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被严重低估的MOCVD：它才是第三代半导体GaN爆发的真正引擎: 前言：聚光灯打错了地方每当有人问"第三代半导体的核心设备是什么"，十个人里有九个会脱口而出：光刻机。这个答案没有错，但不完整—对于GaN这条赛道而言，它打错了地方。在这里，主角不再是光刻机，而是主导材 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-8 09:27

提前两年，罗姆宣布达成 8 英寸 SiC MOSFET 技术目标: 2026年4月2日，罗姆宣布其“8英寸下一代碳化硅（SiC）MOSFET的开发”项目已达到技术目标。该项目是新能源产业技术综合开发机构（NEDO）绿色创新基金资助的项目，已于2025财年完成研发。最初计划在2027年底前达到技术 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-8 09:25

三菱：绝缘衬底+无预处理双突破！金刚石CVD生长技术再升级: 金刚石凭借超高热导率、约5.5 eV的宽禁带特性及优异的化学稳定性，在高功率电子器件、热管理、辐射探测、量子信息等前沿领域具备不可替代的应用潜力。在金刚石薄膜制备技术中，化学气相沉积（CVD）已成为实现大面积 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-8 09:24

宽禁带科技论|中科院苏州纳米所徐科团队：缺陷工程使原本不能RE的h-BN成功外延GaN: 第一作者：Jianxi Xu通讯作者：Yuning Wang, Yu Xu，Bing Cao，Ke Xu通讯单位：中国科学技术大学、苏州大学、中科院苏州纳米所研究背景远程外延（RE）通过二维材料（2DM）中间层复制衬底晶体学信息，是异质集成的重 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-7 09:30

南邮唐为华教授、郭宇锋教授&北邮李培刚教授&内蒙古大学团队：正向偏压应力下p-Ni ...: 由南京邮电大学唐为华教授、郭宇锋教授、季学强副教授、北京邮电大学李培刚教授、内蒙古大学刘增研究员等人的研究团队在学术期刊IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES发布了一篇名为Insight Into the Performance ...; 分类: 新闻通知 2026-4-7 09:17

GaN技术在人形机器人中的角色及应用: 据IDC、高盛报告，2025年全球人形机器人出货约1.8万台（同比 + 508%），2026年达5.1万台（年同比增长约183.33%）。IDC预测，2029年全球人形机器人市场规模达206亿美元，中国达750亿元，2025 - 2029年复合增长率超93% ...; 分类: 新闻通知 2026-4-7 09:12

全球首款兆瓦级氧化镓功率模块问世，脉冲功率电子迈入新纪元: 01 前言近日，一项来自香港大学、南京大学与弗吉尼亚理工等机构的国际合作研究成果在《Nature Communications》上发表(https://doi.org/10.1038/s41467-026-71274-6)。研究团队成功研制出全球首款兆瓦级超宽禁带半导 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-3 09:51

报告解读| 面向未来数据中心的99+%高效率超紧凑固态变压器: 苏黎世联邦理工学院Johann W. Kolar教授团队于2025年10月发布专题报告，系统阐述了面向下一代数据中心的高效超紧凑固态变压器技术，涵盖从全模块化架构的“模块化惩罚”分析到准单级/单级拓扑创新，并提出mVR型和矩 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-3 09:21

IMEC最新1200V双栅极GaN开关技术深度解析-重点关注衬底电位管理: 一、800V系统的“紧箍咒”：为什么1200VGaN是势在必行的突破？1200V，是GaN的"禁区"还是"蓝海"？长期以来，GaN器件被"锁死"在650V电压等级。面对汹涌而来的电动汽车800V高压系统，这个天花板必须被打破 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-2 09:23

突破9000V！九峰山实验室刷新氧化镓MOSFET耐压纪录: 近日，九峰山实验室在超宽禁带半导体领域取得重大进展，成功研制出基于国产同质外延片的击穿电压超过9000V的氧化镓横向MOSFET。这一成果标志着实验室在超高压氧化镓功率器件技术领域达到国际先进水平。9000V刷新氧化 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-2 09:15

年产1.2万片！晶曜盛巳涉足第四代半导体氮化铝材料产业: 3月26日上午，由前湾人才基金领投、复旦杭州湾科创园重点孵化的沪上人才项目——晶曜盛巳（宁波）半导体有限公司在宁波前湾新区数字经济产业园二期正式运营。作为国内最早布局氮化铝（AIN）单晶材料研发与产业化的企 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:18

金刚石NV色心埋层生长技术获突破，量子器件制造迎来新路径: 氮-空位（NV）中心是金刚石中一种典型的量子缺陷结构，由一个氮原子与邻近的空位组成。其电子自旋在室温下仍能保持高度稳定的量子态，并且可以通过光学方法实现自旋的初始化、操控与读出。这些特性使其能够在量子精 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:17

瀚天天成&英诺赛科，市占率全球第一的碳化硅和氮化镓龙头企业: 引言：碳化硅外延龙头瀚天天成与氮化镓巨头英诺赛科，以截然不同的路径书写着中国第三代半导体产业的资本叙事。AI 算力、绿色能源、新能源车、智能电网——这些时代主题正在为两家公司铺就通天大道。赛道重塑：第三 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:14

国际专利15强唯一中国企业：富加镓业领跑全球氧化镓产业化赛道: 2026年3月26日，杭州富加镓业科技有限公司（下称“富加镓业”）宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓单晶，为“十五五”规划开局之年的中国半导体产业投下了一颗重磅炸弹。而这一历史性突破的背后，是其早已构建 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:11

宁波材料所团队：氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述: 氧化镓是一种带隙约4.9 eV的超宽禁带半导体，具备极高的击穿电场强度（约10 MV/cm）和优异的Baliga优值，使其在高压功率器件领域具有显著优势。相比传统硅材料，其性能潜力可提升数千倍，因此被认为是实现10 kV以上 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-31 09:49

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