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高压超级结MOSFET技术的优势和应用: 高压超结（HV SJ）MOSFET技术是一种先进的半导体架构，旨在克服传统晶体管在高功率应用中的效率限制。该技术使器件能够承受极高电压——通常在400V到900V之间——同时保持极低的内部电阻。其主要功能是在复杂电子系 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:53

3项车规SiC合作落地：已导入长安、丰田等: 随着SiC技术在新能源汽车领域的应用持续深化，行业合作不断提速：斯达长安深蓝：原力超集电驱3.0采用1000VSiC嵌入式功率模块技术；东微半导体英搏尔：SiC MOSFET等功率器件已批量应用于吉利、上汽通用五菱、长安、奇 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:50

机器人电驱动技术：GaN技术引爆“动力革命”，单台用量将破千颗: 随着人形机器人从“能动”向“灵巧”跨越，其设计面临着极高的空间约束与性能要求。面对高功率密度、高频响应及微型化的需求。谐波磁场电机（Harmonic Field Motor）与氮化镓（GaN）驱动技术成为当前行业前沿的两大 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:49

宽禁带科技论|双势垒AlGaN/GaN HEMT中超高密度二维电子气与高击穿电压的输运特性研究: 近日，广西大学光电材料与器件研究团队在第三代宽禁带半导体材料GaN HEMT研究方面取得突破性进展。相关成果以“Characteristics of transport properties in double barrier AlGaN/GaN HEMT with ultra-high density ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:36

国产首颗人形机器人关节GaN磁编码芯片发布: 近日，中科无线半导体发布国内首颗面向人形机器人关节的氮化镓（GaN）磁编码芯片CT-21X系列，标志着我国在高端机器人传感器及宽禁带集成电路领域取得关键突破。这一成果面向“十五五”规划中对集成电路、智能机器人 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 10:26

南京邮电大学王永进教授团队：氮化镓通感一体化全光芯片: 光电子芯片网络采用光子实现芯片内的数据通信，是推动人工智能计算芯片算力跃迁、降低芯片能耗的核心技术。氮化镓半导体材料能够发光、探测光和调制光，是新一代光电子与微电子产业的重要战略支撑，适合大规模半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 09:45

破解 3C-SiC！散热困局北大程哲团队打通从基础研究到产业应用全链条: 随着集成电路持续向 3D-IC 架构深度演进，芯片内部功耗密度呈指数级攀升，散热问题已成为制约芯片性能进一步提升的核心瓶颈。在各类宽禁带半导体材料中，立方碳化硅（3C-SiC）因具备仅次于金刚石的超高理论热导率及 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 09:40

联合动力嵌入式SiC封装的一体化集成方案: 目前，嵌埋式SiC芯片的PCB板内层通常采用铜块与密集激光孔实现芯片热量的向下传导，外层则通过高导热胶膜散热，英飞凌的S-cell嵌入式PCB方案就是这种。图片来源：英飞凌但受限于PCB制造工艺对填胶性能的要求，现有散 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 09:20

西电郝跃院士、张进成教授团队：用于可集成温度传感应用的β-Ga₂O₃肖特基 ...: 由西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Electron Devices发布了一篇名为Characterization of β-Ga₂O₃ SBDs for Integrable Temperature Sensing Applicatio ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:31

400V SiC没有更强，它只是让电源系统重新分配了电压与损耗: 真正决定AI电源效率的，不是材料升级，而是电压被“切碎”的方式。大多数人看到这份资料时，第一反应是：400V SiC MOSFET比650V更先进，所以效率更高、功率密度更好。但资料真正指向的不是“器件升级逻辑”，而是拓 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:13

国创中心（苏州）大尺寸碳化硅激光隐形切割技术取得重大技术突破: 近日，由江苏第三代半导体研究院有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）承担的江苏省集萃研究员项目“六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术研发”取得重大技术突破。该技术在碳化硅晶锭切割效率、良率、损伤控 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:08

美的、长虹、科沃斯：采用GaN赋能家电: 近期，氮化镓在家电领域的应用持续提速，覆盖影音显示、厨电、家用清洁机器人等多个细分场景：美的：新款油烟机搭载GaN感应芯片，实现节能高效、极速响应；长虹：两款旗舰电视搭载GaN超薄电源，助力产品向轻薄化升级 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-13 11:12

深度解析| Wolfspeed中高压SiC器件在固态变压器中的应用: 今天这篇，2026年4月新鲜出炉的文章，来自Wolfspeed，主要研究中高压SiC器件在固态变压器中的应用。先介绍背景，AI兴起是科技领域近年最重要的趋势，对各行各业正在产生深远影响，3月份黄仁勋曾有一篇文章，“AI is ...; 分类: 新闻通知 2026-4-13 11:06

南邮唐为华教授联合内蒙古大学及山西工程技术学院团队：基于有机-无机范德瓦尔斯异质 ...: 由南京邮电大学唐为华教授、李山副教授、内蒙古大学刘增研究员、山西工程技术学院的研究团队在学术期刊《物理学报》发布了一篇名为Self-powered solar-blind photodetector and single-pixel optical imaging based ...; 分类: 新闻通知 2026-4-10 09:37

SiC迎来AI先进封装第二个“赛道”，规模不容小觑: 最近，国外有2家企业/机构正尝试在HBM芯片的先进封装领域采用碳化硅衬底，这是继碳化硅中介层之后的另一个新的机会。今天，我们跟大家分析以下3个话题：HBM内存TCB键合设备为什么要有碳化硅衬底？碳化硅衬底在键合设 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-10 09:28

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