中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

德国博世，斥巨资在美国建SiC工厂: 德国汽车零部件和芯片制造商博世周一表示，该公司已开始在其美国第一家半导体工厂进行样品生产，并与美国商务部最终敲定了一项价值 2.25 亿美元的协议，以加强美国国内碳化硅芯片的制造。在唐纳德·特朗普总统执政期 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:36

苏州纳米所纳米加工平台氧化镓垂直功率器件取得系列进展: 超宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）兼具高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、本征日盲紫外响应，且大尺寸单晶衬底可熔体法低成本制备的特点，近年来在功率射频电子、深紫外探测、压电铁电和智能感知等方面广受关注。国 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:31

宽禁带半导体登上院士大会讲台：江风益院士报告硅基氮化镓，V缺陷从“大害”变“大用 ...: 中国科学院学部第十届学术年会全体院士学术报告会7月10日，中国科学院学部第十届学术年会全体院士学术报告会在北京举行。500余位院士到场，7位院士围绕基础科学前沿作报告。江风益是信息技术科学部唯一一位报告人。 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:22

宽禁带科技论|GaN功率器件与转换器架构在AI数据中心中的应用：效率、可靠性与部署路径: 近日，北卡罗来纳大学夏洛特分校Donald Intal与Abasifreke Ebong在arXiv预印本平台发表综述论文“GaN Power Devices and Converter Architectures for AI Data Centers: Efficiency, Reliability, and Deployment Pa ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 10:08

从概念到量产，氮化镓全链获资本加码: 前言如果给2026年上半年的硬科技投资圈选一个关键词，“氮化镓”一定榜上有名。从年初到6月底，国内GaN赛道几乎以平均每月2起的节奏官宣融资，涉及衬底、外延、器件设计、IDM、测试设备、传感器等全链条环节。梳理下 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 09:56

用“钻石”为芯片降温，金刚石——又一个千亿级赛道: 2026年的半导体行业，一个略显“复古”的材料站到了聚光灯下——金刚石，也就是我们常说的钻石的原石。今年6月，英特尔CEO陈立武（Lip-Bu Tan）在播客节目“No Priors”上谈到，当传统制程微缩逐渐逼近物理极限，他 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 09:55

SiC功率器件产业链拆解：从6英寸到8英寸，国产翻盘与SST新战场: 碳化硅功率器件，供需反转——8英寸国产翻盘，SST才是下一个战场01 行业概览什么是碳化硅（SiC）功率器件？碳化硅是第三代宽禁带半导体材料的核心代表——击穿电场强度是硅的10倍，热导率是硅的3倍，在相同耐压下芯 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 09:43

山东大学张雷：蓝宝石图形-多孔薄膜复合衬底生长GaN单晶研究: 原文DOI：10.15541/jim20250481引用本文：SHAO H H, LI Q B, WANG S Z, et al. Research on Growth of GaN Single Crystals on Sapphire Patterned-porous Thin Film Composite Substrate. J. Inorg. Mater., DOI: 1 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 10:08

赵志斌团队在碳化硅器件高温封装及无水冷化柔直电力装备取得进展: 随着柔性直流输电技术不断发展，对以直流断路器为代表的电力装备提出了更高要求。其中的核心电力电子器件由于受到硅材料的限制，必须配备复杂的水冷系统才能保证其可靠性，严重阻碍了电力装备的小型化、轻量化与可靠 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 10:04

N-polar 射频氮化镓晶体管的未来: 在射频功率器件里，GaN 已经是“高频 + 高功率”的代表材料。今天主流 GaN HEMT 大多采用 Ga-polar 结构，工艺成熟、生态完整，也已经在基站、雷达和毫米波前端中证明了价值。但如果频率继续向 W-band、D-band 乃至 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 09:55

UCSB实现860V横向GaN超级结肖特基二极管，无需选择性外延再生长: 7月6日，Power Electronics News报道了加州大学圣塔芭芭拉分校Zachary Biegler团队在氮化镓功率器件领域的一项研究成果。该团队成功演示了一款横向GaN超级结肖特基二极管，击穿电压达到860V，且整个制备过程未采用选 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 09:48

《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》等两项团体标准正式发布: 近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》、《碳化硅用包材中金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》两项团体标准。上述标准于2026年6月3日正式发布，并 ...; 分类: 联盟动态 2026-7-13 09:22

Yole报告 2025-2031年功率器件市场CAGR达7.1%，中国玩家加速崛起: 7月7日，Yole Group发布最新报告《Status of the Power Electronics Industry 2026》。报告指出，全球电力电子行业在经历了多年由电气化和可再生能源驱动的快速扩张后，正进入一个更为复杂的阶段——产能过剩、价格 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 14:01

SiC成光储“标配”？华为、海尔等集中采用: 近期，华为数字能源、中车株洲所、海尔新能源、海博思创、林洋储能等光储企业在业界展会上集中发布了基于碳化硅技术的最新产品。这表明碳化硅正加速渗透光储应用领域，从组串式储能平台到工商业储能柜，碳化硅已成提 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 14:00

昕感科技与蔚来达成合作！联合布局车规碳化硅技术: 7月6日，碳化硅功率半导体企业昕感科技与新能源汽车企业蔚来在无锡签署战略合作协议，并宣布共建“车规功率半导体联合实验室”。此次合作不仅标志着双方将在车规级碳化硅功率器件领域展开深度协同，也反映出新能源汽 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 13:55

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 297 / 297 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部