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金刚石散热材料深度解析：从导热机理到AI芯片产业化应用: 金刚石作为一种重要的碳材料，不仅是自然界中最坚硬的物质，同时具有极高的热导率、极宽的光谱透过范围和优异的物理化学稳定性，被誉为“最硬的工业牙齿”和“终极半导体材料”。目前已被广泛应用于光学窗口、金刚石 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:30

台湾中山大学：1700V级SiC MOSFET在不同温度的HTRB实验中软穿通机理研究: 本文对1700V平面SiC MOSFET在不同温度下的HTRB试验前后的性能进行比较，发现器件在90℃和175℃下表现出了明显的击穿电压漂移。通过测试和仿真都表明，这种性能退化是因封装工艺中引入的污染物渗入到终端区域以及器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:25

SiC MOSFET 芯片解说— 芯片的耐压设计：看懂结构图中的 N⁻ 和 N⁺: 上篇文章中简单地介绍了 MOSFET 芯片的结构，最易懂的SiC MOSFET 芯片结构解说，这篇让我们更进一步来看一下，结构图中那些 N⁺、N⁻ 是什么意思。这些加减号指的是掺杂浓度的相对高低。+ 表示高掺杂， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:16

政策指引 |湖北发布规划纲要：宽禁带半导体材料写入重点布局: 近日，经湖北省第十四届人民代表大会第四次会议表决通过，《湖北省国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》正式发布。《湖北日报》受权对纲要全文进行公布。在新兴产业布局方面，纲要明确提出实施“新兴产业壮大工 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:02

阿基米德Diamond Inside：金刚石“嵌”入功率模块，热阻直降40%: 2026年4月26日至28日，在第四届中国（安徽）科技创新成果转化交易会（科交会）上，阿基米德半导体首次公开展示了其颠覆性的“Diamond Inside”系列1200V ACP-3S三电平功率模块。这不仅是一款新产品的发布，更被视为 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-7 09:55

英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书- SiC MOSFET栅氧可靠性介绍: 今天分享的是2025年10月英飞凌发布了第二版SiC功率半导体可靠性白皮书，相比于2020年的第一版增加了很多内容。SiC MOSFET栅氧可靠性简介过去十年SiC 技术已发展得基本成熟，SiC MOS 器件的栅极氧化层可靠性已逐步取 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-7 09:52

金刚石衬底液冷散热未来：Diamond Foundry白皮书内容核心解读: 随着AI芯片功耗持续攀升，从当前主流千瓦级向数千瓦级突破，传统风冷与单相液冷技术已逐渐逼近物理极限，成为制约算力提升的核心瓶颈。Diamond Foundry（以下简称DF）在其最新技术笔记中，提出了一套颠覆性的芯片级 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:48

项目申报|关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知: 关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知京科基金字〔2026〕13号为贯彻落实京津冀协同发展战略，京津冀三地实施京津冀自然科学基金合作专项，2026年度将围绕氢能、生物医药2个领域受理专项项目， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:43

车展访谈｜博世第三代碳化硅芯片重磅亮相，以技术迭代赋能全球电动化转型: 在万众瞩目的北京车展上，博世集团携重磅新品——第三代碳化硅芯片正式亮相，同步宣布该芯片已逐步向全球汽车制造商提供样片，再度彰显其在汽车功率半导体领域的技术引领地位。作为全球汽车技术供应商的领军者，博世 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:42

APEC2026报告分享：双向开关 (BDS)-宽禁带半导体的下一个颠覆性应用: 在APEC 2026会议上，Enphase Energy资深电力电子架构师Michael Harrison发表了题为《双向开关（BDS）-宽禁带半导体的下一个杀手级应用》的技术报告。该报告系统阐述了基于氮化镓（GaN）的单片集成双向开关（BDS）技 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:34

至信微发布650V碳化硅JFET，切入快充与数据中心电源市场: 继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日推出了第二款量产级碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。该产品具备650V耐压和低导通电阻，利用JFET特有的高速开关能力，可降低系统导通损耗，提升能效。供货方式上，至 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-30 11:13

安森美与蔚来深化900V平台合作: 加速向下一代900V电动汽车平台演进安森美（onsemi）进一步深化与蔚来（NIO）的长期战略合作，助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。双方的合作基于安森美EliteSiC 技术，以提升蔚来最新电动汽车系列的能 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-30 11:12

关于团体标准《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》修订决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上对《电动汽车用功率半导体模 ...; 分类: 公告通知 2026-4-29 14:29

关于《碳化钽涂层表面金属含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法》团体标准立项决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上，经联盟标准化委员会与会委 ...; 分类: 公告通知 2026-4-29 14:28

英飞凌抗辐射GaN晶体管获JANS认证随阿尔忒弥斯2号完成深空载人首秀: 2026-04-29 09:49·宽禁带联盟图片来源：美国国家航空航天局2026年4月10日，NASA阿尔忒弥斯2号任务的“猎户座”飞船载着四名宇航员溅落在太平洋海域，完成了人类54年来首次载人绕月飞行，并创下载人航天器距地球最远 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 14:27

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