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广州拓诺稀科技有限公司实现(010)氧化镓SBD器件技术突破: 实现(010)氧化镓SBD器件技术突破近日，广州拓诺稀科技有限公司（以下简称“公司”）在氧化镓（Ga₂O₃）功率器件领域取得阶段性进展。继（010）厚膜同质外延技术突破后，公司基于自主外延材料完成肖特基势 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-12 12:01

观察｜9580万美元加单背后：SiC外延环节的价值重估: ”9580万美元，约合7.5亿港币，2026年底前交完“。我们今天来回顾一下节前业内讨论最热闹的新闻，瀚天天成9月24日这则公告。简化一下新闻内容用一句话说就是，瀚天的一个主要国际客户增购6英寸和8英寸SiC外延片，" ...; 分类: 新闻通知 2026-10-12 12:00

金刚石散热，到底卡在哪一步电子科大联合微电子中心联合综述分析: 芯片散热讨论中，金刚石很容易被一个数字概括：高质量单晶在室温下的热导率可超过2000 W/(m·K)。这个数字足够亮眼，却没有回答一个更实际的问题——芯片里的热，能不能真正用上它？热量要先离开发热区域，穿过半导 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-12 11:58

国务院文件里的"光储直柔"，和 SiC 有什么关系？: 「光储直柔」这四个字，已经写进了国务院的文件。2021 年 10 月，国务院印发《2030 年前碳达峰行动方案》，原文是这么说的：**「提高建筑终端电气化水平，建设集光伏发电、储能、直流配电、柔性用电于一体的’光储直 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-12 11:56

年产能超200万只！4个碳化硅项目加速投产: 近日，国内4个碳化硅项目传来新进展，其建设进程持续提速：中宜创芯：光学级碳化硅粉体项目建设进度已经达到80%。利普思：扬州SiC项目一期预计年底建成交付，年产能150万只；银河微电：新基地预计明年二季度进入试产 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:44

金刚石简报金刚石散热综述上线、美企金刚石冷板发布、楚江获买入: 01 电子科大团队金刚石异质集成热管理综述上线，四大半导体平台路线图一次铺开2026年10月3日（期刊 online 日）　来源：Journal of Materials Science / Springer（DOI）10月3日，电子科技大学吴世航、陈元福团队联 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:34

京都大学把SiC推上6英寸：能扛600℃不算本事: 导读：晶圆中心区的阈值电压标准差小于 0.07 伏——这个数字背后，才是 SiC 从实验室走向工厂的真正门槛。在实验室里做出一块性能漂亮的晶片，和在整片晶圆上把它重复做出来，中间的距离，大概相当于一个厨子在家炒 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:30

字节/腾讯/阿里等集体押注800VDC，GaN为何是刚需？: 9月，中央网信办、国家发展改革委、工业和信息化部等七部门联合发布《促进数字化绿色化协同转型发展实施方案（2026-2030年）》，明确提出“探索算力设施800V高压直流供电架构，推动超百千瓦单机柜部署”。与此同时， ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 13:26

【Sponsorship】第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议火热招商中: ·INVITATION·第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2026）将于2026年11月25日-27日在中国·北京召开，预计参会规模500人，设置展位70-80个。会议以“Application-Driven Innovation”为主题，聚焦宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-10 11:52

长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布: 当前，新能源汽车电驱系统正向更高功率密度、更小体积与更低成本加速迈进。传统灌封与塑封模块已触及性能天花板，难以满足下一代车规主驱的严苛需求。PCB嵌入式技术应势而生——将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 10:01

SiC MOSFET：体二极管与栅氧可靠性怎样理解？: SiC MOSFET把栅控沟道、耐压漂移区和一个内建PN结放在同一纵向结构中。它导通快、耐压高，但反向电流走哪条路、栅氧为何会退化，不能只靠“宽禁带”三个字回答。读完本文，你能沿剖面说清两条导电路径，并分辨体二极 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:51

【行业人才招聘】华润微电子2027届校园招聘正式启动！: 来源：华润微电子招聘注：本文由作者原创,由联盟编辑整理。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:43

5个氮化镓项目落地，8英寸量产进程加速: 近日，又有5个氮化镓项目持续推进，值得关注的是，8英寸氮化镓的市场化进程正不断加快：格晶半导体：南充先进封测项目开工，完善IDM体系建设；京东方华灿：氮化镓产线商业化投产进程持续推进，700V产品已实现交付； ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:40

Wolfspeed推出高端200毫米碳化硅衬底: 随着碳化硅（SiC）器件产业朝着更高电压和更大裸芯片尺寸推进，材料级质量和晶圆一致性已成为关键差异化要素。Wolfspeed 的 Premium 高端 200 mm n-型碳化硅（SiC）衬底在缺陷密度、微管数量和晶圆片形稳定性等多项 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-8 09:37

理想，开放碳化硅功率模块外供！: 近期有报道称，理想汽车近期启动核心自研技术对外供应，首批开放马赫智驾芯片、斯科半导体碳化硅功率模组以及整套增程系统，部分板块已完成独立实体拆分，尝试以技术外供开辟新的收入来源。芯片方面，理想为马赫芯片 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-30 09:11

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