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1200 V 已到极限英飞凌推出新一代 1400 V CoolSiC，重新定义高压裕量: 在功率半导体的高端赛道上，英飞凌持续推进碳化硅（SiC）技术的工程化落地。近日，英飞凌科技（Infineon Technologies AG）正式发布CoolSiC MOSFET 1400 V G2系列，并率先采用TO-247PLUS-4 Reflow封装形式，为新一代 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-22 10:42

SiC+GaN成核心！一文汇总英伟达800V HVDC认证厂商解决方案: AI芯片的功率在算力需求迭代的基础上，不断提高，短短几年间，英伟达的GPU从A100单个TDP 为300W（40GB）和400W（80GB），到目前GB300单芯片TDP高达1400W，这也给数据中心机架带来了新的供电压力。而为了解决数据中心 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-22 10:39

12英寸GaN！又有2家企业传来新进展: 10月20日，据“东微半导体”官方消息，其与晶湛半导体已于10月17日联合宣布达成战略合作。双方将发挥各自优势，采用主流的12英寸CMOS实验线研发12英寸硅基氮化镓HEMT晶体管，共同推进12英寸硅基氮化镓功率器件的产业 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-22 10:35

【Join APCSCRM 2025】把握宽禁带半导体前沿趋势，全球领袖汇聚郑州，11月见！: 第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）将于2025年11月25日-27日在河南郑州盛大召开。会议将以“芯联新世界，智启源未来（Wide Bandgap, Wider Future）”为主题，聚焦宽禁带半导体全产业链创新，涵盖 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-22 10:18

英伟达×意法半导体联手突破，这一项目迈入新阶段: “意法半导体”官微消息，近期，英伟达已完成对意法半导体12kW配电概念验证板的设计验证测试，该项目正式迈入生产验证测试阶段。图片来源：意法半导体中国在开放计算项目（OCP）2025峰会上，英伟达正式发布《800 VDC ...; 分类: 新闻通知 2025-10-21 09:35

SiC上车/出货1500万颗！2家企业公布车载新进展: 近日，两家SiC企业相继公布其SiC业务最新进展：华润微电子：第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。瀚薪科技：今年前三季度SiC产品总出货量2143万颗；车载产品出货量1503万颗，同比大幅增长1046% ...; 分类: 新闻通知 2025-10-21 09:34

【政策发布】国家发改委、国家能源局等六部门联合发布：充电设施服务能力“三年倍增” ...: 据中国电源产业网获悉，10月15日，国家发展改革委等部门发布关于印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案（2025—2027年）》的通知。其中，方案提出，到2027年底，在全国范围内建成2800万个充电设施，提 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-21 09:28

为什么你的SiC模块老是炸？这个细节九成人忽略了: SiC Driver CourseSiC驱动小讲堂（一）米勒钳位Introduction引言近年来，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体技术正迎来爆发式增长。SiC MOSFET 以前所未有的速度从实验室迈向产业化，凭借其高频高效、低损耗、耐高 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-20 10:51

比亚迪/特斯拉/阳光电源储能“三国杀”，SiC开启新增长曲线: 在储能市场的激烈竞争中，比亚迪、特斯拉和阳光电源这三大巨头正掀起一场技术革命。他们纷纷将碳化硅（SiC）作为核心战略支点，推动储能系统迈向更高效率、更高容量的新时代。从阳光电源的PowerTitan 3.0到特斯拉的M ...; 分类: 新闻通知 2025-10-20 09:33

国家第三代半导体技术创新中心(深圳)发布多项技术成果及服务平台: 10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心（福田）开幕，依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“深圳综合平台”）在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-20 09:20

加码SiC产能建设！又有3家企业获融资: 近日，联盟的3家成员单位宣布获得新一轮融资，分别是昂坤视觉、卓远半导体、科友半导体他们都相继完成了A+/E轮融资：昂坤视觉：完成E轮融资，今年已获3轮融资近日，昂坤视觉完成E轮融资。本轮融资由浑璞投资领投，上 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-20 09:14

对话博世汽车电子，碳化硅的竞争是全方面的，技术领先是前提，价格、服务也必须到位: 去年PCIM期间，NE时代与时任博世汽车电子事业部（以下统称博世）中国区总裁Norman Roth博士进行过深度的交流。交流的核心主题是品质和价格之间博世的选择。期间我们交流了博世第二代碳化硅芯片的特点，8英寸碳化硅的 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-16 09:42

富加镓业发布（011）面氧化镓衬底新品: 富加镓业今日正式推出新型（011）晶面氧化镓衬底产品，涵盖小片及2英寸标准规格，并全面开放 4 英寸衬底与2-4英寸外延片定制服务，丰富了公司氧化镓衬底及外延产品体系，为高压功率器件等高端应用提供关键材料解决方 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-16 09:38

南京邮电大学唐为华教授团队：共掺杂通过多重杂质能级改善InSn-Ga₂O₃探测 ...: 由南京邮电大学唐为华教授研究团队在学术期刊Science China Technological Sciences发布了一篇名为 Co-doping improves memory characteristics in InSn-Ga2O3 detector via multiple impurity energy levels（共掺 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-16 09:33

SiC MOSFET分立器件和功率模块在车载充电器应用中的性能分析: 作者意法半导体：Giuseppe Aiello、Dario Patti、Francesco Gennaro、Domenico Nardo摘要本文围绕基于SiC分立器件和功率模块的功率因数校正器（PFC）级，分析并比较了二者在车载充电器（OBC）应用中的性能。热性能因 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-15 10:23

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