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Wolfspeed联手光宝抢滩800V数据中心: 近期，碳化硅芯片制造商#Wolfspeed 与电源解决方案供应商#光宝科技宣布建立战略合作关系。根据双方协议，Wolfspeed的碳化硅MOSFET产品将被用于光宝科技800V DC sidecar及机架电源供应单元等平台，主要面向超大规模A ...; 分类: 新闻通知 2026-8-11 10:51

富加镓业与芯长征集团达成战略合作，氧化镓产业化迈向全链协同: 日前，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）与江苏芯长征微电子集团股份有限公司（以下简称“芯长征集团”）正式签署战略合作协议。双方将围绕氧化镓“衬底—外延—器件—模块—应用”全链路协同创新， ...; 分类: 新闻通知 2026-8-11 10:36

【科研速递】电子科技大学与深圳平湖实验室实现650V p-GaN HEMT短路性能创纪录突破， ...: 近日，电子科技大学与深圳平湖实验室的研究团队在650V肖特基p-GaN高电子迁移率晶体管上取得了创纪录的短路性能突破。相关成果发表于《IEEE Transactions on Power Electronics》。该器件在单次短路事件中实现了629微 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-11 10:35

同步整流模式下SiC MOSFET浪涌能力: 今天这篇，2026年5月新鲜出炉的文章，来自西南交通大学，主要内容是同步整流模式下SiC MOSFET浪涌能力，先介绍背景，商用SiC MOSFET器件常以体二极管作为第三象限工作条件下的续流通路，然而SiC材料特性决定，器件体 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 14:34

宽禁带科技论|德国维尔茨堡大学：首次实现室温连续波工作的碳化硅半导体微波激射器: 近日，德国维尔茨堡大学Andreas Sperlich团队在《Nature Communications》发表研究论文，首次报道了基于4H-碳化硅中硅空位（VSi）的半导体微波激射器。该工作利用有源反馈回路提升谐振腔品质因子，实现了连续波激射 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 14:30

SST的"心脏"之争：沟槽SiC vs 平面SiC，2026年路线分化加剧: 2026年，SiC MOSFET技术路线出现明显分化：三菱、博世押注沟槽，Wolfspeed、意法、安森美坚守平面。对SST整机厂来说，选哪条路线不是技术问题，是供应链安全问题。SiC MOSFET是SST的"心脏"。一台1MW级SST里，几 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 14:26

氧化镓全景解读| 外延产业化：HVPE与MOCVD的技术突破与现实挑战: 导读：我们从外延的基本概念出发，介绍了β-Ga2O3外延层在调控漂移区厚度、载流子浓度和器件电场分布方面的重要作用。外延技术连接着单晶衬底与功率器件，是β-Ga2O3材料性能转化为器件性能的关键环节。然而，从实验 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-10 13:55

4家企业获车规级SiC订单: 近日，又有4家企业斩获车规级SiC订单，国内外车规级SiC商业化进程正持续提速：清纯半导体：再获国际车企新能源汽车主驱SiC MOSFET量产项目定点；臻驱科技：与大众变速器天津公司签署战略合作备忘录，围绕新能源汽车 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-7 09:38

PowiGaN突破2200V：Power Integrations推出首款2.2kV横向GaN开关: 8月5日，Power Integrations宣布推出其PowiGaN产品组合中业界首款2.2kV横向GaN开关。该器件采用GaN-on-sapphire衬底和耗尽型共源共栅配置（搭配低压硅MOSFET），封装于InSOP-28D封装中。其在1760V下连续漏极电流为1. ...; 分类: 新闻通知 2026-8-7 09:35

SiC器件准静态C-V测量：径用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷: 基于Keithley 4200A-SCS与Clarius软件的Force-I QSCV方法解析简介电容 - 电压 (C-V) 测量被用于分析半导体材料以及半导体器件制造过程，尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体(MOS) 方面。从 C-V 数据中可以提取出许多 M ...; 分类: 新闻通知 2026-8-7 09:28

Carbon：金刚石异质集成技术推动β-Ga₂O₃功率器件热管理升级: 随着新能源汽车、高压电力电子、智能电网以及高频功率器件的发展，半导体材料正不断向更高耐压、更高功率密度方向演进。β-Ga₂O₃（β-氧化镓）作为一种典型超宽禁带半导体，其理论功率器件性能指标（BFO ...; 分类: 新闻通知 2026-8-6 10:44

郑大解析纳米金刚石尺寸弹性效应，为量子与热管理器件开辟新思路: 郑州大学金刚石材料与器件团队在纳米金刚石弹性研究方面取得重要进展，揭示了纳米金刚石尺寸依赖弹性软化的原子尺度机制。相关成果以“Subsurface Driven Size-Dependent Elasticity in Nanodiamond”为题，发表在国 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-6 10:43

基本半导体与汉磊科技达成8英寸碳化硅战略合作: 8月4日，基本半导体发布公告称，已与汉磊科技股份有限公司达成战略合作。根据公告，双方将基于此前长期合作的基础上，加快8英寸SiC晶圆的开发及量产，以提升碳化硅产品在新能源、汽车、AI算力中心等领域的市场份额。 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-6 10:42

充电基础设施全面升级，宽禁带半导体迎来结构性增长窗口: 2026-08-06 09:09·宽禁带联盟近日，国家发展改革委、国家能源局印发《新型电力系统建设“十五五”规划》，明确了未来五年充电基础设施的全面升级路径。规划提出，到2030年充电基础设施总量超过4000万个，大功率充电 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-6 10:41

安森美：AIDC的SiC收入将上涨60%: 8月4日，安森美（onsemi）发布2026财年第二财季财报。该季度其总营收为16.04亿美元（折合人民币约115.5亿元），同比增长9.18%；归母净利润2.27亿美元，同比增长33.18%；自由现金流4.25亿美元，同比激增三倍以上。其 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-5 09:09

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