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项目申报丨江苏省科技厅组织开展技术创新中心申报工作
项目申报丨江苏省科技厅组织开展技术创新中心申报工作
关于组织开展2026年度江苏省技术创新中心建设工作的通知苏科资发〔2026〕114号各设区市科技局、财政局,各有关单位:为深入贯彻党的二十大和二十届历次全会精神,认真落实省委、省政府部署要求,加快建设高水平科技 ...
分类:    2026-7-30 09:24
全GaN还是SiC JFET?数据中心800V IBC路线分歧
全GaN还是SiC JFET?数据中心800V IBC路线分歧
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)最近英诺赛科推出了一款全GaN的12kW 800V-50V数据中心HVDC供电方案,这款方案的核心参数颇具代表性。满载效率98.2%、峰值效率突破98.6%;功率级尺寸仅60mm×124mm×11mm,变压器、电感 ...
分类:    2026-7-30 09:21
技术突破!云天半导体携手厦门大学、华为攻克金刚石散热晶圆键合难题
技术突破!云天半导体携手厦门大学、华为攻克金刚石散热晶圆键合难题
2026年第76届IEEE ECTC国际会议上,厦门云天半导体联合厦门大学AP-IS实验室、华为技术有限公司共同研发的4英寸多晶金刚石晶圆集体键合技术取得关键进展,为超高导热金刚石散热材料规模化应用奠定坚实基础。在算力产 ...
分类:    2026-7-30 09:17
【科研速递】首款垂直GaN/NiO超结肖特基二极管采用异质结p型掺杂实现1100V击穿电压
【科研速递】首款垂直GaN/NiO超结肖特基二极管采用异质结p型掺杂实现1100V击穿电压
超结概念在宽禁带功率器件中的最新应用进展显示出改善基本器件性能指标的潜力。尽管垂直GaN器件的规模化制造平台仍面临重大挑战,本文总结了垂直GaN超结肖特基二极管的研究工作,该工作可为后续开发和最终量产奠定基 ...
分类:    2026-7-30 09:14
适配AI算力电源变革 罗姆SiC/GaN赋能数据中心供电架构升级
适配AI算力电源变革 罗姆SiC/GaN赋能数据中心供电架构升级
未来,AI数据中心的算力瓶颈最终将是电力,电力传输系统是算力提升的关键约束,AI数据中心的电源系统从传统48V架构在逐渐过渡到HVDC供电架构,并在往SST(固态变压器)的最终形态转变。而宽禁带半导体(SiC和GaN)在 ...
分类:    2026-7-29 09:33
《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》团体标准正式发布
《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》团体标准正式发布
近日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》(T/IAWBS 029-2026)。该标准自2026年7月27日发布,自2026年8月3日起实施。β相氧化镓(β-Ga₂O₃)作 ...
分类:    2026-7-29 09:27
西北工业大学冯溪渊:材料 × 神经科学融合--原子级界面 β-Ga₂O₃器件实 ...
西北工业大学冯溪渊:材料 × 神经科学融合--原子级界面 β-Ga₂O₃器件实 ...
【文献链接】Hu, Xianyu, Ruan Zhang, Lu Lv, Qing Guo, and Xiyuan Feng. 2026. “ Beyond Photoreceptors: Bio-Inspired Neuromorphic Vision System Mimicking Drosophila's Downstream Neural Circuitry With 2D ...
分类:    2026-7-28 09:57
氮化镓上天难在哪?
氮化镓上天难在哪?
航天抗辐射氮化镓变换器设计,本质是对各类极限工况的精细化管控。航空航天行业正在迎来电源架构的深度变革。数十年来,抗辐射硅金属氧化物场效应管始终是星载DC-DC变换器无可替代的核心器件。但现代卫星载荷对转换 ...
分类:    2026-7-28 09:52
GaN赋能机器人关节:双芯驱控方案实现机器人关节成本直降40%
GaN赋能机器人关节:双芯驱控方案实现机器人关节成本直降40%
2026 年是人形、四足、物流机器人规模化量产元年,整机厂商规模化落地的核心瓶颈集中在关节执行器。行业数据显示,机器人整机 70% 硬件成本集中于关节模组,不同规格减速器差价可达 500-1000 元,传统驱控方案 “体 ...
分类:    2026-7-28 09:50
【科研速递】成都信息工程大学实现GaN HBT S波段大信号性能首次实验验证,输出功率密 ...
【科研速递】成都信息工程大学实现GaN HBT S波段大信号性能首次实验验证,输出功率密 ...
近日,成都信息工程大学通信工程学院射频和功率器件与集成团队在GaN射频器件领域取得重要突破。相关论文《Experimental Demonstration of S-Band Gallium Nitride Heterojunction Bipolar Transistors With Pout= 16 ...
分类:    2026-7-28 09:44
3.3kV SiC进军中压SST:封装绝缘与寄生参数评审要点实战指南
3.3kV SiC进军中压SST:封装绝缘与寄生参数评审要点实战指南
3.3 kV SiC MOSFET正在从实验样品走向标准化功率模块。对中压固态变压器(Solid-State Transformer,SST)团队来说,这当然是好消息:单元电压可以提高,级联单元、隔离电源和通信节点有机会减少,开关频率也不必像 ...
分类:    2026-7-27 10:24
江苏发布固态变压器行动方案:攻关SiC/GaN功率器件等核心技术
江苏发布固态变压器行动方案:攻关SiC/GaN功率器件等核心技术
日前,江苏省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅联合印发《江苏省固态变压器产业创新发展行动方案》。固态变压器(又称电力电子变压器)是一种基于先进电力电子技术与高频电磁感应技术的新型电力设备 ...
分类:    2026-7-27 09:44
中科院半导体所刘兴昉:退火实现晶圆级二维Ga₂O₃薄膜带隙调控
中科院半导体所刘兴昉:退火实现晶圆级二维Ga₂O₃薄膜带隙调控
二维氧化镓(2D-Ga2O3)兼具超宽禁带半导体和二维材料的独特优势,在太阳盲紫外探测、透明电子和柔性光电子器件中具有重要应用潜力。然而,2D-Ga2O3并非典型范德华层状材料,难以像石墨烯或过渡金属硫族化合物那样通 ...
分类:    2026-7-24 10:13
ABB收购Advantics,碳化硅方案能力如何补齐AIDC的最后一块拼图
ABB收购Advantics,碳化硅方案能力如何补齐AIDC的最后一块拼图
7月中旬,ABB在官网发布消息:称公司正在收购总部位于法国的碳化硅电源转换解决方案专业供应商Advantics。公告称:此次收购将扩展ABB的直流(DC)产品组合,并使公司能够更好地满足数据中心、工业微电网、发电和电动汽 ...
分类:    2026-7-24 10:10
AIXTRON落子槟城:4000万欧元建厂,剑指“AI Power Wall”与“AI Data Wall”
7月23日,德国沉积设备龙头AIXTRON SE宣布,正在马来西亚槟城建设一座先进的制造与工程设施,将其在第三代半导体领域的技术能力带入马来西亚。该设施预计年底前填补约150个职位。项目概况:4000万欧元,8.5英亩AIXTR ...
分类:    2026-7-24 10:04

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