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罗姆SiC SBD采用全新封装设计: 爬电距离约为标准产品的1.3倍罗姆半导体宣布推出全新表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD），其引脚间爬电距离有所延长，导致绝缘电阻增高。首批产品阵容包含八种型号（SCS2xxxNHR），用于车载充电器（OBC）等汽车应 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-22 09:16

氮化镓半导体产业化方兴未艾: 背景逻辑当前世界上最先进的半导体材料之一氮化镓是一种无机物，其化学式为GaN（英文名称：Gallium Nitride），是氮和镓的化合物，通常情况下为白色或微黄色的固体粉末，具有结构稳定、熔点高、耐高压、坚硬等特点， ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 09:02

用于5G FR2手机的双异质结构氮化镓: 新加坡研究人员称，以低压（LV）高频性能为目标的硅（Si）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在饱和输出功率（Psat）上达到创纪录水平。研究团队由新加坡国家氮化镓技术中心（NGTC）、新加坡微电子研究所（ ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:57

日本金刚石半导体技术可能会在 2025-2030 年带来实际应用: 日本在金刚石半导体技术领域的研究和应用一直处于全球领先地位，尽管面临技术挑战，但金刚石半导体以其卓越的性能而闻名，其技术突破最早可能在 2025年至2030年带来实际应用。据日经新闻报道，佐贺大学于2023年成功 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:54

西安交通大学团队实现（111）面异质外延单晶金刚石衬底的制备: GaN 作为第三代半导体材料的典型代表，在禁带宽度、击穿场强、电子迁移率、热导率、最高工作温度等关键性能上更具优势。GaN 功率器件拥有高转换效率、低导通损耗、高工作频率、大带宽以及高功率密度，已广泛应用于通 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:52

碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展: 摘要:相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一。然而,引线键 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:23

技术｜平面和沟槽结构的SiC MOSFET在正负电场应力下的栅氧可靠性: 本文研究了在150°C下，硅碳化物（SiC）平面和非对称沟槽MOSFETs在广泛的正负Eox应力范围内的栅氧可靠性。分析了在Eox应力下，两种器件的Vth（阈值电压）随应力时间的变化。解释了在SiO2中电子捕获和空穴捕获的过程 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:14

充电桩高压快充发展趋势: 来源：阿基米德半导体*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:09

罗姆半导体、士兰微电子及昭和电工这三家企业推进8吋SiC建设！: 近日，罗姆半导体、士兰微电子及昭和电工不仅公布了财务近况，还透露了最新业务进展，详情请看：罗姆半导体：碳化硅业务有重大调整11月7日，罗姆半导体公布了2024财年上半年（2024年4月至9月）业绩报告。该时间段内 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:06

工业市场应用｜西门子推出采用碳化硅技术的全电子启动器: 西门子智能基础设施推出首款采用半导体技术的全电子启动器-SIMATIC ET 200SP e-Starter。与断路器或保险丝等传统解决方案相比，SIMATIC ET 200SP e-Starter 提供的短路保护速度快 1000 倍，而且几乎无磨损。这确保为 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-19 10:00

宽禁带半导体“渐入佳境”: 碳化硅MOSFET晶圆和碳化硅SBD晶圆（来源：基本半导体）随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展，宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-19 09:59

国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建成发布: 近日，国务院正式批复了《深圳市国土空间总体规划（2021-2035年）》（以下简称《总体规划》），再次把深圳的城市格局版图升级。《总体规划》提出，构建“一核多心网络化”城市空间格局，推动都市核心区扩容提质，布 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-19 09:57

宽禁带联盟第二届第三次会员大会成功召开: 2024年11月6日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第二届第三次会员大会在深圳市坪山燕子湖国际会展中心C馆成功召开。本次会议由宽禁带联盟第二届理事长陈小龙研究员主持，150余位会员 ...; 分类: 联盟动态 2024-11-15 09:52

第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议在深圳顺利召开！: 2024年11月6日-8日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟和中国科学院物理研究所主办，北京天科合达半导体股份有限公司和深圳市重投天科半导体有限公司承办的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Con ...; 分类: 公告通知 2024-11-15 09:45

APCSCRM 2024｜宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛成功举办: 第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）于2024年11月6日至8日在中国·深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举行。会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题，聚焦宽禁带半导体相关材料、器件、模块及前 ...; 分类: 公告通知 2024-11-15 09:26

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