中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布: 当前，新能源汽车电驱系统正向更高功率密度、更小体积与更低成本加速迈进。传统灌封与塑封模块已触及性能天花板，难以满足下一代车规主驱的严苛需求。PCB嵌入式技术应势而生——将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 10:01

SiC MOSFET：体二极管与栅氧可靠性怎样理解？: SiC MOSFET把栅控沟道、耐压漂移区和一个内建PN结放在同一纵向结构中。它导通快、耐压高，但反向电流走哪条路、栅氧为何会退化，不能只靠“宽禁带”三个字回答。读完本文，你能沿剖面说清两条导电路径，并分辨体二极 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:51

【行业人才招聘】华润微电子2027届校园招聘正式启动！: 来源：华润微电子招聘注：本文由作者原创,由联盟编辑整理。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:43

5个氮化镓项目落地，8英寸量产进程加速: 近日，又有5个氮化镓项目持续推进，值得关注的是，8英寸氮化镓的市场化进程正不断加快：格晶半导体：南充先进封测项目开工，完善IDM体系建设；京东方华灿：氮化镓产线商业化投产进程持续推进，700V产品已实现交付； ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:40

Wolfspeed推出高端200毫米碳化硅衬底: 随着碳化硅（SiC）器件产业朝着更高电压和更大裸芯片尺寸推进，材料级质量和晶圆一致性已成为关键差异化要素。Wolfspeed 的 Premium 高端 200 mm n-型碳化硅（SiC）衬底在缺陷密度、微管数量和晶圆片形稳定性等多项 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:37

理想，开放碳化硅功率模块外供！: 近期有报道称，理想汽车近期启动核心自研技术对外供应，首批开放马赫智驾芯片、斯科半导体碳化硅功率模组以及整套增程系统，部分板块已完成独立实体拆分，尝试以技术外供开辟新的收入来源。芯片方面，理想为马赫芯片 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:11

3家SiC企业获新订单，单笔金额超6亿: 近期，又有3家碳化硅头部企业获得新订单：瀚天天成：获得国际客户增购SiC外延片，订单金额约6.46亿元；意法半导体：与SST企业DG Matrix合作，为其提供SiC功率器件以及技术协同开发；罗姆半导体：SiC器件被宝马汽车应 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:10

颠覆SiC晶圆研磨！中国团队用摩擦热，切黄油一样加工碳化硅晶体: 碳化硅（SiC）是第三代半导体核心材料，可耐受超高电压。但长期以来，如何将碳化硅晶锭加工成镜面级晶圆，一直是行业难题。传统加工方式极易在晶体表面产生微裂纹，这些微小缺陷会直接导致芯片失效。燕山大学黄水泉 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:09

长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布: 当前，新能源汽车电驱系统正向更高功率密度、更小体积与更低成本加速迈进。传统灌封与塑封模块已触及性能天花板，难以满足下一代车规主驱的严苛需求。PCB嵌入式技术应势而生——将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:06

海外技术项目对接丨Ga₂O₃垂直沟槽MOSFET技术寻求产业合作: 海外技术项目对接项目编号：2026D-0038项目方向：氧化镓功率器件技术名称：用于增强电源管理的 Ga₂O₃ 垂直 MOSFET技术阶段：TRL 6合作方式：技术转让、技术许可、合作研发项目简介美国纽约州立大学布法 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-28 13:38

2款最新碳化硅模块拆解，什么水平？: 今年，日本有2款碳化硅模块值得关注，分别来自日本电装的PowerCard双面水冷塑封模块，以及三菱电机和罗姆参与的“羽毛”逆变器模块。电装PowerCard改用水平放置设计采用740A大尺寸SiC MOSFET2026年，丰田汽车在碳化 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-28 11:56

SiC双向高压晶体管破局：为何单芯片双向导通这么难？: 用两颗功率管背靠背串联来实现双向开关，是电力电子工程师无奈妥协了数十年的“老规矩”。当横向碳化硅双向场效应晶体管走入现实，这个单片集成突破正在掀起功率器件的结构重塑。物理机制的天然枷锁：体二极管的单向 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-28 10:49

汇川/中车齐发力，碳化硅“飞”入eVTOL: 与固态变压器类似，电动飞行器（eVTOL）也几乎是碳化硅功率器件的专属市场，同样具有巨大的发展潜力。2026年，碳化硅在eVTOL领域的发展势头也明显加快，从电推进系统/电驱企业，到碳化硅模块企业，均有相关合作落地 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-24 10:08

2项新技术，12英寸碳化硅降本新解法: 近期，全球12英寸碳化硅产业化进程持续提速，其应用场景持续拓宽，包括功率半导体、AR眼镜光波导、AI芯片先进封装等新兴热门领域，发展潜力巨大。不过，12英寸碳化硅成本是制约规模化普及的关键瓶颈之一。据调研，当 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-24 10:03

观察｜SiC路线之争何时终局？汉磊：平面路线投票+1: 9月21日，汉磊宣布推出新一代Gen5 SiC DMOS技术平台，透过通道工程及结构微缩，进一步降低导通电阻并提高功率密度，锁定电动车、AI资料中心800V高压直流供电、储能及智慧电网等应用。汉磊表示，新一代Gen5 SiC DMOS ...; 分类: 新闻通知 2026-9-24 09:54

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 306 / 306 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部