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氮化镓，全面起飞: 2026年3月，当全球半导体产业仍在后摩尔定律的迷雾中探索前行时，氮化镓（GaN）正以惊人的速度从“替代技术”蜕变为“必需技术”。Yole与集邦咨询的最新数据为这一判断提供了坚实注脚：2026年全球GaN功率器件市场规 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-23 09:36

钻石也能发电？压电金刚石薄膜问世，颠覆认知！: 近日，在瑞士日内瓦举行的第51届国际发明展上，DiamNEX公司创始人褚智勤教授领衔的科研团队凭借“压电金刚石薄膜(Piezoelectric Diamond Membranes)”项目斩获金奖。继2024年凭借“边缘暴露剥离法量产金刚石薄膜”技 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-23 09:34

2025全球人形机器人出货14500：量产拐点已至，GaN迎来黄金发展期: 2025全球人形机器人出货破14500台：量产拐点已至，GaN迎来黄金发展期作为具身智能落地的核心载体，人形机器人正从实验室研发、工业场景试用到规模化量产加速迈进，成为全球科技产业与半导体产业链共同关注的超级增量 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-23 09:30

SiC驱动下的SST商业化进程：如何重塑AI时代电力系统的底层架构？: 2026年初，全球科技与能源领域的两条消息，将一项此前相对小众的技术推至产业前台。一是，英伟达在其官方技术白皮书中明确，自2026年起，所有适配GB300系列算力集群的AI智算中心，必须采用固态变压器实现10kV交流至8 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-23 09:28

一文了解7种主流的SiC MOSFET架构: SiC MOSFET满足了电力电子行业对更高效率、更高功率密度以及在极端温度下运行的要求，其应用领域涵盖电动汽车（EV）牵引逆变器、可再生能源系统和工业电源。本文将深入讨论不同的SiC MOSFET架构方案。MOSFET作为开关 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-20 09:38

冲刺万亿美元订单，英伟达800VDC生态链亮相: 3月16日，2026英伟达GTC大会拉开帷幕。在这场由英伟达主办的全球顶级AI盛会中，黄仁勋不仅抛出多个重磅信息，还进一步透露其800VDC数据中心的建设进展：AI业务进展：推出下一代Vera Rubin芯片及Kyber机架，单柜功率 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-20 09:35

氮化镓激光器，第三代半导体百亿规模新赛道: 这是一个国产化率仅5.6%的百亿赛道，更是一个正在打开的战略性窗口。2024年全球市场规模17.4亿美元，2030年将突破42.9亿美元，年复合增长率17%。本文将从产业概览、技术攻坚、应用场景、市场格局、主要企业五大维度 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-20 09:32

【SEMICON China】宽禁带联盟在N2-2101等你！现场好礼不断，惊喜连连~: 宽禁带联盟邀您参加SEMICON China2026年3月25日-27日宽禁带半导体技术创新联盟邀您参加上海国际半导体展览会SEMICON China 2026展位号：N2-2101展馆地址：上海新国际博览中心（SNIEC）详细地址：上海市浦东新区龙阳 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-20 09:26

氮化镓｜低压GaN转换器栅极驱动和测量: 作者：Kurk Mathews，高级应用经理；Luis Onofre Lazaro，应用工程师摘要本文讨论了应用氮化镓场效应晶体管(GaN FET)时，对栅极电压进行精准控制和对栅极参数进行高精度测量的必引言氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:28

研报 | 2025年第四季度全球电动车牵引逆变器装机量创新高: 根据TrendForce集邦咨询最新电动车牵引逆变器研究，2025年第四季因纯电动车(BEV)销量较前一年同期成长，带动全球逆变器市场装机量攀升至965万台左右，创近两年新高，反映出电动化趋势与单车电驱系统搭载率持续提高。 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:25

美国桑迪亚国家实验室在AlN基AlGaN射频与横向功率晶体管领域取得突破性进展: 超宽禁带（UWBG）AlGaN合金（Al组分 xAl 0.50）因其固有的高临界电场强度，以及由此产生的、优于当前GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的约翰逊优值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高频（ 90 GHz）射频 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:24

Smart Cut™ SiC衬底工艺研究: 今天这篇，2026年新鲜出炉的文章，来自Soitec公司，主要内容是研究Smart Cut™ SiC衬底工艺，先介绍背景，过去数年，电动汽车市场的快速增长给SiC衬底供应链带来了巨大压力，尽管SiC器件是各类绿色技术的核心部 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:23

氮化镓与英伟达的800V数据中心愿景: 随着人工智能的飞速崛起及其配套数据中心的广泛部署，数据中心的设计模式正在发生根本性变革。这种变化不仅体现在计算密度和散热需求上，更深入到了电力传输的底层架构。过去，单个机柜的功率仅为几十千瓦，而现在正 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:21

西电、武大、青禾晶元联合突破：GaN-on-Diamond技术获重要进展: 随着5G通信、雷达、电动汽车以及航天等领域的发展，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）正成为高频、高功率器件的核心。然而，随着功率密度不断提升，自热效应已成为制约器件性能的关键瓶颈。在所有散热材料中 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:19

SK｜8英寸SiC foundry怎么做？: 最近，SK keyfoundry发布新闻称：宣布完成 SiC Planar MOSFET 工艺平台，电压覆盖 450V–2300V；并拿到新客户 1200V SiC MOSFET开发订单，标志其“全规模进入”SiC foundry。同时SK keyfoundry把良率90%和定制化工 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:18

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