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清华大学柴智敏团队：单晶金刚石表面平坦化技术的发展与挑战: 本文为清华大学柴智敏副教授团队撰写发表在《中国表面工程》2025年第38卷第5期的综述论文，题为“单晶金刚石表面平坦化技术的发展与挑战”。单晶金刚石(SCD)因其优异的物理特性（5.5 eV宽禁带、9.9 MV/cm高击穿电场 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:28

三菱电机提供4款用于功率器件全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品: 沟槽型SiC-MOSFET晶圆（左）沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片（右）三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:25

打破20年技术僵局！西电团队攻克芯片散热世界难题: 长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。“就像我们都知道怎么控制火候，但真正把握好却很难。”周弘这样比喻。近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:23

浙江省“十五五”规划征求意见：发展氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓等: 近日，浙江省经济和信息化厅发布关于公开征求《浙江省“十五五”新型工业化规划（征求意见稿）》意见的通知。意见稿提到，新时代新征程，以中国式现代化全面推进强国建设、民族复兴伟业，实现新型工业化是关键任务。 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:21

【行业人才招聘】能讯半导体2026届校招岗位发布: 来源：能讯半导体*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:24

芯粤能、顶立科技等5家企业公布SiC专利: 在第三代半导体产业加速推进的背景下，碳化硅（SiC）作为核心材料的技术创新持续突破。据集邦化合物半导体不完全统计，近期国内碳化硅领域共有5项关键专利集中公开或授权，覆盖衬底制备、功率器件结构、单晶生长设备 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:17

SiC与GaN：功率半导体百年变局，2030年市场将破百亿美元: 随着电源管理成为车辆电动化、人工智能(AI)数据中心等新兴电子应用中的关键基础技术，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等宽禁带化合物半导体正引发前所未有的产业动态与投资热潮。本文将聚焦近年来塑造SiC与GaN市场版图的关 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:15

APL | 南京邮电大学唐为华教授团队：MOCVD氧/镓前驱配比对κ-Ga₂O₃异质外 ...: 近日，南京邮电大学氧化镓半导体创新中心（IC-GAO）唐为华教授团队基于MOCVD技术系统分析了氧/镓前驱物摩尔比（Ⅵ/Ⅲ ratio）生长参数对κ-Ga2O3薄膜外延质量的影响。相关成果以“Effect of the VI/III ratio on the ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:13

半导体“材料之王”金刚石，如何走出实验室？: 被视为“终极半导体”的金刚石，正站在产业化最关键的十字路口。从性能上来讲，金刚石拥有出色的散热能力、宽禁带等优势，理论上能完美解决芯片发热的世纪难题，支撑人工智能、高功率雷达等前沿科技走 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:01

「矢量集团SEMIX」半导体AI、测试、设备、厂务全岗招募令！: 来源：TrendForce集邦*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-13 10:00

研报 | 2025年第三季度电动车SiC逆变器装机量创单季新高，渗透率上升至18%: 根据TrendForce集邦咨询最新调查，受惠于新能源车市场成长，2025年第三季全球电动车牵引逆变器总装机量达835万台，年增22%。纯电动车(BEV)及插电混合式电动车(PHEV)为主要动能来源，装机成长率分别为36%和13.6%。因 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-13 09:59

中科院苏州纳米所近年氧化镓功率器件研究进展一览: 01 背景介绍超宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）材料，具备高达4.8-4.9 eV的超宽禁带宽度、极高的临界击穿电场强度（约8 MV/cm）以及可通过熔体法生长大尺寸低成本单晶衬底的潜力，是制备超高压、低损耗、高性价比的下一 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-13 09:57

2025年终盘点：金刚石半导体七件里程碑事件: 2025年，金刚石半导体正式告别实验室攻坚阶段，迈入产业化落地的关键转折期，成为解锁第四代半导体元年的核心力量。从基础材料突破到产能规模扩张，从应用场景验证到全球格局重塑，全产业链呈现多点爆发、协同推进的 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-13 09:34

宽禁带科技论|上硅所：3C-SiC 晶体制备研究进展: 全文速览本文系统综述了立方碳化硅（3C-SiC）半导体晶体材料的生长技术，涵盖化学气相沉积（CVD）、物理气相输运（PVT）、升华外延（SE）及顶部籽晶溶液生长（TSSG）等方法及其研究进展，并对比了各技术对应的晶体结 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-13 09:24

GaN功率半导体先锋VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投: VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 -- 电动汽车氮化镓（GaN）功率半导体先锋Vis ...; 分类: 新闻通知 2026-1-12 09:51

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