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6家SiC企业披露新订单，覆盖SST、地铁等: 近期，国内外多家SiC产业链企业接连斩获订单，不仅加速导入固态变压器、轨道交通等核心应用场景，同时还推动SiC产线产能持续爬坡放量：华润微电子：在SST架构下，SiC产品已取得销售突破并获得多家客户备货订单；株洲 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:37

上海微系统所发布650V全硅基氮化镓共源级器件新方案：攻克 GaN 器件自激振荡难题: 第38届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD，IEEE The 38th International Symposium on Power SemiconductorDevices and ICs）于5月24-28日召开，该会议是全球电力电子领域最具影响力的国际学术会议，被 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:27

线性度提升1000倍！新技术打破硅基氮化镓射频瓶颈: 这项技术或将彻底改写氮化镓在射频领域的成本格局。一项新技术攻克了制约硅基氮化镓半导体在主流射频领域落地的核心性能瓶颈。半导体材料企业Atomera总裁兼首席执行官Scott Bibaud表示，该技术依托低成本硅衬底实现 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:24

GaN嵌入式金刚石中介层：MIT异构集成放大器性能创纪录: 6月8日，MIT News发布研究报道称，麻省理工学院及合作机构的研究团队将氮化镓晶体管嵌入到单晶金刚石超薄中介层中，成功解决了高功率芯片过热以及传统工艺产生寄生电容的难题。研究团队运用该技术研制出一款功率放大 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:21

AI 数据中心向 800V 直流供电转型，SiC 与 GaN 元器件供应趋紧: 英伟达（NVIDIA）下一代 AI 数据中心将转向800 伏直流（800 VDC）供电架构。这一变化正在拉动碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）元器件的需求，整个电源基础设施向更高功率密度演进。据业内人士透露，该架构是为了支持本 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-8 09:22

英飞凌发布205°C高温1300V SiC功率模块，逆变器输出电流提升15%: 2026年5月29日，英飞凌推出了一款新的1300V碳化硅功率模块，属于HybridPACK™ Drive系列，可在高达205°C的温度下连续运行。型号为FS01M9R13A7MA2B，是英飞凌HybridPACK Drive SiC模块中首款能跑在205°C的器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-8 09:21

全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付超五百万颗: 6月4日据中国电科获悉，中国电科55所自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片产品，近日已交付超五百万颗。这是全球率先实现硅基氮化镓射频芯片在智能终端规模化商用，将为空天地一体化信息网络的全域覆 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-8 09:20

GaN，加速进入工业市场: 随着电力在更多应用中取代化石燃料，系统设计人员需要能够同时处理更高源极电压以及更苛刻的短路和过压尖峰的开关和功率变换器。宽禁带半导体，例如氮化镓（GaN），对器件设计人员特别有吸引力，因为它们更高的击穿 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 10:26

800V HVDC加速落地：MPS押注AI数据中心下一代供电架构: 从SiC/GaN到高压PMIC，HVDC正在重构服务器电源产业链生成式AI爆发之后，数据中心行业正经历一场远超以往的算力扩张。从大模型训练到推理部署，GPU集群规模快速增长，单机柜功率也从过去的10kW、20kW，迅速迈向50kW甚 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 10:21

清华天津高端院：携手星元晶算，攻关氮化镓赋能人形机器人关节: 近日，星元晶算科技（深圳）有限公司与清华大学天津高端装备研究院正式完成签约，双方围绕面向人形机器人关节模组的氮化镓器件原子级制造工艺开展联合研发，标志着双方在氮化镓芯片+人形机器人关节+原子级制造前沿领 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 09:42

宽禁带科技论|高功率密度中高频变压器绝缘与散热研究进展与展望: 近日，西安交通大学王威望团队与南方电网科学研究院以《高功率密度中高频变压器绝缘与散热研究进展与展望》为题在《高电压技术》上发表综述论文。本文综述了高功率密度中高频变压器的绝缘与散热研究进展，论述了绝 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 09:31

罗姆、东芝等齐发新品：宽禁带半导体五月底迎来“AI供电”小高潮: 5月底，宽禁带半导体领域迎来了一波产品热潮，罗姆、Microchip、东芝、联动科技等公司相继公布了关于SiC和GaN的新产品，涵盖范围广泛——从功率半导体、功率模块到可靠性测试设备，这些新产品面向AI数据中心、固态变 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 14:22

氧化镓全景解读 | 氧化镓距离“超级功率器件”还有多远？: 导读：在前面几期，我们从氧化镓的材料价值、晶体结构和关键物理参数出发，逐步认识了这一超宽禁带半导体的独特优势。氧化镓性能解码：优势何来，边界何在？氧化镓全景解读| 一材多相：读懂氧化镓的五种晶体结构可以 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 14:21

800V高压时代，SiC MOSFET如何赋能新能源汽车OBC、DC-DC？: 1 市场浪潮：800V高压系统驱动SiC规模化爆发新能源汽车电池电压正在从400V向800V高压平台转换，甚至向更高电压1000V升级，已成为不可逆转的主流技术趋势，它正成为推动行业向更高性能、更高效率迈进的关键引擎。根据 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 14:00

中金研究 | SST重塑未来AIDC供电架构: SST有望成为下一代AIDC供电的优选方案伴随AI算力中心建设景气上行，叠加英伟达800V HVDC架构与绿电直连需求共振，固态变压器（SST）凭借效率高、体积小、灵活性高、预制化设计等优点，有望成为未来数据中心供电架构 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 13:58

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