026.11.25-27随着新能源汽车800V高压平台快速普及，AI数据中心单机架功耗向百千瓦乃至兆瓦级演进，传统硅基器件在耐压、损耗、频率与热管理上的物理边界日益临近， ...; 分类: 公告通知 2026-9-14 09:34

西安电子科技大学在耐高温GaN功率器件与电源封装方面取得进展: 近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授、赵胜雷教授团队在氮化镓（GaN）功率电子领域取得两项重要突破，相关成果发表于领域知名期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》《IEEE Transactions on Electr ...; 分类: 新闻通知 2026-9-14 09:25

北大团队攻克氮化镓p型掺杂难题实现互补逻辑电路单片集成: 作为新一代宽禁带核心材料，氮化镓半导体凭借优异的电学性能，已然成为功率变换、射频电子等高端领域的核心材料，是下一代高频、高温、高效率电子系统的重要支撑。不过长期以来，p型掺杂技术瓶颈始终桎梏着氮化镓互 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-14 09:17

欢迎新成员——深圳钻耐科思科技有限公司: 深圳钻耐科思科技有限公司（DiamNEX）成立于2025年，由香港大学孵化，落地深圳市前海深港青年梦工场，是一家专注于金刚石薄膜材料研发、生产及商业化应用的高科技企业，致力于成为金刚石半导体与量子材料领域的技术 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-14 09:17

十年前牵手Element Six，如今RFHIC推出金刚石散热: 9月1日，韩国射频与微波半导体企业RFHIC宣布推出全新的热级CVD金刚石散热产品系列DiaFlux™，主要面向高功率RF、微波、光电子及半导体封装等应用。按照公司计划，完整产品规格及产品页面将于9月8日正式上线。从 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:26

金刚石衬底+特斯拉阀：大功率 GaN 器件散热新方案: 随着半导体技术快速发展，电子元器件微型化与高集成化使功率密度逐年攀升。以氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的大功率器件需求不断增长，热管理已成为关键挑战—研究表明，过高温度约占电子器件失效原因的 5 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:17

新增4起SiC合作！涉及芯联/理想/英飞凌等: 近日，业内又有4家企业达成SiC合作，主要围绕新能源汽车、SST、机器人等领域展开：芯联集成：与理想汽车签订新一轮战略合作协议，双方共同见证8英寸碳化硅晶圆成功下线；英飞凌：与Skeleton Technologies、伊顿围绕S ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:10

赛米控丹佛斯：三位一体，抢占AIDC新赛道: AIDC是今年SiC功率半导体最火热的赛道。从UPS设备、服务器电源到固态变压器，几乎所有功率半导体企业都在讲同一个新故事，赛米控丹佛斯也不例外。PCIM Asia展会期间，赛米控丹佛斯中国区总经理许德慧进行了专访，她 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:09

超禁带金刚石半导体的挑战、功率器件进展与新兴恶劣环境应用: 近日，美国乔治梅森大学与北京大学团队在《Materials》期刊发表综述“Challenges, Power-Device Progress, and Emerging Harsh-Environment Applications for Ultrawide-Bandgap Diamond Semiconductors”，系统梳理 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-2 09:36

SiC需求大幅增长，订单来自哪里？: 据调研，今年以来，碳化硅产业景气度持续走高：多家企业的产品需求与订单量均实现不同程度增长，意法半导体、罗姆等国际大厂的SiC业务更交出两位数增幅的成绩单。营收上扬、订单增加、出货攀升，已成为当下SiC产业的 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-2 09:11

英飞凌SiC助力Fox ESS户用储能系统效率逼近99%，开关损耗降低70%: 8月28日，英飞凌宣布其最新的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术已被Fox ESS应用于PQ3-Ultra户用储能系统。该方案将开关损耗降低70%，帮助系统实现光伏逆变器峰值效率98.78%、电池充放电效率98.47%，双双逼近99%的 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-2 09:08

AI数据中心HVDC架构与GaN器件应用: 随着 AI 数据中心算力与功率需求快速增长，传统供电架构在转换效率、配电损耗和功率密度方面面临更大挑战。Renesas专家Marco Ruggeri 在APEC 2026专业教育研讨会上系统介绍了面向未来AI数据中心的 800V / ±400V HVD ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 14:00

SiC守着主驱，GaN先进OBC：第三代半导体的分工逻辑: 车载充电机功率电子模块碳化硅（SiC）还没在电车主驱里坐稳，另一种第三代半导体氮化镓（GaN）已经悄悄摸上了车。但它没去抢最显眼的主驱逆变器，而是先占了车载充电机（OBC）这块"不起眼"的阵地。这里面没有运 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 13:52

薄p-GaN欧姆接触形成工艺：亚10nm镁沉积+短时退火实现低接触电阻: 科研速递、近日，来自日本名古屋大学、美国康奈尔大学、伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校、麻省理工学院、香港城市大学和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的国际联合研究团队，提出了一种改进的薄p型氮化镓欧姆接 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 13:49

Si掺杂β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ MESFETs的制备与性能研 ...: 近日，美国海军研究实验室及多所高校联合团队在期刊《APL Electronic Devices》发表研究，成功开发了基于超宽禁带（UWBG）β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃沟道的金属-半导体场效应晶体管（MES ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 13:47

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