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下级分类:  公告通知|联盟动态
超50亿!3家SiC相关企业获得资金支持
2025年底,全球SiC行业在资金层面动作频频:美国Wolfspeed获得近50亿巨额税收返还,为8英寸碳化硅制造产能的扩大提供了资金保障;思锐智能:获得国家级基金助力,加速ALD和离子注入设备国产化;欧洲Zadient获得2.88亿 ...
分类:    2025-12-11 10:10
2家SiC企业透露12英寸进展
2家SiC企业透露12英寸进展
12英寸碳化硅衬底技术近期取得关键突破,Coherent与永泉晶圆两大企业已相继宣布其量产进展,可为AI数据中心日益严峻的热管理难题提供更高效的解决方案。据统计,截至2025年9月,国内外合计已有超10家企业成功制备12 ...
分类:    2025-12-11 09:25
新品发布!镓仁半导体 “SCIENCE系列” 科研级VB法长晶设备
新品发布!镓仁半导体 “SCIENCE系列” 科研级VB法长晶设备
在第四代半导体产业高速发展的浪潮中,氧化镓作为超宽禁带半导体的核心材料正成为高校院所科研攻关的重点方向。为破解科研阶段长晶设备“适配性窄、精准度不足、操作复杂”等痛点,杭州镓仁半导体有限公司正式推出新 ...
分类:    2025-12-11 09:11
科技部党组书记、部长阴和俊:以科技创新引领新质生产力发展
科技部党组书记、部长阴和俊:以科技创新引领新质生产力发展
以科技创新引领新质生产力发展科技部党组书记、部长 阴和俊习近平总书记强调,“推动高质量发展,最重要是加快高水平科技自立自强,积极发展新质生产力,在推动科技创新、加快培育新动能、促进经济结构优化升级上取 ...
分类:    2025-12-11 09:09
APCSCRM 2025 Concludes Successfully!
APCSCRM 2025 Concludes Successfully!
On November 27, 2025, the 6th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) drew to a successful and grand close at the Central China International Convention and Exh ...
分类:    2025-12-10 15:33
罗姆量产 TOLL 封装 SiC MOSFET:正在成为中高功率的“通用接口”
罗姆量产 TOLL 封装 SiC MOSFET:正在成为中高功率的“通用接口”
在电源系统全面走向高密度、高频化的时间节点上,头部厂商产品发布的趋势远比“换个封装”更深刻。2025 年 12 月 4 日,罗姆宣布 SCT40xxDLL 系列 SiC MOSFET 正式量产,并采用 TO-Leadless(TOLL)封装。罗姆给出的 ...
分类:    2025-12-10 09:33
苏州纳米所孙钱团队在氮化镓低压射频器件领域取得新进展
苏州纳米所孙钱团队在氮化镓低压射频器件领域取得新进展
近年来,5G通信应用向手机等移动终端场景深度拓展,对低压高性能射频功率放大器(PA)的需求日益迫切。氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)因其高电子饱和速率和优异的二维电子气(2DEG)输运特性,已成为实现 ...
分类:    2025-12-10 09:27
郑州大学董林教授、单崇新教授:双色心金刚石驱动的可隐藏物理不可克隆函数用于高维信 ...
郑州大学董林教授、单崇新教授:双色心金刚石驱动的可隐藏物理不可克隆函数用于高维信 ...
背景介绍印刷伪造品(如伪钞、伪造印章与仿制艺术品)至今仍是全球性难题,其危害不仅体现在破坏经济秩序,更涉及公共利益、知识产权安全,甚至威胁社会稳定与人类安全。为应对伪造技术的迭代升级,现代防伪手段相继 ...
分类:    2025-12-10 09:26
“十五五”发展规划,涉及到碳化硅/氮化镓等第三代半导体
“十五五”发展规划,涉及到碳化硅/氮化镓等第三代半导体
新材料作为全球科技革命与产业变革的核心基础领域,同时也是支撑我国现代化产业体系构建、培育新质生产力的战略先导产业,其发展水平直接关系到产业基础高级化、产业链现代化进程,对实现高水平科技自立自强及制造强 ...
分类:    2025-12-10 09:20
这一SiC光波导项目获奖,已具备量产能力
这一SiC光波导项目获奖,已具备量产能力
近日,据“复旦大学微电子学院”官微等透露,复旦大学的彭博方博士与李煜淳博士团队凭借“基于表面浮雕光栅的SiC AR衍射光波导”项目成功斩获第三届全国博士后创新创业大赛总决赛银奖。据介绍,该项目直击消费级AR眼 ...
分类:    2025-12-9 09:41
中关村宽禁带半导体创新联盟第二届第四次会员大会成功召开!
中关村宽禁带半导体创新联盟第二届第四次会员大会成功召开!
2025年11月25日,中关村天合宽禁带半导体创新联盟第二届第四次会员大会在郑州中原国际会展中心会议中心成功举行。会议由联盟理事长、中国科学院物理研究所研究员、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙主 ...
分类:    2025-12-9 09:33
氧化镓从有无到有用的关键——6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆亮相APCSCRM 2025国际会议
氧化镓从有无到有用的关键——6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆亮相APCSCRM 2025国际会议
2025 年 11 月 25 日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)在郑州中原国际会展中心盛大启幕。作为亚太地区宽禁带半导体领域的顶级盛会,本次大会汇聚了中国中车、国家电网、英飞凌、筑波大学等全球1 ...
分类:    2025-12-8 10:09
第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)圆满闭幕
第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)圆满闭幕
2025年11月27日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials,APCSCRM 2025)在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。本届会议由中关村天合宽禁带半 ...
分类:    2025-12-8 09:32
西电郝跃院士、马晓华教授联合西邮团队:原子尺度原位TEM研究电子束诱导α-Ga₂O ...
西电郝跃院士、马晓华教授联合西邮团队:原子尺度原位TEM研究电子束诱导α-Ga₂O ...
由西安电子科技大学郝跃院士、马晓华教授联合西安邮电大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Atomic-scale in situ TEM investigation of electron beam-induced repair of multiple def ...
分类:    2025-11-4 10:52
高品质单晶金刚石MEMS光学性能研究
高品质单晶金刚石MEMS光学性能研究
文章亮点日本国立物质材料研究所廖梅勇研究团队通过智能剥离(smart-cut)技术,成功制备出高质量的单晶金刚石微机电系统悬臂梁和薄片,并实现其在SiO₂/Si基底上的无损转移。通过拉曼、光致发光和阴极发光测试 ...
分类:    2025-11-4 10:40

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