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至信微发布650V碳化硅JFET，切入快充与数据中心电源市场: 继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日推出了第二款量产级碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。该产品具备650V耐压和低导通电阻，利用JFET特有的高速开关能力，可降低系统导通损耗，提升能效。供货方式上，至 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-30 11:13

安森美与蔚来深化900V平台合作: 加速向下一代900V电动汽车平台演进安森美（onsemi）进一步深化与蔚来（NIO）的长期战略合作，助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。双方的合作基于安森美EliteSiC 技术，以提升蔚来最新电动汽车系列的能 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-30 11:12

关于团体标准《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》修订决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上对《电动汽车用功率半导体模 ...; 分类: 公告通知 2026-4-29 14:29

关于《碳化钽涂层表面金属含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法》团体标准立项决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上，经联盟标准化委员会与会委 ...; 分类: 公告通知 2026-4-29 14:28

英飞凌抗辐射GaN晶体管获JANS认证随阿尔忒弥斯2号完成深空载人首秀: 2026-04-29 09:49·宽禁带联盟图片来源：美国国家航空航天局2026年4月10日，NASA阿尔忒弥斯2号任务的“猎户座”飞船载着四名宇航员溅落在太平洋海域，完成了人类54年来首次载人绕月飞行，并创下载人航天器距地球最远 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 14:27

宽禁带科技论|多晶金刚石在第三代半导体上的异质外延：面向高效热管理的材料与界面工 ...: 近日，复旦大学桑立雯团队综述了利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)上异质外延多晶金刚石(PCD)用于热管理的最新研究进展。研究成果以“Polycrystalline diamond heteroepitaxy on t ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 14:13

上海电机学院发表12英寸SiC晶体生长重要研究成果: 近日，上海电机学院超宽禁带半导体团队在碳化硅（SiC）大尺寸晶体生长领域取得重要进展。该团队研究生李伟填以第一作者身份，在国际晶体工程领域知名期刊《CrystEngComm》上发表了题为“Thermal field simulation an ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 13:37

告别“两难选择”：沟槽辅助平面栅SiC MOSFET分析: 在高压功率转换领域，碳化硅（SiC）MOSFET正成为工程师手中不可或缺的利器。然而，长久以来，选择SiC MOSFET却像在两条并不完美的道路之间做痛苦取舍：平面栅型结构制造简单、成本可控、栅极氧化层可靠性高，但导通 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 13:25

宽禁带联盟2026年度第二次团标评审会顺利召开: 2026年4月28日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2026年度第二次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。本次会议就以下六项标准开展了评审工作：1. 《 ...; 分类: 联盟动态 2026-4-29 10:12

SiC MOSFET负栅压偏置引起的Vth不稳定性：体二极管导通作用: SiC器件实际应用中为了避免SiC MOSFET的误导通，故在开关操作期间常采用负的VGS-off。所以这项研究就针对负VGS-off对阈值电压Vth稳定性的影响，并探究了体二极管导通的作用。结果表明，待测器件在VGS-off=0V时，器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:55

中国电科突破金刚石晶圆规模化量产，AI散热市场迎来关键变量: 4月13日晚间，中国电科产业基础研究院宣布一项里程碑式突破：自主研发的大尺寸低成本自支撑金刚石晶圆实现关键技术突破与规模化量产。众所周知，金刚石的热导率是铜的5倍以上，理论上是最理想的芯片散热材料，但长期 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:37

一文看懂！台积电为何要用SiC中介层？: 最近，我们了解到，台积电已经向部分企业提出较为明确的12英寸中介层SiC衬底需求，今年将开启交付，而且明年的需求预期量将翻倍增长。值得思考的是，台积电明知12英寸SiC衬底成本很高，SiC加工技术也存在一定挑战， ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:35

【行业人才招聘】甬江实验室微纳平台扩招中: 随着微纳平台客户项目快速增长、产线任务持续提升，我们正在加速扩建团队，诚邀更多优秀人才加入，共同推进高端微纳制造与异质异构集成技术的发展。地点：浙江·宁波平台：甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台（8 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 10:25

最易懂的GaN芯片结构解说：一文吃透 AlGaN、2DEG、HEMT等核心术语: 提到 GaN（氮化镓）芯片，大家总能听到GaN、AlGaN、2DEG、HEMT、D-mode、E-mode、pGaN 这些专业名词。专业名词一多了看的时候总容易看不懂，这篇文章就来一文解说这些专业名词，让大家轻松看懂GaN芯片结构。目前 P ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 10:04

中国高校携手，单片异质集成芯片与重构技术: 作者: 杜文张来源: ISPSD 功率半导体器件和集成电路国际会议当今社会是数据为王的时代，材料融合与异质异构是信息获取，数据处理的重要载体。尽管3D堆叠Chiplet晶粒成为后摩尔时代AI海量数据处理的主流技术路线之一 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 09:38

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