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下级分类: 公告通知|联盟动态

西电郝跃院士、张进成教授团队：用于可集成温度传感应用的β-Ga₂O₃肖特基 ...: 由西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Electron Devices发布了一篇名为Characterization of β-Ga₂O₃ SBDs for Integrable Temperature Sensing Applicatio ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:31

400V SiC没有更强，它只是让电源系统重新分配了电压与损耗: 真正决定AI电源效率的，不是材料升级，而是电压被“切碎”的方式。大多数人看到这份资料时，第一反应是：400V SiC MOSFET比650V更先进，所以效率更高、功率密度更好。但资料真正指向的不是“器件升级逻辑”，而是拓 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:13

国创中心（苏州）大尺寸碳化硅激光隐形切割技术取得重大技术突破: 近日，由江苏第三代半导体研究院有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）承担的江苏省集萃研究员项目“六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术研发”取得重大技术突破。该技术在碳化硅晶锭切割效率、良率、损伤控 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:08

美的、长虹、科沃斯：采用GaN赋能家电: 近期，氮化镓在家电领域的应用持续提速，覆盖影音显示、厨电、家用清洁机器人等多个细分场景：美的：新款油烟机搭载GaN感应芯片，实现节能高效、极速响应；长虹：两款旗舰电视搭载GaN超薄电源，助力产品向轻薄化升级 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-13 11:12

深度解析| Wolfspeed中高压SiC器件在固态变压器中的应用: 今天这篇，2026年4月新鲜出炉的文章，来自Wolfspeed，主要研究中高压SiC器件在固态变压器中的应用。先介绍背景，AI兴起是科技领域近年最重要的趋势，对各行各业正在产生深远影响，3月份黄仁勋曾有一篇文章，“AI is ...; 分类: 新闻通知 2026-4-13 11:06

南邮唐为华教授联合内蒙古大学及山西工程技术学院团队：基于有机-无机范德瓦尔斯异质 ...: 由南京邮电大学唐为华教授、李山副教授、内蒙古大学刘增研究员、山西工程技术学院的研究团队在学术期刊《物理学报》发布了一篇名为Self-powered solar-blind photodetector and single-pixel optical imaging based ...; 分类: 新闻通知 2026-4-10 09:37

SiC迎来AI先进封装第二个“赛道”，规模不容小觑: 最近，国外有2家企业/机构正尝试在HBM芯片的先进封装领域采用碳化硅衬底，这是继碳化硅中介层之后的另一个新的机会。今天，我们跟大家分析以下3个话题：HBM内存TCB键合设备为什么要有碳化硅衬底？碳化硅衬底在键合设 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-10 09:28

第三代半导体器件电应力诱发参数不稳定性研究: 本文聚焦第三代半导体器件产业化与测试方法协同发展，介绍了相关团队与华峰测控紧密合作，将创新理念成功转化为落地产品，并完成了全新测试设备的开发，有力推动了SiC器件从无到有、从有到优的跨越式发展。文章指出 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-9 10:16

芯课堂 | 为什么你的 SiC MOSFET 发热严重？可能是反向恢复没做好: SiC MOSFET作为第三代宽禁带功率器件凭借高效、高频、高可靠的优势广泛应用于新能源汽车电驱动、工业逆变器、车载充电机等高压高频场景其集成的体二极管（寄生PN结）反向恢复特性是影响器件开关损耗系统电磁兼容性（ ...; 分类: 新闻通知 2026-4-9 09:47

低粗糙度刻蚀工艺新突破，深圳平湖实验室揭示氧化镓SBD性能调控机制: 深圳平湖实验室第四代材料器件研究团队和南方科技大学化梦媛副教授研究团队合作在《Journal of Vacuum Science Technology A》国际期刊上发表题为“Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Low Surface Ro ...; 分类: 新闻通知 2026-4-9 09:42

宽禁带科技论| 突破氮化镓性能边界：超结结构赋能1万伏增强型氮化镓器件: 当前，氮化镓功率器件技术已日益成熟，并在消费电子市场取得了可观的销售成绩。这类器件电压阻断能力强普遍应用于数百伏电压场景，其中尤以650V增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）的应用最为广泛。然而，在更高电压的 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-9 09:40

被严重低估的MOCVD：它才是第三代半导体GaN爆发的真正引擎: 前言：聚光灯打错了地方每当有人问"第三代半导体的核心设备是什么"，十个人里有九个会脱口而出：光刻机。这个答案没有错，但不完整—对于GaN这条赛道而言，它打错了地方。在这里，主角不再是光刻机，而是主导材 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-8 09:27

提前两年，罗姆宣布达成 8 英寸 SiC MOSFET 技术目标: 2026年4月2日，罗姆宣布其“8英寸下一代碳化硅（SiC）MOSFET的开发”项目已达到技术目标。该项目是新能源产业技术综合开发机构（NEDO）绿色创新基金资助的项目，已于2025财年完成研发。最初计划在2027年底前达到技术 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-8 09:25

三菱：绝缘衬底+无预处理双突破！金刚石CVD生长技术再升级: 金刚石凭借超高热导率、约5.5 eV的宽禁带特性及优异的化学稳定性，在高功率电子器件、热管理、辐射探测、量子信息等前沿领域具备不可替代的应用潜力。在金刚石薄膜制备技术中，化学气相沉积（CVD）已成为实现大面积 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-8 09:24

宽禁带科技论|中科院苏州纳米所徐科团队：缺陷工程使原本不能RE的h-BN成功外延GaN: 第一作者：Jianxi Xu通讯作者：Yuning Wang, Yu Xu，Bing Cao，Ke Xu通讯单位：中国科学技术大学、苏州大学、中科院苏州纳米所研究背景远程外延（RE）通过二维材料（2DM）中间层复制衬底晶体学信息，是异质集成的重 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-7 09:30

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