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【行业人才招聘】甬江实验室微纳平台扩招中: 随着微纳平台客户项目快速增长、产线任务持续提升，我们正在加速扩建团队，诚邀更多优秀人才加入，共同推进高端微纳制造与异质异构集成技术的发展。地点：浙江·宁波平台：甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台（8 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 10:25

最易懂的GaN芯片结构解说：一文吃透 AlGaN、2DEG、HEMT等核心术语: 提到 GaN（氮化镓）芯片，大家总能听到GaN、AlGaN、2DEG、HEMT、D-mode、E-mode、pGaN 这些专业名词。专业名词一多了看的时候总容易看不懂，这篇文章就来一文解说这些专业名词，让大家轻松看懂GaN芯片结构。目前 P ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 10:04

中国高校携手，单片异质集成芯片与重构技术: 作者: 杜文张来源: ISPSD 功率半导体器件和集成电路国际会议当今社会是数据为王的时代，材料融合与异质异构是信息获取，数据处理的重要载体。尽管3D堆叠Chiplet晶粒成为后摩尔时代AI海量数据处理的主流技术路线之一 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 09:38

800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？: AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链路 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 09:32

12%效率跃升+99.99%供电可靠！新特电气×清华固态变压器突破: 2026年4月8日，新华都特种电气（新特电气，301120）与清华大学正式宣布共建固态变压器联合研究中心，一举攻克高频SST（固态变压器）与大容量中频DCT（直流变压器）两大核心技术，实现绿电直连效率提升12%，数据中心 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 09:30

芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体加码SiC项目建设: 近期，国内半导体企业纷纷加码SiC领域布局，芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体等企业相继推进相关项目建设：芯联集成：正在推进碳化硅MOS芯片制造二期项目建设，将新增1.5万/片月的6、8英寸兼容SiC MOS生产线；士兰 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:13

论文推介丨4H-SiC外延形貌缺陷对MOSFET电学特性影响研究: 在全球能源转型与新型电力系统对电能高效转换的迫切需求背景下，4H-SiC MOSFET凭借材料的高击穿电场、高热导率等优势，在中高压应用中展现出比硅基IGBT更优的开关性能、转换效率和高温适应性，对现代及下一代电网应 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:12

大咖谈技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点: Tom TrumanVice President, Performance Computing Power Division在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CP ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:09

2-3月宽禁带半导体产业简报：从材料突破到应用“破圈”: 在国家“十五五”规划明确支持宽禁带半导体产业提质升级的背景下，2026年2-3月，我国产业界在大尺寸晶圆、关键装备国产化及前沿应用拓展等方面取得一系列突破性进展。碳化硅（SiC）领域，8英寸晶圆实现量产与高良率 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:07

高压超级结MOSFET技术的优势和应用: 高压超结（HV SJ）MOSFET技术是一种先进的半导体架构，旨在克服传统晶体管在高功率应用中的效率限制。该技术使器件能够承受极高电压——通常在400V到900V之间——同时保持极低的内部电阻。其主要功能是在复杂电子系 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:53

3项车规SiC合作落地：已导入长安、丰田等: 随着SiC技术在新能源汽车领域的应用持续深化，行业合作不断提速：斯达长安深蓝：原力超集电驱3.0采用1000VSiC嵌入式功率模块技术；东微半导体英搏尔：SiC MOSFET等功率器件已批量应用于吉利、上汽通用五菱、长安、奇 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:50

机器人电驱动技术：GaN技术引爆“动力革命”，单台用量将破千颗: 随着人形机器人从“能动”向“灵巧”跨越，其设计面临着极高的空间约束与性能要求。面对高功率密度、高频响应及微型化的需求。谐波磁场电机（Harmonic Field Motor）与氮化镓（GaN）驱动技术成为当前行业前沿的两大 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:49

宽禁带科技论|双势垒AlGaN/GaN HEMT中超高密度二维电子气与高击穿电压的输运特性研究: 近日，广西大学光电材料与器件研究团队在第三代宽禁带半导体材料GaN HEMT研究方面取得突破性进展。相关成果以“Characteristics of transport properties in double barrier AlGaN/GaN HEMT with ultra-high density ...; 分类: 新闻通知 2026-4-16 09:36

国产首颗人形机器人关节GaN磁编码芯片发布: 近日，中科无线半导体发布国内首颗面向人形机器人关节的氮化镓（GaN）磁编码芯片CT-21X系列，标志着我国在高端机器人传感器及宽禁带集成电路领域取得关键突破。这一成果面向“十五五”规划中对集成电路、智能机器人 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 10:26

南京邮电大学王永进教授团队：氮化镓通感一体化全光芯片: 光电子芯片网络采用光子实现芯片内的数据通信，是推动人工智能计算芯片算力跃迁、降低芯片能耗的核心技术。氮化镓半导体材料能够发光、探测光和调制光，是新一代光电子与微电子产业的重要战略支撑，适合大规模半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-15 09:45

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