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下级分类:  公告通知|联盟动态
阿基米德Diamond Inside:金刚石“嵌”入功率模块,热阻直降40%
阿基米德Diamond Inside:金刚石“嵌”入功率模块,热阻直降40%
2026年4月26日至28日,在第四届中国(安徽)科技创新成果转化交易会(科交会)上,阿基米德半导体首次公开展示了其颠覆性的“Diamond Inside”系列1200V ACP-3S三电平功率模块。这不仅是一款新产品的发布,更被视为 ...
分类:    2026-5-7 09:55
英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书- SiC MOSFET栅氧可靠性介绍
英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书- SiC MOSFET栅氧可靠性介绍
今天分享的是2025年10月英飞凌发布了第二版SiC功率半导体可靠性白皮书,相比于2020年的第一版增加了很多内容。SiC MOSFET栅氧可靠性简介过去十年SiC 技术已发展得基本成熟,SiC MOS 器件的栅极氧化层可靠性已逐步取 ...
分类:    2026-5-7 09:52
泰科天润打造成型高压SiC MOSFET矩阵化技术平台和产品系列
泰科天润打造成型高压SiC MOSFET矩阵化技术平台和产品系列
泰科天润 硬核发布今年以来,泰科天润成功研制并全面推出高电压碳化硅(SiC)MOSFET全系列器件,实现高压碳化硅高性能、矩阵化布局的全面拓展。电压平台全面覆盖2000V、3300V、4500V、6500V,关键电性能指标达到国际 ...
分类:    2026-5-7 09:32
金刚石衬底液冷散热未来:Diamond Foundry白皮书内容核心解读
金刚石衬底液冷散热未来:Diamond Foundry白皮书内容核心解读
随着AI芯片功耗持续攀升,从当前主流千瓦级向数千瓦级突破,传统风冷与单相液冷技术已逐渐逼近物理极限,成为制约算力提升的核心瓶颈。Diamond Foundry(以下简称DF)在其最新技术笔记中,提出了一套颠覆性的芯片级 ...
分类:    2026-5-6 09:48
项目申报|关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知
项目申报|关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知
关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知京科基金字〔2026〕13号为贯彻落实京津冀协同发展战略,京津冀三地实施京津冀自然科学基金合作专项,2026年度将围绕氢能、生物医药2个领域受理专项项目, ...
分类:    2026-5-6 09:43
车展访谈|博世第三代碳化硅芯片重磅亮相,以技术迭代赋能全球电动化转型
车展访谈|博世第三代碳化硅芯片重磅亮相,以技术迭代赋能全球电动化转型
在万众瞩目的北京车展上,博世集团携重磅新品——第三代碳化硅芯片正式亮相,同步宣布该芯片已逐步向全球汽车制造商提供样片,再度彰显其在汽车功率半导体领域的技术引领地位。作为全球汽车技术供应商的领军者,博世 ...
分类:    2026-5-6 09:42
APEC2026报告分享:双向开关 (BDS)-宽禁带半导体的下一个颠覆性应用
APEC2026报告分享:双向开关 (BDS)-宽禁带半导体的下一个颠覆性应用
在APEC 2026会议上,Enphase Energy资深电力电子架构师Michael Harrison发表了题为《双向开关(BDS)-宽禁带半导体的下一个杀手级应用》的技术报告。该报告系统阐述了基于氮化镓(GaN)的单片集成双向开关(BDS)技 ...
分类:    2026-5-6 09:34
至信微发布650V碳化硅JFET,切入快充与数据中心电源市场
继年初发布1200V JFET产品后,至信微近日推出了第二款量产级碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。该产品具备650V耐压和低导通电阻,利用JFET特有的高速开关能力,可降低系统导通损耗,提升能效。供货方式上,至 ...
分类:    2026-4-30 11:13
安森美与蔚来深化900V平台合作
安森美与蔚来深化900V平台合作
加速向下一代900V电动汽车平台演进安森美(onsemi)进一步深化与蔚来(NIO)的长期战略合作,助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。双方的合作基于安森美EliteSiC 技术,以提升蔚来最新电动汽车系列的能 ...
分类:    2026-4-30 11:12
关于团体标准《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》修订决议
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行,会议采用线下及线上(腾讯会议)相结合的形式召开,会上对《电动汽车用功率半导体模 ...
分类:    2026-4-29 14:29
关于《碳化钽涂层表面金属含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法》团体标准立项决议
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行,会议采用线下及线上(腾讯会议)相结合的形式召开,会上,经联盟标准化委员会与会委 ...
分类:    2026-4-29 14:28
英飞凌抗辐射GaN晶体管获JANS认证 随阿尔忒弥斯2号完成深空载人首秀
英飞凌抗辐射GaN晶体管获JANS认证 随阿尔忒弥斯2号完成深空载人首秀
2026-04-29 09:49·宽禁带联盟图片来源:美国国家航空航天局2026年4月10日,NASA阿尔忒弥斯2号任务的“猎户座”飞船载着四名宇航员溅落在太平洋海域,完成了人类54年来首次载人绕月飞行,并创下载人航天器距地球最远 ...
分类:    2026-4-29 14:27
宽禁带科技论|多晶金刚石在第三代半导体上的异质外延:面向高效热管理的材料与界面工 ...
宽禁带科技论|多晶金刚石在第三代半导体上的异质外延:面向高效热管理的材料与界面工 ...
近日,复旦大学桑立雯团队综述了利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)上异质外延多晶金刚石(PCD)用于热管理的最新研究进展。研究成果以“Polycrystalline diamond heteroepitaxy on t ...
分类:    2026-4-29 14:13
上海电机学院发表12英寸SiC晶体生长重要研究成果
上海电机学院发表12英寸SiC晶体生长重要研究成果
近日,上海电机学院超宽禁带半导体团队在碳化硅(SiC)大尺寸晶体生长领域取得重要进展。该团队研究生李伟填以第一作者身份,在国际晶体工程领域知名期刊《CrystEngComm》上发表了题为“Thermal field simulation an ...
分类:    2026-4-29 13:37
告别“两难选择”:沟槽辅助平面栅SiC MOSFET分析
告别“两难选择”:沟槽辅助平面栅SiC MOSFET分析
在高压功率转换领域,碳化硅(SiC)MOSFET正成为工程师手中不可或缺的利器。然而,长久以来,选择SiC MOSFET却像在两条并不完美的道路之间做痛苦取舍:平面栅型结构制造简单、成本可控、栅极氧化层可靠性高,但导通 ...
分类:    2026-4-29 13:25

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