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一文读懂化学机械抛光(CMP)
一文读懂化学机械抛光(CMP)
化学机械抛光在超大规模集成电路制造中,化学机械抛光(CMP)作为实现晶圆全局平坦化的核心技术,其重要性随制程节点推进而愈发凸显。完全平坦化的化学机械拋光(CMP)技术随着器件特征尺寸向纳米级演进,晶圆表面微米 ...
分类:    2025-10-26 10:28
主驱将用三电平SiC模块?吉利/长安/联电/赛米控等已发布
主驱将用三电平SiC模块?吉利/长安/联电/赛米控等已发布
最近,三电平主驱SiC功率模块备受关注。“行家说三代半”最新调研显示,众多企业纷纷推出了三电平主驱级碳化硅(SiC)模块。主机厂/Tier1:吉利、长安、联合汽车电子/博世、德纳Dana、ABB等;SiC 模块企业:富士电机 ...
分类:    2025-10-26 10:27
平湖实验室与西安理工合作在SiC光控晶体管研制方面取得新进展
平湖实验室与西安理工合作在SiC光控晶体管研制方面取得新进展
近期,深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters(EDL)上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224),论文题为 “Pulsed Characterizat ...
分类:    2025-10-26 10:20
因不完美而完美:量子金刚石如何重塑感知技术的未来?
因不完美而完美:量子金刚石如何重塑感知技术的未来?
在能源转型与科技创新的双轮驱动下,宽禁带半导体技术正成为重塑全球产业格局的战略高地。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体已深入渗透新能源、智能电网等领域,而氧化镓、金刚石等超宽禁带材料则引领着第四代半 ...
分类:    2025-10-26 10:18
AI 芯片散热又添新思路!从 SiC 中介层到金刚石“毯层”
AI 芯片散热又添新思路!从 SiC 中介层到金刚石“毯层”
当英伟达在封装层用 SiC 中介层降温,斯坦福团队却选择从晶体管内部铺上“金刚石毯”。两条路径,一场关于热的系统级革命。当生成式 AI 把算力需求推向前所未有的极限,热,正在成为整个半导体体系最难以忽视的现实 ...
分类:    2025-10-23 10:37
具有数千个电导态的超高线性度Ga₂O₃基级联异质结光电突触
具有数千个电导态的超高线性度Ga₂O₃基级联异质结光电突触
东北师范大学光学顶刊发表!用于神经形态视觉系统的具有数千个电导态的超高线性度Ga₂O₃基级联异质结光电突触由东北师范大学的研究团队在学术期刊 light: science applications 发布了一篇名为 Ultra-hi ...
分类:    2025-10-23 10:17
金刚石半导体,产业化还有多远?
金刚石半导体,产业化还有多远?
金刚石半导体,是新一轮焦点之一。2025年10月9日,商务部与海关总署根据《中华人民共和国出口管制法》、《中华人民共和国对外贸易法》、《中华人民共和国海关法》、《中华人民共和国两用物项出口管制条例》,为维护 ...
分类:    2025-10-23 10:08
半导体制造新革命:先进键合技术将成为下一代芯片核心工艺
半导体制造新革命:先进键合技术将成为下一代芯片核心工艺
当前,半导体产业正经历深刻变革。随着摩尔定律逼近物理极限,三维集成和异质融合成为延续半导体性能提升的关键路径。在这一背景下,先进键合技术作为实现芯片立体堆叠的核心工艺,正受到业界前所未有的重视。在半导 ...
分类:    2025-10-23 09:58
1200 V 已到极限 英飞凌推出新一代 1400 V CoolSiC,重新定义高压裕量
1200 V 已到极限 英飞凌推出新一代 1400 V CoolSiC,重新定义高压裕量
在功率半导体的高端赛道上,英飞凌持续推进碳化硅(SiC)技术的工程化落地。近日,英飞凌科技(Infineon Technologies AG)正式发布CoolSiC MOSFET 1400 V G2系列,并率先采用TO-247PLUS-4 Reflow封装形式,为新一代 ...
分类:    2025-10-22 10:42
SiC+GaN成核心!一文汇总英伟达800V HVDC认证厂商解决方案
SiC+GaN成核心!一文汇总英伟达800V HVDC认证厂商解决方案
AI芯片的功率在算力需求迭代的基础上,不断提高,短短几年间,英伟达的GPU从A100单个TDP 为300W(40GB)和400W(80GB),到目前GB300单芯片TDP高达1400W,这也给数据中心机架带来了新的供电压力。而为了解决数据中心 ...
分类:    2025-10-22 10:39
12英寸GaN!又有2家企业传来新进展
12英寸GaN!又有2家企业传来新进展
10月20日,据“东微半导体”官方消息,其与晶湛半导体已于10月17日联合宣布达成战略合作。双方将发挥各自优势,采用主流的12英寸CMOS实验线研发12英寸硅基氮化镓HEMT晶体管,共同推进12英寸硅基氮化镓功率器件的产业 ...
分类:    2025-10-22 10:35
【Join APCSCRM 2025】把握宽禁带半导体前沿趋势,全球领袖汇聚郑州,11月见!
【Join APCSCRM 2025】把握宽禁带半导体前沿趋势,全球领袖汇聚郑州,11月见!
第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)将于2025年11月25日-27日在河南郑州盛大召开。会议将以“芯联新世界,智启源未来(Wide Bandgap, Wider Future)”为主题,聚焦宽禁带半导体全产业链创新,涵盖 ...
分类:    2025-10-22 10:18
英伟达×意法半导体联手突破,这一项目迈入新阶段
英伟达×意法半导体联手突破,这一项目迈入新阶段
“意法半导体”官微消息,近期,英伟达已完成对意法半导体12kW配电概念验证板的设计验证测试,该项目正式迈入生产验证测试阶段。图片来源:意法半导体中国在开放计算项目(OCP)2025峰会上,英伟达正式发布《800 VDC ...
分类:    2025-10-21 09:35
SiC上车/出货1500万颗!2家企业公布车载新进展
SiC上车/出货1500万颗!2家企业公布车载新进展
近日,两家SiC企业相继公布其SiC业务最新进展:华润微电子:第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。瀚薪科技:今年前三季度SiC产品总出货量2143万颗;车载产品出货量1503万颗,同比大幅增长1046% ...
分类:    2025-10-21 09:34
【政策发布】国家发改委、国家能源局等六部门联合发布:充电设施服务能力“三年倍增” ...
【政策发布】国家发改委、国家能源局等六部门联合发布:充电设施服务能力“三年倍增” ...
据中国电源产业网获悉,10月15日,国家发展改革委等部门发布关于印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案(2025—2027年)》的通知。其中,方案提出,到2027年底,在全国范围内建成2800万个充电设施,提 ...
分类:    2025-10-21 09:28

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