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90%转移良率!金刚石薄膜高效异质集成
90%转移良率!金刚石薄膜高效异质集成
金刚石在高功率电子(如GaN-金刚石复合器件)、X射线探测器、量子传感等领域展现出巨大潜力,但高质量大尺寸金刚石衬底的获取始终是瓶颈。目前主流方法包括同质外延和异质外延CVD生长,但均存在缺陷密度高、生长时间 ...
分类:    2026-2-9 09:42
浙江大学杨德仁院士、张辉教授团队开展面向器件应用的 4 英寸 Fe 掺杂 β-Ga₂O& ...
浙江大学杨德仁院士、张辉教授团队开展面向器件应用的 4 英寸 Fe 掺杂 β-Ga₂O& ...
由浙江大学杨德仁院士、张辉教授的研究团队在学术期刊《人工晶体学报》发布了一篇名为Growth and Properties of 4-Inch Fe Doped (010) β-Gallium Oxide Using Vertical Bridgman Method(垂直布里奇曼法生长4英寸F ...
分类:    2026-2-9 09:41
困扰PGaN栅制造多年的“刻蚀”难题,被一个“三明治”结构破解了
困扰PGaN栅制造多年的“刻蚀”难题,被一个“三明治”结构破解了
一、行业痛点:增强型GaN的栅极刻蚀问题如果我们把目光投向当下的功率半导体市场,氮化镓(GaN)无疑是最耀眼的明星。从快充头到激光雷达,再到数据中心电源,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)正在重塑电力电子 ...
分类:    2026-2-9 09:31
固态变压器爆发在即,SiC如何撬动千亿蓝海市场?
固态变压器爆发在即,SiC如何撬动千亿蓝海市场?
全球人工智能数据中心“军备竞赛”拉开了800 VDC新型电力系统的序幕。固态变压器作为核心设备,已在多个数据中心落地应用。据调研,国内某固态变压器企业的订单将增长700%,整个行业正处于大规模商用的爆发前夜,一 ...
分类:    2026-2-9 09:27
中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心招聘启事
中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心招聘启事
No.1 中心简介中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心(以下简称“中心”)面向凝聚态物理与材料科学的重大前沿问题,聚焦“数据—模型—计算—实验—验证”一体化的新范式,围绕AI for Science(AI4S)与AI fo ...
分类:    2026-2-6 09:57
在GaN衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极
在GaN衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极
AOM丨厦门大学张洪良教授团队:在GaN(0001)衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极用于光电子学应用由厦门大学张洪良教授的研究团队在学术期刊 Advanced Optical Materials 发布了一篇名为Epitaxial ...
分类:    2026-2-6 09:56
射频氮化镓,持续增长
射频氮化镓,持续增长
5G的发展以及国防和卫星通信领域对高功率射频氮化镓技术的日益普及,推动了该技术的持续增长。根据Yole Group最新发布的射频氮化镓(RF GaN)市场报告,氮化镓器件在高功率射频信号的产生和放大中发挥着关键作用,其 ...
分类:    2026-2-6 09:50
国产首款SiC MOS固态变压器实现批量供货
国产首款SiC MOS固态变压器实现批量供货
2月5日,凌锐半导体正式宣布,全国首款基于国产SiC MOS芯片的固态变压器(SST)研发取得圆满成功。该项目由凌锐半导体提供SiC芯片方案,目前相关产品已顺利进入批量供货阶段,标志着我国在第三代半导体功率器件应用 ...
分类:    2026-2-6 09:23
中电科装备首台套12英寸碳化硅减薄设备交付
中电科装备首台套12英寸碳化硅减薄设备交付
近日,由电科装备下属北京中电科公司自主研制的国内首台套12英寸碳化硅晶锭减薄设备、衬底减薄设备成功发货,顺利交付行业龙头企业,标志着国产设备在大尺寸碳化硅加工领域实现新突破,为大尺寸衬底产能升级提供重要 ...
分类:    2026-2-6 09:18
注入工艺对SiC MOSFET栅氧质量的影响
注入工艺对SiC MOSFET栅氧质量的影响
今天为大家介绍一篇2025年的文章,来自阳明交通大学,主要内容是注入工艺对SiC MOSFET栅氧质量的影响,先介绍背景,近年,SiC功率器件的商业应用不断拓展,商用器件的主要类型包括SiC MOSFET、SiC SBD和SiC JFET,对 ...
分类:    2026-2-5 15:23
强强联合!芯塔电子与楚睿智能达成战略合作!
强强联合!芯塔电子与楚睿智能达成战略合作!
2月4日,安徽芯塔电子科技有限公司与芜湖楚睿智能科技有限公司举行战略合作签约仪式。芯塔电子董事长兼总经理倪炜江博士与楚睿智能常务副总汪明先生分别代表双方签署协议。此举标志着两家在产业链上深度互补的创新企 ...
分类:    2026-2-5 15:20
英诺赛科GaN产品打入谷歌供应链
英诺赛科GaN产品打入谷歌供应链
2月3日,英诺赛科在官网发布《有关与谷歌公司重大业务进展的公告》:公司旗下氮化镓相关产品已成功完成在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入,并正式签订合规供货协议。图片来源:英诺赛科公告截图作为全球氮化镓 ...
分类:    2026-2-5 15:19
三代半新应用:InGaN/GaN超晶格实现高效光解水,太阳能制氢效率突破3%
三代半新应用:InGaN/GaN超晶格实现高效光解水,太阳能制氢效率突破3%
第一作者:Yuyang Pan, Bingxing Zhang, Zhengwei Ye通讯作者:Bingxing Zhang, Zetian Mi通讯单位:美国密歇根大学摘要美国密歇根大学研究团队在《Nature Energy》发表最新研究成果,通过基于第三代半导体氮化铟镓/ ...
分类:    2026-2-5 15:18
GaN 双向开关:器件技术、应用与未来展望
GaN 双向开关:器件技术、应用与未来展望
编者按功率器件的持续创新始终是驱动电力电子技术演进的核心力量。近年来,单片集成的 GaN 双向功率器件(GaN Bidirectional Switch, GaN BDS)迅速崛起,凭借其天然具备的四象限开关能力,为交流电能转换带来了前所 ...
分类:    2026-2-4 09:30
2026款小鹏P7+携800V高压SiC平台海外发运
2026款小鹏P7+携800V高压SiC平台海外发运
2月2日,小鹏汽车正式宣布,全球首款AI汽车2026款小鹏P7+开启大规模海外发运,首批车辆从连云港启运,将送达全球18个国家和地区,标志着搭载国产混合碳化硅技术的800V高压平台正式迈向全球化市场验证阶段。图片来源 ...
分类:    2026-2-4 09:21

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