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美国空军实验室等联合团队实现创纪录AlN单晶衬底基AlGaN晶体管: 摘要本文展示了高性能超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化场效应晶体管（PolFET）。在高面密度（1.15×1013 cm⁻2）条件下，该器件实现了创纪录的近 1 A/mm 导通电流（约 960 mA/mm）与高击穿场强（4.8 MV/cm）的协同优 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-24 10:16

从"工业牙齿"到AI算力"终极散热材料"，联合精密背后的产业新机遇: 8月18日，"豫见鹏城创投未来"豫深民营企业资本赋能专题对接活动在深圳举行。活动现场，"豫创新星"河南省创业投资企业备投项目库正式发布，经过层层遴选，共有177家优质企业成功入库，覆盖优势传统产业、新 ...; 分类: 联盟动态 2026-8-24 10:11

对话深圳平湖实验室万玉喜：从碳化硅到金刚石的“平湖方案”: 随着新能源汽车渗透率突破50%、AI算力中心以每年超过30%的增速扩张，功率器件的重要性与日俱增，并逐渐从幕后走向台前。在这一背景下，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，以及氧化镓、金刚石等第 ...; 分类: 联盟动态 2026-8-24 09:59

Yole报告：xEV功率芯片市场到2031年将翻倍至145亿美元，SiC复合年增长21.5%、GaN近90%: Yole Group在《Automotive Powertrain and Electrification 2026 – Focus on Power Electronics》报告中指出，经历2024至2025年混合动力汽车销量增长、纯电动汽车增速暂时放缓的“现实检验”后，xEV行业正重新获得 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-24 09:48

SiC “送电进机房”：清纯半导体破解AI算力电源高压供电难题: AI 算力爆发推动单机架功率迈向兆瓦级，由英伟达主导的 800V 高压直流供电架构，正加速替代传统 48V 低压供电体系。在全新供电链路中，碳化硅（SiC）承担将市电高效转换为 800V 高压直流并送入机房的任务，扮演 “送 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-24 09:41

深圳平湖实验室推出全球首个8吋GaN-on-SiC增强型HEMT工艺平台！: 当前，电力电子系统对功率半导体器件的开关速度、散热能力、长期稳定性要求越来越严苛。碳化硅基氮化镓材料（GaN-on-SiC）既具有氮化镓高频高效的优势，又具有碳化硅衬底导热快、晶格匹配度高的特性，大幅提升散热性 ...; 分类: 联盟动态 2026-8-24 09:40

【超宽禁带简报】6-7月氧化镓超大尺寸领跑，氮化铝再攀性能高峰: 2026年6-7月，超宽禁带半导体迈入“材料突围、装备自主与多场景渗透”的深水区。金刚石：散热与装备双轮驱动。散热端，科之诚、云天半导体等破解算力芯片封装瓶颈，厦大实现百纳米级裂纹控制；装备端，哈工大自研设 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-24 09:38

算力浪潮下，SiC/GaN加速AI数据中心电源落地: 随着 AI 大模型快速迭代，算力需求爆发式增长，AI 数据中心的功耗压力也随之陡增。供电系统作为算力基础设施的 “心脏”，正朝着更高功率、更高效率、更高功率密度方向快速演进，以 SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体器 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-20 11:15

IEEE｜氧退火与低注量Kr离子如何分别改变4H-SiC和β-Ga₂O₃ 肖特基二极管: 这篇工作把4H-SiC和β-Ga₂O₃两类垂直肖特基势垒二极管置于同一套组合工艺中：先在350 ℃氧气环境退火30 min，再在室温、零偏压下接受429.4 MeV Kr离子、1×10⁷ ions/cm2的低注量照射。作者关心的 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-20 11:10

博世S-Cell量产在即：嵌入式PCB改写SiC模块封装格局: 博世汽车电子事业部最近公开了碳化硅S-Cell嵌入式PCB方案。把SiC MOSFET裸片预封装成11×11 mm2的标准化功率单元，顶部做铜金属化，覆盖750V和1200V两个电压等级。博世碳化硅S-Cell这个动作释放的信号很明确：S-Cell ...; 分类: 新闻通知 2026-8-20 10:56

【氮化镓简报】6-7月V缺陷三维PN结理论登顶国家科技奖，车规认证与人形机器人关节量产 ...: 2026年6-7月，氮化镓领域呈现技术多点开花、产业链深度协同与全球化布局加速三大特征。技术前沿方面，南昌大学江风益院士团队凭“V缺陷三维PN结”原创理论获国家自然科学一等奖，国内科研机构在器件稳定性、欧姆接触 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-20 10:41

【碳化硅专题】6-7月政企协同发力，SST产业化加速落地，全球产能布局全面提速: 2026年6-7月，碳化硅（SiC）领域在政策引领与市场驱动下持续深化，从地方规划到技术突破、从产业合作到应用落地，多点发力。政策破局：上海临港发布第四代半导体三年行动方案，江苏率先出台固态变压器专项政策，地方 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-19 12:02

【政策指引】福建“十五五”规划将化合物半导体列为四大核心赛道之一，明确推动宽禁带 ...: 福建省人民政府日前正式印发《福建省“十五五”新兴产业和未来产业发展规划》（闽政〔2026〕12号）。规划提出，到2030年，力争全省工业战略性新兴产业产值占规模以上工业产值比重达35%左右，集成电路和光电产业集群 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-19 11:59

GaN器件：AI数据中心、工业自动化、机器人、汽车电子以及能源基础设施等领域应用: 如果观察近年来电子系统的发展，会发现一个有趣的现象：无论是AI数据中心、工业机器人、能源基础设施，还是新能源汽车，它们对电源系统的要求都在同步提升。一方面，系统功率持续增长；另一方面，设备尺寸、散热空间 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-19 11:55

创锐光谱碳化硅晶圆少子寿命成像系统TAU-9000系列产品升级发布: 少子寿命是表征半导体材料关键物理属性的重要参数之一。其长短直接影响载流子的迁移距离和器件的响应速度/频率，同时也能体现晶格质量（如点缺陷和杂质元素等），并反映掺杂浓度等重要信息，从而为半导体材料的应用 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-19 11:48

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