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创锐光谱光学无损检测技术助力国际头部厂商实现SiC晶圆缺陷研究: 近日，国际头部SiC晶圆生厂商Coherent（高意）采用创锐光谱SiC无损检测、XRT（X-Ray Topography）、时间分辨荧光（TRPL）等多种技术在SiC衬底、外延和器件的缺陷研究中取得新进展！在SiC衬底位错缺陷研究中，Coheren ...; 分类: 新闻通知 2026-7-27 10:26

3.3kV SiC进军中压SST：封装绝缘与寄生参数评审要点实战指南: 3.3 kV SiC MOSFET正在从实验样品走向标准化功率模块。对中压固态变压器（Solid-State Transformer，SST）团队来说，这当然是好消息：单元电压可以提高，级联单元、隔离电源和通信节点有机会减少，开关频率也不必像 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-27 10:24

镓仁晶圆级厚膜外延片通过器件验证，性能超越进口产品: 近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）生产的氧化镓同质厚膜外延片，在西安电子科技大学顺利完成无终端结构的SBD器件制备与性能验证。本次验证所用的厚膜外延片，外延层厚度10 μm、载流子浓度1× ...; 分类: 新闻通知 2026-7-27 10:10

江苏发布固态变压器行动方案：攻关SiC/GaN功率器件等核心技术: 日前，江苏省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅联合印发《江苏省固态变压器产业创新发展行动方案》。固态变压器（又称电力电子变压器）是一种基于先进电力电子技术与高频电磁感应技术的新型电力设备 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-27 09:44

中科院半导体所刘兴昉：退火实现晶圆级二维Ga₂O₃薄膜带隙调控: 二维氧化镓（2D-Ga2O3）兼具超宽禁带半导体和二维材料的独特优势，在太阳盲紫外探测、透明电子和柔性光电子器件中具有重要应用潜力。然而，2D-Ga2O3并非典型范德华层状材料，难以像石墨烯或过渡金属硫族化合物那样通 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-24 10:13

ABB收购Advantics，碳化硅方案能力如何补齐AIDC的最后一块拼图: 7月中旬，ABB在官网发布消息：称公司正在收购总部位于法国的碳化硅电源转换解决方案专业供应商Advantics。公告称：此次收购将扩展ABB的直流(DC)产品组合，并使公司能够更好地满足数据中心、工业微电网、发电和电动汽 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-24 10:10

AIXTRON落子槟城：4000万欧元建厂，剑指“AI Power Wall”与“AI Data Wall”: 7月23日，德国沉积设备龙头AIXTRON SE宣布，正在马来西亚槟城建设一座先进的制造与工程设施，将其在第三代半导体领域的技术能力带入马来西亚。该设施预计年底前填补约150个职位。项目概况：4000万欧元，8.5英亩AIXTR ...; 分类: 新闻通知 2026-7-24 10:04

碳化硅外延：功率半导体产业链的“价值高地”: 碳化硅外延片，是指在碳化硅单晶衬底表面，通过外延工艺生长出一层晶格结构与衬底一致、高纯度、低缺陷、可精确控制掺杂的单晶薄膜的碳化硅晶圆。该产品位于碳化硅产业链的“衬底—外延—器件—模块”中游环节。碳化 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-24 10:02

氮化镓也能做成纳米晶体了？芝加哥大学团队在《自然》发文，突破金属氮化物“纳米化” ...: 7月21日，国际顶级学术期刊《自然》发表了芝加哥大学与阿贡国家实验室的一项研究成果。科研团队首次成功将多种金属氮化物材料制备为胶体纳米晶体，包括氮化镓（GaN）、氮化钛（TiN）、氮化铌（NbN）等。这项突破解决 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-23 09:38

宽禁带科技论|石溪大学团队绘制SiC薄膜原子级生长机理：衬底温度与斜切角调控缺陷与应 ...: 近日，纽约州立大学石溪分校onsemi宽禁带材料研究中心团队在《Journal of Applied Physics》发表封面论文"Mechanisms of nucleation, dislocation formation, and stress evolution during atomistic growth of Si ...; 分类: 新闻通知 2026-7-23 09:28

800V车型SiC渗透率77%，功率半导体景气度上行信号明确: 7月17日，国信证券发布能源电子行业月报，指出功率器件交期持续拉长，行业景气度稳步提升。从2025年第一季度开始，功率器件交期逐步拉长；2026年第一季度部分器件价格开启上涨；进入二季度，交期持续延长，价格保持 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:58

【科研速递】吉林大学实现N极性GaN/AlGaN异质结构2DEG迁移率1947 cm2/V·s，创SiC衬底 ...: 近日，吉林大学研究人员在碳化硅（SiC）衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长的氮极性（N-polar）GaN/AlGaN异质结构中，实现了二维电子气（2DEG）迁移率的显著提升。该成果发表于《Applied Physics Lett ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:56

从“好用”到“卓越”：博世第三代碳化硅 MOSFET，如何真正满足车规级需求？: 电动化出行的发展，始终围绕几个关键的系统级需求展开：续航、性能，以及在真实工况下的长期可靠性。而这些需求，最终都会汇聚到电驱系统中最关键的核心部件之一——牵引逆变器。牵引逆变器不仅需要在动态负载条件下 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:32

氧化镓：超宽禁带半导体的新进展: AI驱动下的数据中心热潮或许终有一天会降温。但在资金持续涌入的当下，将AI加速器塞进19英寸机架的需求，正在深刻改变电力输送的方式。几年前，在板卡级别直接从800V转换到12V似乎还不切实际。但随着机架级配电中的 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:29

苏州纳米所孙钱团队在ISPSD 2026连发两项GaN功率器件突破: 在日前举行的功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD 2026上，中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队连续发表了两项研究进展。针对高压GaN功率器件在工程应用中长期面临的“栅极阈值电压漂移”和“导通电阻居高不下”两大瓶 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:28

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