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金刚石衬底液冷散热未来：Diamond Foundry白皮书内容核心解读: 随着AI芯片功耗持续攀升，从当前主流千瓦级向数千瓦级突破，传统风冷与单相液冷技术已逐渐逼近物理极限，成为制约算力提升的核心瓶颈。Diamond Foundry（以下简称DF）在其最新技术笔记中，提出了一套颠覆性的芯片级 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:48

项目申报|关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知: 关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知京科基金字〔2026〕13号为贯彻落实京津冀协同发展战略，京津冀三地实施京津冀自然科学基金合作专项，2026年度将围绕氢能、生物医药2个领域受理专项项目， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:43

车展访谈｜博世第三代碳化硅芯片重磅亮相，以技术迭代赋能全球电动化转型: 在万众瞩目的北京车展上，博世集团携重磅新品——第三代碳化硅芯片正式亮相，同步宣布该芯片已逐步向全球汽车制造商提供样片，再度彰显其在汽车功率半导体领域的技术引领地位。作为全球汽车技术供应商的领军者，博世 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:42

APEC2026报告分享：双向开关 (BDS)-宽禁带半导体的下一个颠覆性应用: 在APEC 2026会议上，Enphase Energy资深电力电子架构师Michael Harrison发表了题为《双向开关（BDS）-宽禁带半导体的下一个杀手级应用》的技术报告。该报告系统阐述了基于氮化镓（GaN）的单片集成双向开关（BDS）技 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:34

至信微发布650V碳化硅JFET，切入快充与数据中心电源市场: 继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日推出了第二款量产级碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。该产品具备650V耐压和低导通电阻，利用JFET特有的高速开关能力，可降低系统导通损耗，提升能效。供货方式上，至 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-30 11:13

安森美与蔚来深化900V平台合作: 加速向下一代900V电动汽车平台演进安森美（onsemi）进一步深化与蔚来（NIO）的长期战略合作，助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。双方的合作基于安森美EliteSiC 技术，以提升蔚来最新电动汽车系列的能 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-30 11:12

关于团体标准《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》修订决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上对《电动汽车用功率半导体模 ...; 分类: 公告通知 2026-4-29 14:29

关于《碳化钽涂层表面金属含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法》团体标准立项决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上，经联盟标准化委员会与会委 ...; 分类: 公告通知 2026-4-29 14:28

英飞凌抗辐射GaN晶体管获JANS认证随阿尔忒弥斯2号完成深空载人首秀: 2026-04-29 09:49·宽禁带联盟图片来源：美国国家航空航天局2026年4月10日，NASA阿尔忒弥斯2号任务的“猎户座”飞船载着四名宇航员溅落在太平洋海域，完成了人类54年来首次载人绕月飞行，并创下载人航天器距地球最远 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 14:27

宽禁带科技论|多晶金刚石在第三代半导体上的异质外延：面向高效热管理的材料与界面工 ...: 近日，复旦大学桑立雯团队综述了利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)上异质外延多晶金刚石(PCD)用于热管理的最新研究进展。研究成果以“Polycrystalline diamond heteroepitaxy on t ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 14:13

上海电机学院发表12英寸SiC晶体生长重要研究成果: 近日，上海电机学院超宽禁带半导体团队在碳化硅（SiC）大尺寸晶体生长领域取得重要进展。该团队研究生李伟填以第一作者身份，在国际晶体工程领域知名期刊《CrystEngComm》上发表了题为“Thermal field simulation an ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 13:37

告别“两难选择”：沟槽辅助平面栅SiC MOSFET分析: 在高压功率转换领域，碳化硅（SiC）MOSFET正成为工程师手中不可或缺的利器。然而，长久以来，选择SiC MOSFET却像在两条并不完美的道路之间做痛苦取舍：平面栅型结构制造简单、成本可控、栅极氧化层可靠性高，但导通 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 13:25

宽禁带联盟2026年度第二次团标评审会顺利召开: 2026年4月28日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2026年度第二次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。本次会议就以下六项标准开展了评审工作：1. 《 ...; 分类: 联盟动态 2026-4-29 10:12

SiC MOSFET负栅压偏置引起的Vth不稳定性：体二极管导通作用: SiC器件实际应用中为了避免SiC MOSFET的误导通，故在开关操作期间常采用负的VGS-off。所以这项研究就针对负VGS-off对阈值电压Vth稳定性的影响，并探究了体二极管导通的作用。结果表明，待测器件在VGS-off=0V时，器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:55

中国电科突破金刚石晶圆规模化量产，AI散热市场迎来关键变量: 4月13日晚间，中国电科产业基础研究院宣布一项里程碑式突破：自主研发的大尺寸低成本自支撑金刚石晶圆实现关键技术突破与规模化量产。众所周知，金刚石的热导率是铜的5倍以上，理论上是最理想的芯片散热材料，但长期 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:37

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