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宽禁带科技论|宽禁带与超宽禁带功率半导体中的欧姆接触电阻：从基础物理到界面工程: 近日，斯洛伐克科技大学Martin Weis团队在宽禁带与超宽禁带功率半导体欧姆接触电阻研究方面取得系统性进展。相关成果以“Ohmic Contact Resistance in Wide-Bandgap and Ultrawide-Bandgap Power Semiconductors: Fr ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:27

金刚石产业化步入冲刺阶段: 当 AI 芯片功耗持续飙升，传统铜铝散热材料已逼近物理极限，一场以金刚石为核心的 “终极散热材料” 竞赛，正从实验室全面迈入产业化冲刺期。01 国家级超算落地，全国首次规模化应用近日，记者探访郑州国家超算互联 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:14

厚度突破300微米！浙大科创中心研制出碳化硅超厚外延薄膜: 一片薄到几乎“隐形”的半导体薄膜，厚度仅三根头发丝并排那么宽，却可能在未来，成为电网、高铁、大型船舶的“超强心脏”——更耐高压、更节能、更紧凑。近日，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:12

Wolfspeed CTO深度解析300 mm SiC：从先进封装到光互连，碳化硅在AI基础设施中的角色 ...: 图片来源：Power Electronics News近期，《Power Electronics News》发布了对Wolfspeed首席技术官Elif Balkas博士的深度访谈，围绕公司300 mm碳化硅技术及其面向AI与高性能计算先进封装的应用前景展开讨论。访谈涵盖 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:01

学术前沿| 金刚石半导体：高压器件、高效抛光与异质结新进展: “本期将聚焦金刚石，精选7篇发表于《Applied Physics Letters》《Carbon》等顶刊的最新论文。内容涵盖高压功率器件、表面终端化、超精密抛光、异质结光电探测及新型逻辑器件，为您呈现金刚石从材料制备到器件应用的 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:44

功率密度抬升之后，半导体的竞争正在从“器件性能”转向“电力路径占位”: 当功率密度持续抬升，半导体公司的增长不再取决于“卖多少芯片”，而取决于“能接入多少电力路径”多数人会把一家功率半导体公司的增长理解为产品结构升级、下游需求扩张，或者单一赛道的景气度变化，但这里呈现的变 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:17

吉林省投入881万元建设宽禁带半导体重点实验室: 图片来源：中国政府购实服务信息平台2026年5月9日，吉林师范大学发布“吉林省宽禁带半导体重点实验室建设项目（一期）”公开招标公告，项目预算金额为881万元人民币，资金来源为财政拨款，合同签订后6个月内完成交货 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:13

Cyient携手Navitas推出印度首款GaN功率IC系列，瞄准AI计算与电动出行市场: 图片来源：cyientsemi官网2026年5月11日，Cyient Semiconductors Private Limited宣布推出七款面向印度市场的650V氮化镓（GaN）功率集成电路，采用美国Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）授权技术开发。这 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:12

斯坦福 & 宾州州立团队：突破GaN HEMT自热限制！金刚石散热方案可降热阻35%: 随着5G通信、雷达以及高频功率电子的发展，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）已成为高频、高功率射频器件的重要基础。与传统硅器件相比，GaN材料具备更高击穿电场、更高电子迁移率以及二维电子气（2DEG）特性， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:42

固态变压器爆发，为何说10kV SiC是“皇冠上的明珠”？: 2025年以来，国内外已有15家企业披露固态变压器（SST）产品进展，这一态势不仅标志着SST技术迈向落地阶段，更为10kV SiC 技术的商用化进程提供了契机。有企业预测，随着SST等核心市场的持续扩容，10kV SiC将逐步成为 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:41

破解GaN成本难题！Atomera GaN-on-Si技术进入PowerAmerica提案阶段，宽禁带功率半导体 ...: 半导体材料与技术授权公司Atomera宣布，其关于氮化镓硅基（GaN-on-Si）技术的概念书已获批进入PowerAmerica研究所主导提案（IIP）阶段，旨在推动宽禁带功率半导体技术发展。该提案提出与行业及科研伙伴合作，利用Ato ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:33

韩国投入5000亿韩元推进下一代功率半导体国产化: 在AI数据中心、电动汽车及新能源基础设施快速扩张的背景下，功率半导体的战略价值日益凸显。据韩媒《ETNEWS》报道，韩国政府正计划投入5000亿韩元（约合3.443亿美元）国家专项资金，启动下一代功率半导体国产化大型 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:26

2035年功率半导体市场全景：SiC/GaN将占1/3，氧化镓成新变量: 2026年4月28日，富士经济发布了2035年全球功率半导体市场预测报告。预计到2035年，全球功率半导体市场规模将达到73495亿日元（约3189 亿元人民币）。其中，硅（Si）功率半导体市场规模将达到48418亿日元，下一代功率 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 10:12

60款SiC新车型亮相，北京车展释放哪些信号？: 近日，历经10天的2026北京国际汽车展览会圆满落幕。据主办方透露，本届展会共展出展车1451辆，其中首发车181台、概念车71台，数量居全球车展前列，成为全球汽车产业变革的风向标。据调研发现，此次北京车展共展出60 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 10:09

超晶热导发布大尺寸光学级金刚石晶圆，自研16英寸“长晶炉”!: 近日，深圳市超晶热导技术有限公司（简称“超晶热导”）正式发布新一代大尺寸光学级金刚石晶圆，并同步宣布成功研制16英寸高真空热丝CVD金刚石生长设备（“长晶炉”）。这一系列突破标志着我国在高端金刚石材料制备 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 09:56

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