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年产能超200万只！4个碳化硅项目加速投产: 近日，国内4个碳化硅项目传来新进展，其建设进程持续提速：中宜创芯：光学级碳化硅粉体项目建设进度已经达到80%。利普思：扬州SiC项目一期预计年底建成交付，年产能150万只；银河微电：新基地预计明年二季度进入试产 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:44

金刚石简报金刚石散热综述上线、美企金刚石冷板发布、楚江获买入: 01 电子科大团队金刚石异质集成热管理综述上线，四大半导体平台路线图一次铺开2026年10月3日（期刊 online 日）　来源：Journal of Materials Science / Springer（DOI）10月3日，电子科技大学吴世航、陈元福团队联 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:34

京都大学把SiC推上6英寸：能扛600℃不算本事: 导读：晶圆中心区的阈值电压标准差小于 0.07 伏——这个数字背后，才是 SiC 从实验室走向工厂的真正门槛。在实验室里做出一块性能漂亮的晶片，和在整片晶圆上把它重复做出来，中间的距离，大概相当于一个厨子在家炒 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:30

字节/腾讯/阿里等集体押注800VDC，GaN为何是刚需？: 9月，中央网信办、国家发展改革委、工业和信息化部等七部门联合发布《促进数字化绿色化协同转型发展实施方案（2026-2030年）》，明确提出“探索算力设施800V高压直流供电架构，推动超百千瓦单机柜部署”。与此同时， ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:26

【Sponsorship】第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议火热招商中: ·INVITATION·第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2026）将于2026年11月25日-27日在中国·北京召开，预计参会规模500人，设置展位70-80个。会议以“Application-Driven Innovation”为主题，聚焦宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 11:52

长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布: 当前，新能源汽车电驱系统正向更高功率密度、更小体积与更低成本加速迈进。传统灌封与塑封模块已触及性能天花板，难以满足下一代车规主驱的严苛需求。PCB嵌入式技术应势而生——将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 10:01

SiC MOSFET：体二极管与栅氧可靠性怎样理解？: SiC MOSFET把栅控沟道、耐压漂移区和一个内建PN结放在同一纵向结构中。它导通快、耐压高，但反向电流走哪条路、栅氧为何会退化，不能只靠“宽禁带”三个字回答。读完本文，你能沿剖面说清两条导电路径，并分辨体二极 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:51

【行业人才招聘】华润微电子2027届校园招聘正式启动！: 来源：华润微电子招聘注：本文由作者原创,由联盟编辑整理。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:43

5个氮化镓项目落地，8英寸量产进程加速: 近日，又有5个氮化镓项目持续推进，值得关注的是，8英寸氮化镓的市场化进程正不断加快：格晶半导体：南充先进封测项目开工，完善IDM体系建设；京东方华灿：氮化镓产线商业化投产进程持续推进，700V产品已实现交付； ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:40

Wolfspeed推出高端200毫米碳化硅衬底: 随着碳化硅（SiC）器件产业朝着更高电压和更大裸芯片尺寸推进，材料级质量和晶圆一致性已成为关键差异化要素。Wolfspeed 的 Premium 高端 200 mm n-型碳化硅（SiC）衬底在缺陷密度、微管数量和晶圆片形稳定性等多项 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:37

理想，开放碳化硅功率模块外供！: 近期有报道称，理想汽车近期启动核心自研技术对外供应，首批开放马赫智驾芯片、斯科半导体碳化硅功率模组以及整套增程系统，部分板块已完成独立实体拆分，尝试以技术外供开辟新的收入来源。芯片方面，理想为马赫芯片 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:11

3家SiC企业获新订单，单笔金额超6亿: 近期，又有3家碳化硅头部企业获得新订单：瀚天天成：获得国际客户增购SiC外延片，订单金额约6.46亿元；意法半导体：与SST企业DG Matrix合作，为其提供SiC功率器件以及技术协同开发；罗姆半导体：SiC器件被宝马汽车应 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:10

颠覆SiC晶圆研磨！中国团队用摩擦热，切黄油一样加工碳化硅晶体: 碳化硅（SiC）是第三代半导体核心材料，可耐受超高电压。但长期以来，如何将碳化硅晶锭加工成镜面级晶圆，一直是行业难题。传统加工方式极易在晶体表面产生微裂纹，这些微小缺陷会直接导致芯片失效。燕山大学黄水泉 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:09

长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布: 当前，新能源汽车电驱系统正向更高功率密度、更小体积与更低成本加速迈进。传统灌封与塑封模块已触及性能天花板，难以满足下一代车规主驱的严苛需求。PCB嵌入式技术应势而生——将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:06

海外技术项目对接丨Ga₂O₃垂直沟槽MOSFET技术寻求产业合作: 海外技术项目对接项目编号：2026D-0038项目方向：氧化镓功率器件技术名称：用于增强电源管理的 Ga₂O₃ 垂直 MOSFET技术阶段：TRL 6合作方式：技术转让、技术许可、合作研发项目简介美国纽约州立大学布法 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-28 13:38

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