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斯坦福 & 宾州州立团队：突破GaN HEMT自热限制！金刚石散热方案可降热阻35%: 随着5G通信、雷达以及高频功率电子的发展，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）已成为高频、高功率射频器件的重要基础。与传统硅器件相比，GaN材料具备更高击穿电场、更高电子迁移率以及二维电子气（2DEG）特性， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:42

固态变压器爆发，为何说10kV SiC是“皇冠上的明珠”？: 2025年以来，国内外已有15家企业披露固态变压器（SST）产品进展，这一态势不仅标志着SST技术迈向落地阶段，更为10kV SiC 技术的商用化进程提供了契机。有企业预测，随着SST等核心市场的持续扩容，10kV SiC将逐步成为 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:41

破解GaN成本难题！Atomera GaN-on-Si技术进入PowerAmerica提案阶段，宽禁带功率半导体 ...: 半导体材料与技术授权公司Atomera宣布，其关于氮化镓硅基（GaN-on-Si）技术的概念书已获批进入PowerAmerica研究所主导提案（IIP）阶段，旨在推动宽禁带功率半导体技术发展。该提案提出与行业及科研伙伴合作，利用Ato ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:33

韩国投入5000亿韩元推进下一代功率半导体国产化: 在AI数据中心、电动汽车及新能源基础设施快速扩张的背景下，功率半导体的战略价值日益凸显。据韩媒《ETNEWS》报道，韩国政府正计划投入5000亿韩元（约合3.443亿美元）国家专项资金，启动下一代功率半导体国产化大型 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:26

2035年功率半导体市场全景：SiC/GaN将占1/3，氧化镓成新变量: 2026年4月28日，富士经济发布了2035年全球功率半导体市场预测报告。预计到2035年，全球功率半导体市场规模将达到73495亿日元（约3189 亿元人民币）。其中，硅（Si）功率半导体市场规模将达到48418亿日元，下一代功率 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 10:12

60款SiC新车型亮相，北京车展释放哪些信号？: 近日，历经10天的2026北京国际汽车展览会圆满落幕。据主办方透露，本届展会共展出展车1451辆，其中首发车181台、概念车71台，数量居全球车展前列，成为全球汽车产业变革的风向标。据调研发现，此次北京车展共展出60 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 10:09

超晶热导发布大尺寸光学级金刚石晶圆，自研16英寸“长晶炉”!: 近日，深圳市超晶热导技术有限公司（简称“超晶热导”）正式发布新一代大尺寸光学级金刚石晶圆，并同步宣布成功研制16英寸高真空热丝CVD金刚石生长设备（“长晶炉”）。这一系列突破标志着我国在高端金刚石材料制备 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 09:56

山东大学：氢终止金刚石 2DHG 的界面调控、形成机制及器件应用研究综述: 金刚石作为超宽禁带半导体（带隙约5.5 eV），凭借高击穿场强、高载流子迁移率及极高热导率的优异特性，被公认为潜在的“终极半导体”。然而，其本征材料难以通过传统掺杂实现有效导电，尤其是n型掺杂困难、p型激活能 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 10:04

2026年宽禁带半导体地方政策密集落地，各地产业布局加速深化: 进入2026年，宽禁带半导体产业的地方政策竞争明显提速。此前数年“国家定调、地方跟进”的节奏已经改变，各省市正以显著增强的政策密度和资金力度，将宽禁带导体深度嵌入各自的“十五五”发展蓝图。从广东针对设备投 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 10:01

38.12亿欧元 vs 15.13亿美元：英飞凌、安森美最新财报里SiC新格局: 5月4日至6日，全球功率半导体两大头部厂商安森美（onsemi）与英飞凌（Infineon）相继披露最新财季业绩。前者宣告"已走出周期底部"，后者大幅上调全年指引并启动组织架构重组。在AI数据中心电源需求爆发、汽车SiC ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 09:53

AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统，助力其功率器件大规模量产扩产: 图片来源：EQS-Media2026年5月7日，AIXTRON SE宣布向瑞萨电子（Renesas）供应多台Planetary G5+C MOCVD系统，用于其氮化镓（GaN）功率器件在量产环境中的产能扩充。该设备已交付并全面投入运行。此次交付并非孤立的 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 09:41

金刚石散热材料深度解析：从导热机理到AI芯片产业化应用: 金刚石作为一种重要的碳材料，不仅是自然界中最坚硬的物质，同时具有极高的热导率、极宽的光谱透过范围和优异的物理化学稳定性，被誉为“最硬的工业牙齿”和“终极半导体材料”。目前已被广泛应用于光学窗口、金刚石 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:30

台湾中山大学：1700V级SiC MOSFET在不同温度的HTRB实验中软穿通机理研究: 本文对1700V平面SiC MOSFET在不同温度下的HTRB试验前后的性能进行比较，发现器件在90℃和175℃下表现出了明显的击穿电压漂移。通过测试和仿真都表明，这种性能退化是因封装工艺中引入的污染物渗入到终端区域以及器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:25

SiC MOSFET 芯片解说— 芯片的耐压设计：看懂结构图中的 N⁻ 和 N⁺: 上篇文章中简单地介绍了 MOSFET 芯片的结构，最易懂的SiC MOSFET 芯片结构解说，这篇让我们更进一步来看一下，结构图中那些 N⁺、N⁻ 是什么意思。这些加减号指的是掺杂浓度的相对高低。+ 表示高掺杂， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:16

政策指引 |湖北发布规划纲要：宽禁带半导体材料写入重点布局: 近日，经湖北省第十四届人民代表大会第四次会议表决通过，《湖北省国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》正式发布。《湖北日报》受权对纲要全文进行公布。在新兴产业布局方面，纲要明确提出实施“新兴产业壮大工 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:02

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