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AI算力电源迭代提速宽禁带器件成刚需，MPS方案抢占算力电源赛道: 随着AI算力产业高速迭代，数据中心单机柜功率正式迈入兆瓦级时代，800V高压直流、48V中间母线架构全面普及，为电源系统带来全新挑战。在此背景下，SiC、GaN等宽禁带器件彻底摆脱可选升级的定位，成为AI算力电源的核 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-14 10:31

4英寸蓝宝石衬底上实现10 μm高质量、无裂纹的氮化铝薄膜: 氮化铝（AlN）凭借其优异的光学透过率、宽带隙（约 6.2 eV）和卓越的热稳定性等，在高效光电器件、超高压电力电子器件领域具有重要应用价值。因此，晶圆级体单晶AlN的制备备受关注，但目前仍面临严峻挑战。高温退火 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-14 10:30

立项征集| 关于征集宽禁带联盟第十批团体标准项目立项提案的通知: 各相关单位：为了推动宽禁带半导体研发、生产及应用等领域的质量标准体系建设；完善宽禁带半导体相关设备（耗材）-衬底-外延-器件-模块-应用全产业链产业共性关键技术体系；填补宽禁带半导体产业技术创新活动中形成 ...; 分类: 公告通知 2026-8-14 10:26

从公路到机架：800V电动汽车创新如何重新定义AI数据中心供电架构: 电动汽车向800V架构的转型加速了宽禁带半导体的商业化进程，带来了更长的续航里程、更快的充电速度和更高的电驱动效率。与此同时，AI数据中心正被推向越来越高的功率等级，以支持未来几代AI训练和推理。数据中心行业 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-14 10:24

宽禁带科技论|单晶碳化硅晶片化学机械抛光技术对比研究: 2026-08-14 08:58·宽禁带联盟近日，广东技术师范大学付有志团队在《人工晶体学报》发表综述论文，系统比较了单晶碳化硅晶片化学机械抛光（CMP）及其复合强化技术的研究进展。SiC硬度高、化学惰性强，实现其原子级光 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-14 10:14

超26亿！又有2家企业投建SiC项目: 近日，又有2家企业投建SiC项目，其中包括面向汽车和算力电源领域的SiC产品，意味着国内碳化硅迭代进程加快：悉智科技：2个SiC项目加速落地，合计投资20.5亿元；蓝辉科技：投资5.9亿元，在西安高陵建碳化硅材料生产研 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-12 09:54

英飞凌RIC70115深度解析：专为卫星与高可靠性空间应用打造: 8月10日，Power Electronics News发布了对英飞凌RIC70115抗辐射GaN HEMT栅极驱动器的技术解析。该器件专为卫星及其他高可靠性空间应用设计。在线上媒体简报会上，英飞凌HiRel空间产品高级营销经理Blake Soileau和产 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-12 09:53

IGBT芯片结构解说：看懂IGBT结构: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的名字听起来复杂，但从结构上看，它本质上是在功率MOSFET的基础上叠加了一层P型半导体，来引入"电导调制"效应，以降低导通电阻。理解这一点，就能理解IGBT结构的来龙去脉。本文从MOS ...; 分类: 新闻通知 2026-8-12 09:48

Wolfspeed联手光宝抢滩800V数据中心: 近期，碳化硅芯片制造商#Wolfspeed 与电源解决方案供应商#光宝科技宣布建立战略合作关系。根据双方协议，Wolfspeed的碳化硅MOSFET产品将被用于光宝科技800V DC sidecar及机架电源供应单元等平台，主要面向超大规模A ...; 分类: 新闻通知 2026-8-11 10:51

富加镓业与芯长征集团达成战略合作，氧化镓产业化迈向全链协同: 日前，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）与江苏芯长征微电子集团股份有限公司（以下简称“芯长征集团”）正式签署战略合作协议。双方将围绕氧化镓“衬底—外延—器件—模块—应用”全链路协同创新， ...; 分类: 新闻通知 2026-8-11 10:36

【科研速递】电子科技大学与深圳平湖实验室实现650V p-GaN HEMT短路性能创纪录突破， ...: 近日，电子科技大学与深圳平湖实验室的研究团队在650V肖特基p-GaN高电子迁移率晶体管上取得了创纪录的短路性能突破。相关成果发表于《IEEE Transactions on Power Electronics》。该器件在单次短路事件中实现了629微 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-11 10:35

同步整流模式下SiC MOSFET浪涌能力: 今天这篇，2026年5月新鲜出炉的文章，来自西南交通大学，主要内容是同步整流模式下SiC MOSFET浪涌能力，先介绍背景，商用SiC MOSFET器件常以体二极管作为第三象限工作条件下的续流通路，然而SiC材料特性决定，器件体 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 14:34

宽禁带科技论|德国维尔茨堡大学：首次实现室温连续波工作的碳化硅半导体微波激射器: 近日，德国维尔茨堡大学Andreas Sperlich团队在《Nature Communications》发表研究论文，首次报道了基于4H-碳化硅中硅空位（VSi）的半导体微波激射器。该工作利用有源反馈回路提升谐振腔品质因子，实现了连续波激射 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 14:30

SST的"心脏"之争：沟槽SiC vs 平面SiC，2026年路线分化加剧: 2026年，SiC MOSFET技术路线出现明显分化：三菱、博世押注沟槽，Wolfspeed、意法、安森美坚守平面。对SST整机厂来说，选哪条路线不是技术问题，是供应链安全问题。SiC MOSFET是SST的"心脏"。一台1MW级SST里，几 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 14:26

氧化镓全景解读| 外延产业化：HVPE与MOCVD的技术突破与现实挑战: 导读：我们从外延的基本概念出发，介绍了β-Ga2O3外延层在调控漂移区厚度、载流子浓度和器件电场分布方面的重要作用。外延技术连接着单晶衬底与功率器件，是β-Ga2O3材料性能转化为器件性能的关键环节。然而，从实验 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 13:55

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