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「矢量集团SEMIX」半导体AI、测试、设备、厂务全岗招募令!
「矢量集团SEMIX」半导体AI、测试、设备、厂务全岗招募令!
来源:TrendForce集邦*声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。
分类:    2026-1-13 10:00
研报 | 2025年第三季度电动车SiC逆变器装机量创单季新高,渗透率上升至18%
研报 | 2025年第三季度电动车SiC逆变器装机量创单季新高,渗透率上升至18%
根据TrendForce集邦咨询最新调查,受惠于新能源车市场成长,2025年第三季全球电动车牵引逆变器总装机量达835万台,年增22%。纯电动车(BEV)及插电混合式电动车(PHEV)为主要动能来源,装机成长率分别为36%和13.6%。因 ...
分类:    2026-1-13 09:59
中科院苏州纳米所近年氧化镓功率器件研究进展一览
中科院苏州纳米所近年氧化镓功率器件研究进展一览
01 背景介绍超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)材料,具备高达4.8-4.9 eV的超宽禁带宽度、极高的临界击穿电场强度(约8 MV/cm)以及可通过熔体法生长大尺寸低成本单晶衬底的潜力,是制备超高压、低损耗、高性价比的下一 ...
分类:    2026-1-13 09:57
2025年终盘点:金刚石半导体七件里程碑事件
2025年终盘点:金刚石半导体七件里程碑事件
2025年,金刚石半导体正式告别实验室攻坚阶段,迈入产业化落地的关键转折期,成为解锁第四代半导体元年的核心力量。从基础材料突破到产能规模扩张,从应用场景验证到全球格局重塑,全产业链呈现多点爆发、协同推进的 ...
分类:    2026-1-13 09:34
宽禁带科技论|上硅所:3C-SiC 晶体制备研究进展
宽禁带科技论|上硅所:3C-SiC 晶体制备研究进展
全文速览本文系统综述了立方碳化硅(3C-SiC)半导体晶体材料的生长技术,涵盖化学气相沉积(CVD)、物理气相输运(PVT)、升华外延(SE)及顶部籽晶溶液生长(TSSG)等方法及其研究进展,并对比了各技术对应的晶体结 ...
分类:    2026-1-13 09:24
GaN功率半导体先锋VisIC完成超亿元B轮融资,现代汽车等最新参投
GaN功率半导体先锋VisIC完成超亿元B轮融资,现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资,Hyundai Motor Company和Kia(统称“HKMC”)作为战略投资者参投以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 -- 电动汽车氮化镓(GaN)功率半导体先锋Vis ...
分类:    2026-1-12 09:51
上海微系统所在单晶氮化铝射频滤波器研究方面取得系列进展
上海微系统所在单晶氮化铝射频滤波器研究方面取得系列进展
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称上海微系统所)俞文杰研究员、母志强研究员团队基于单晶氮化铝(AlN)和掺钪氮化铝(AlScN)压电材料,在面向5G/6G通信的高频器件、可重构射频滤波器及磁声耦 ...
分类:    2026-1-12 09:49
新增6起SiC合作,涉及小鹏汽车、深向科技等
新增6起SiC合作,涉及小鹏汽车、深向科技等
近期,国内碳化硅半导体与新能源产业合作动态频传,多家企业通过战略携手共同推进技术创新与产业化落地,为行业注入新发展动力:芯合半导体与深向科技:签署《SiC高压功率芯片车芯协同产业化项目合作协议》;联创汽 ...
分类:    2026-1-12 09:41
广州新规划:发力碳化硅、氮化镓、氧化镓等第三代半导体
广州新规划:发力碳化硅、氮化镓、氧化镓等第三代半导体
2026年1月8日,广州市人民政府办公厅正式印发《广州市加快建设先进制造业强市规划(2024—2035年)》(以下简称《规划》),明确将半导体与集成电路列为五大战略先导产业之一,提出大力发展碳化硅、氮化镓、氧化镓等 ...
分类:    2026-1-12 09:36
Coherent 扩展碳化硅平台,300 毫米产能瞄准 AI 与数据中心散热需求
Coherent 扩展碳化硅平台,300 毫米产能瞄准 AI 与数据中心散热需求
全球光学与半导体材料厂商Coherent 高意(NYSE: COHR)近日宣布,其新一代300 毫米碳化硅(SiC)平台取得重要进展。该平台面向人工智能(AI)与数据中心基础设施的高功率、高功率密度应用需求,重点提升散热效率与系 ...
分类:    2026-1-9 09:43
氮化镓上车进行时:从器件特性到系统效率的全面验证
氮化镓上车进行时:从器件特性到系统效率的全面验证
2025年12月,汇川联合动力与英诺赛科共同宣布,采用650V氮化镓的新一代6.6kW车载充电系统在长安汽车成功装车。这标志着氮化镓技术在中国新能源汽车领域迈出关键一步。该系统将车载充电器与车载直流变换器高度集成, ...
分类:    2026-1-9 09:38
颠覆认知:高位错密度≠高漏电,GaN-on-Sapphire商业化的真相
颠覆认知:高位错密度≠高漏电,GaN-on-Sapphire商业化的真相
异质外延带来的高位错密度通常是漏电流的噩梦。然而,一项最新的研究通过精细的MOCVD生长控制和独特的拉曼光谱表征方法,给出了令人意外的答案:即便位错密度高出两个数量级,我们依然可以获得极具竞争力的反向漏电 ...
分类:    2026-1-9 09:36
超4亿,又有3家SiC企业获融资
超4亿,又有3家SiC企业获融资
在新能源汽车、AI 数据中心等下游需求的强劲驱动下,碳化硅凭优异的材料特性正持续获得资本青睐。近日,又有3家SiC企业官宣融资动态:致瞻科技:完成近3亿元C轮融资,再深化碳化硅布局;芯联动力:完成新一轮战略融 ...
分类:    2026-1-8 09:48
中国科学技术大学龙世兵教授团队:具有高响应度和快速响应速度的a-SnOₓ/β-Ga&# ...
中国科学技术大学龙世兵教授团队:具有高响应度和快速响应速度的a-SnOₓ/β-Ga&# ...
由中国科学技术大学龙世兵教授的研究团队在学术会议2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)发布了一篇名为 ...
分类:    2026-1-8 09:46
Wolfspeed实现12英寸SiC突破
Wolfspeed实现12英寸SiC突破
1月5日,据Power Electronics International官网报道,Wolfspeed已成功演示12英寸SiC单晶衬底,这代表着其向下一代计算平台、沉浸式 AR/VR 系统以及高效电源设备发展迈出了一大步。Wolfspeed首席技术官Elif Balkas表 ...
分类:    2026-1-8 09:41

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