中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体加码SiC项目建设: 近期，国内半导体企业纷纷加码SiC领域布局，芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体等企业相继推进相关项目建设：芯联集成：正在推进碳化硅MOS芯片制造二期项目建设，将新增1.5万/片月的6、8英寸兼容SiC MOS生产线；士兰 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:13

论文推介丨4H-SiC外延形貌缺陷对MOSFET电学特性影响研究: 在全球能源转型与新型电力系统对电能高效转换的迫切需求背景下，4H-SiC MOSFET凭借材料的高击穿电场、高热导率等优势，在中高压应用中展现出比硅基IGBT更优的开关性能、转换效率和高温适应性，对现代及下一代电网应 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:12

大咖谈技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点: Tom TrumanVice President, Performance Computing Power Division在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CP ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:09

2-3月宽禁带半导体产业简报：从材料突破到应用“破圈”: 在国家“十五五”规划明确支持宽禁带半导体产业提质升级的背景下，2026年2-3月，我国产业界在大尺寸晶圆、关键装备国产化及前沿应用拓展等方面取得一系列突破性进展。碳化硅（SiC）领域，8英寸晶圆实现量产与高良率 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:07

高压超级结MOSFET技术的优势和应用: 高压超结（HV SJ）MOSFET技术是一种先进的半导体架构，旨在克服传统晶体管在高功率应用中的效率限制。该技术使器件能够承受极高电压——通常在400V到900V之间——同时保持极低的内部电阻。其主要功能是在复杂电子系 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:53

3项车规SiC合作落地：已导入长安、丰田等: 随着SiC技术在新能源汽车领域的应用持续深化，行业合作不断提速：斯达长安深蓝：原力超集电驱3.0采用1000VSiC嵌入式功率模块技术；东微半导体英搏尔：SiC MOSFET等功率器件已批量应用于吉利、上汽通用五菱、长安、奇 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:50

机器人电驱动技术：GaN技术引爆“动力革命”，单台用量将破千颗: 随着人形机器人从“能动”向“灵巧”跨越，其设计面临着极高的空间约束与性能要求。面对高功率密度、高频响应及微型化的需求。谐波磁场电机（Harmonic Field Motor）与氮化镓（GaN）驱动技术成为当前行业前沿的两大 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:49

宽禁带科技论|双势垒AlGaN/GaN HEMT中超高密度二维电子气与高击穿电压的输运特性研究: 近日，广西大学光电材料与器件研究团队在第三代宽禁带半导体材料GaN HEMT研究方面取得突破性进展。相关成果以“Characteristics of transport properties in double barrier AlGaN/GaN HEMT with ultra-high density ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:36

国产首颗人形机器人关节GaN磁编码芯片发布: 近日，中科无线半导体发布国内首颗面向人形机器人关节的氮化镓（GaN）磁编码芯片CT-21X系列，标志着我国在高端机器人传感器及宽禁带集成电路领域取得关键突破。这一成果面向“十五五”规划中对集成电路、智能机器人 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 10:26

南京邮电大学王永进教授团队：氮化镓通感一体化全光芯片: 光电子芯片网络采用光子实现芯片内的数据通信，是推动人工智能计算芯片算力跃迁、降低芯片能耗的核心技术。氮化镓半导体材料能够发光、探测光和调制光，是新一代光电子与微电子产业的重要战略支撑，适合大规模半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 09:45

破解 3C-SiC！散热困局北大程哲团队打通从基础研究到产业应用全链条: 随着集成电路持续向 3D-IC 架构深度演进，芯片内部功耗密度呈指数级攀升，散热问题已成为制约芯片性能进一步提升的核心瓶颈。在各类宽禁带半导体材料中，立方碳化硅（3C-SiC）因具备仅次于金刚石的超高理论热导率及 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 09:40

联合动力嵌入式SiC封装的一体化集成方案: 目前，嵌埋式SiC芯片的PCB板内层通常采用铜块与密集激光孔实现芯片热量的向下传导，外层则通过高导热胶膜散热，英飞凌的S-cell嵌入式PCB方案就是这种。图片来源：英飞凌但受限于PCB制造工艺对填胶性能的要求，现有散 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 09:20

西电郝跃院士、张进成教授团队：用于可集成温度传感应用的β-Ga₂O₃肖特基 ...: 由西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Electron Devices发布了一篇名为Characterization of β-Ga₂O₃ SBDs for Integrable Temperature Sensing Applicatio ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:31

400V SiC没有更强，它只是让电源系统重新分配了电压与损耗: 真正决定AI电源效率的，不是材料升级，而是电压被“切碎”的方式。大多数人看到这份资料时，第一反应是：400V SiC MOSFET比650V更先进，所以效率更高、功率密度更好。但资料真正指向的不是“器件升级逻辑”，而是拓 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:13

国创中心（苏州）大尺寸碳化硅激光隐形切割技术取得重大技术突破: 近日，由江苏第三代半导体研究院有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）承担的江苏省集萃研究员项目“六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术研发”取得重大技术突破。该技术在碳化硅晶锭切割效率、良率、损伤控 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-14 09:08

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 286 / 286 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部