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南科大等团队突破氧化镓功率器件关键技术：实现低压导通与高压击穿的新方案！: 通过引入铜阳极，本研究团队在 β-Ga2O3 功率整流器性能方面取得了重大突破。铜阳极使肖特基二极管在实现卓越性能的同时具备出色的热可靠性该项目团队发言人、南方科技大学汪晓慧博士指出，通过将 Cu2O/Ga2O3 异质结 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-10 09:22

Wolfspeed推出业界首款商业化10kV SiC功率MOSFET: 将为AI数据中心供电等高要求应用提供关键技术支撑。日前，Wolfspeed宣布了业内首款商业化的10 kV SiC功率MOSFET。该产品的推出为高压电力电子系统设计提供了更大的架构自由度，可显著提升系统可靠性和耐久性，并为电 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-10 09:20

关于征求团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》（征求意见稿）意见的通知: 各有关单位、各行业专家：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，山东红点新材料有限公司等相关单位共同起草的《碳化硅长晶用多孔石墨材料》团体标准已完成征求意见稿，现面向社会各界公开征求意见。有关意 ...; 分类: 公告通知 2026-3-9 17:03

十五五开局！2026政府工作报告：集成电路重点全在这: 2026年全国两会大幕开启，政府工作报告正式发布，为“十五五”开局之年定下发展基调。半导体、芯片、集成电路作为事关产业链安全与新质生产力的关键领域，持续受到关注和支持。《中共中央关于制定国民经济和社会发展 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-9 10:35

氧化镓，爆发前夜: 近日，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产迈出了关键一步 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-9 10:29

应用｜比亚迪"惊蛰"发布会：一场由碳化硅重新定义的系统工程: 一场技术秀的隐形主角今晚，比亚迪在深圳大运中心体育馆举办年度技术发布会，主题"惊蛰无声"。发布会上发布的五大量产核心技术，其中与碳化硅直接相关的有三项：全域1000 V高压平台 + SiC电驱：1500 V SiC功率模 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-9 10:26

下一代双向氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）开关器件电力电子技术: 苏黎世联邦理工学院Kolar教授团队携手PowerAmerica，于2026年2月发布重磅报告，系统阐述基于单芯片双向开关的下一代电力电子技术，涵盖从器件革新到AI数据中心、电动汽车充电和固态变压器的完整应用图景。报告背景： ...; 分类: 新闻通知 2026-3-9 10:24

富加镓业x上海光机所：在氧化镓晶体生长方面取得重要进展！: 氧化镓（β-Ga₂O₃）是“后摩尔时代”超宽禁带半导体的重要代表材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、成本相对可控等优势，在新能源汽车、数据中心、电力电子与智能电网等领域展现出广阔应用前景。当前，高 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-6 09:21

通往高可靠性氮化镓的终极路径：为什么负压直驱才是GaN功率芯片的最终解决方案: 在功率半导体领域，氮化镓（GaN）凭借其优越的开关速度和低导通电阻，正在快速替代传统硅基器件。但是GaN在中、大功率应用场景中的可靠性一直是大家关心的问题，例如在AI数据中心、汽车电子、无人机、机器人和储能应 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-6 09:17

宽禁带科技论| 郑州大学：破解六方金刚石难题: 科学背景六方金刚石（HD），又称为蓝丝黛尔石，因其理论硬度超越立方金刚石（CD），且可作为陨石撞击的矿物学标志而备受关注。自约60年前在陨石中发现后，科学家尝试通过高压高温处理或冲击压缩石墨等方式合成HD，但 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-6 09:14

北京量子院拓展碳化硅量子应用新路径，灵敏度提升两个数量级: 近日，北京量子信息科学研究院（以下简称“量子院”）量子接口器件与系统团队在基于碳化硅薄膜机械振子的多模腔光力研究中取得重要进展。研究团队揭示了多模腔光力系统中机械模式的调控机制，实现了非对称应力的高精 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-6 09:12

至信微电子8英寸SiC晶圆量产突破: 近日，深圳至信微电子有限公司宣布，其与国内头部代工厂深度合作推出的8英寸晶圆系列产品已出货超过百万颗，正式进入量产交付阶段。这一里程碑式进展，不仅标志着至信微在碳化硅（SiC）技术上的关键落地，也为新能源 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-5 09:18

本土碳化硅产业的2025，有领先也有不足: 碳化硅，已经成了新能源电驱系统的必选项。2025年，碳化硅电控的装机量达到了305万套，占比提升至18.7%。对比2024年的198.7万套（占比14.1%），2025年碳化硅电控同比增速高达53.4%。这一增长速度，也远远超过了电控 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-5 09:12

西电郝跃院士团队丨深度解析：氧化镓RRAM的材料、基础与应用: 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Advanced Materials Technologies 发布了一篇名为Gallium Oxide RRAM: Materials, Fundamentals and Applications（氧化镓 RRAM：材料、基础与应用）的文章。01 背景随着大 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-4 09:40

北大&化合积电：GaN-on-Diamond直接异质外延重大突破: 随着GaN器件向高功率密度、小型化迈进，自热效应成为制约其性能和可靠性的主要瓶颈。金刚石作为终极导热材料（热导率高达2200 W/(m·K)），是理想的散热衬底，能从根本上解决热积累问题。然而，传统GaN与金刚石的集 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-4 09:32

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