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PCIM Asia 2026：20家功率半导体供应商的展品与方向: 8月26日至28日，PCIM Asia Shenzhen 2026在深圳国际会展中心举行，271家展商、3万平方米展览面积，是PCIM Asia落地深圳以来规模最大的一届。14号馆按"算电协同、电气化交通、绿色能源"三大方向设立应用专区，16 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-31 10:49

半导体显示材料与芯片重点实验室在氮化镓基光子晶体面发射激光器领域取得新进展: 光子晶体面发射激光器（PCSEL）利用二维光子晶体调控面内光场，可在大面积区域中形成相干振荡，兼具单模、大功率、高亮度、小发散角的优良特性，成为国内外研究热点之一。氮化镓（GaN）基半导体材料为直接带隙，发光 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-31 10:46

哈工大朱嘉琦团队自研MPCVD设备稳定产出8英寸金刚石: 前不久，哈尔滨工业大学航天学院朱嘉琦教授团队刚刚攻克一项核心技术——自研的第三代核心装备能稳定长出8英寸高品质金刚石，杂质、缺陷远低于同类设备，造价仅仅是进口机器的六成。走进哈尔滨工业大学实验室，多台 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-31 10:40

GaN-金刚石异构集成四大路径，MIT嵌入式方案改变了什么？: GaN为什么需要金刚石？GaN器件正向更高频率、更高功率密度发展，限制其性能的关键正从电学转向热管理。高功率GaN HEMT存在明显局部热点，器件平均热流可超过1 kW/cm2，栅指附近甚至达到几十kW/cm2。单纯增加铜散热器 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:59

晶旭半导体硅基异质外延氧化镓压电薄膜取得重大突破！: 近日，福建晶旭半导体在硅基异质外延氧化镓（ε-Ga₂O₃）压电薄膜材料领域取得关键性产业化突破，相关产品已正式进入下游客户验证阶段，综合性能全面优于传统体声波（BAW）压电材料，成功从底层材料打破 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:49

广东省科学院半导体研究所在GaN功率器件耐压增强技术取得新突破: 导读近日，广东省科学院半导体研究所先进材料平台苗振林、吴新宇、任星霖和廖富达等成员，在GaN功率器件核心技术领域取得重要突破，提出并验证了一种基于β-Ga₂O₃背势垒GaN HEMT器件新结构，成功解决了 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:47

惠丰钻石成功实现规模化制备8英寸CVD多晶金刚石热沉片: 近日，惠丰钻石宣布，公司已实现高质量8英寸CVD多晶金刚石热沉片的稳定生产，意味着其在大尺寸CVD多晶金刚石散热材料领域取得阶段性突破。金刚石是迄今已知导热性能最优的材料之一，热导率可达铜的5倍以上，被业界视 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:46

晶曜盛巳2英寸氮化铝单晶实现稳定量产，质量达国际先进水平: 近日，宁波前湾新区数字经济产业园二期传来喜讯，园区企业晶曜盛巳（宁波）半导体有限公司（以下简称“晶曜盛巳”）依托自主研发核心技术，在第四代半导体氮化铝（AlN）单晶生长领域取得里程碑式突破，成功制备出2英 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:41

麻省理工实现创纪录高电流密度与低导通电阻AlGaN沟道MOS-HEMT: 摘要实现高导通电流（ID,MAX）与低导通电阻（RON）是富铝 AlxGa1−xN 等超宽禁带（UWBG）半导体材料面临的核心挑战。本工作展示了基于 UWBGAl0.85Ga0.15N/Al0.65Ga0.35N沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）的先进性 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:39

通过低温GaN盖帽层提升InGaN/GaN量子点Micro-LED的效率: 近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陆书龙团队联合复旦大学、河北工业大学，在《Crystals》发表研究论文，系统研究了低温GaN盖帽层厚度对InGaN/GaN量子点Micro-LED热退化与效率的影响。研究发现，4 nm低 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 09:51

保时捷采用GaN，规划明年装车量产: 随着汽车座舱向“第三生活空间”演进，高端汽车对音频功放的需求正在经历质的飞跃，目前GaN正成为车载功放领域不可逆转的技术趋势。据调研，今年以来，保时捷、松下汽车、科大讯飞等头部车企及汽车电子供应商已相继 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-25 09:06

基本半导体与优必选达成战略合作，碳化硅赋能人形机器人能效升级: 8月19日，在2026世界机器人大会上，深圳基本半导体股份有限公司（股票代码：9971.HK，以下简称“基本半导体”）与深圳市优必选科技股份有限公司（股票代码：9880.HK，以下简称“优必选”）正式签署战略合作协议。双 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-25 09:05

GaN为什么不能直接长在硅上？缓冲层、应力与缺陷: GaN外延是在衬底上按晶向继续生长氮化镓薄膜。把GaN长在大尺寸硅片上有成本优势，但两种材料并不“合拍”：晶格和热膨胀都不同。读完本文，你能说清缓冲层为何要分层、冷却时应力怎样产生，以及哪些缺陷会影响器件。 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-25 09:04

美国空军实验室等联合团队实现创纪录AlN单晶衬底基AlGaN晶体管: 摘要本文展示了高性能超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化场效应晶体管（PolFET）。在高面密度（1.15×1013 cm⁻2）条件下，该器件实现了创纪录的近 1 A/mm 导通电流（约 960 mA/mm）与高击穿场强（4.8 MV/cm）的协同优 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-24 10:16

从"工业牙齿"到AI算力"终极散热材料"，联合精密背后的产业新机遇: 8月18日，"豫见鹏城创投未来"豫深民营企业资本赋能专题对接活动在深圳举行。活动现场，"豫创新星"河南省创业投资企业备投项目库正式发布，经过层层遴选，共有177家优质企业成功入库，覆盖优势传统产业、新 ...; 分类: 联盟动态 2026-8-24 10:11

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