中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

【行业人才招聘】山东大学：2026年度海外优青项目申报启动: 一、项目定位优秀青年科学基金项目（海外）旨在吸引和鼓励在自然科学、工程技术等方面已取得较好成绩的海外优秀青年学者（含非华裔外籍人才）回国（来华）工作，自主选择研究方向开展创新性研究，促进青年科学技术人 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 10:04

早稻田大学团队：金刚石MOSFET新进展: 金刚石作为一种宽禁带半导体材料，具有极高的击穿场强、热导率和载流子迁移率潜力，被认为是下一代高功率、高频电子器件的理想材料。金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其卓越的电气性能而被认为是高功 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:44

imec：12英寸GaN将在2年内实现量产突破: 2025年11月，imec宣布将与爱思强、格罗方德等企业合作，旨在开发12英寸GaN外延生长技术、低压和高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺流程。近日，imec的研究员兼GaN功率电子项目总监Stefaan Decoutere接受了媒体采 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:43

甬江实验室攻克大尺寸超薄碳化硅晶圆加工难题: 甬江实验室异构集成研究中心聚焦第三代半导体核心基材加工难题，在6-8英寸大尺寸超薄单晶碳化硅晶圆研发领域取得重大技术突破，成功制备出厚度20-30微米的高品质单晶碳化硅晶圆，核心指标达行业领先水平，已具备向下 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:41

宽禁带科技论|西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队：采用微流道冷却技术攻克GaN ...: 近日，西安电子科技大学的郝跃院士、张进成教授领导的研究团队在学术期刊IEEE Journal of the Electron Devices Society发布了一篇名为Microchannel Cooling for Performance Enhancement of GaN-on-Si HEMT With a ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:36

硅基SiC薄膜制备与应用研究进展: 杨晨光，王秀峰陕西科技大学材料科学与工程学院，西安 710021摘要:碳化硅（SiC）材料具有极为优良的物理、化学及电学性能，可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用，碳化硅还是极端工作条件下微机电系统（MEMS） ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 10:17

硬核干货：如何完美解决GaN on SiC背面通孔蚀刻中的难题？: 一、隐秘的角落：高功率GaN器件背后的“硬骨头”在第三代半导体特别是射频（RF）和微波领域，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）的结合无疑是当下的“黄金搭档”，尤其是伴随着SiC衬底价格的下降，未来GaN on SiC极有可能 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 09:37

6英寸GaAs/SiC晶片直接键合技术，用于增强高功率器件热管理: 背景介绍GaAs 因超高电子迁移率（~8500 cm2/V・s）和直接带隙，广泛应用于 5G 通信、光电子器件，但热导率仅～55 W/m・K，且 3D 集成与器件微型化导致热流密度激增，严重影响器件性能与可靠性（温度每升 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 09:25

碳化硅器件表界面缺陷与可靠性: 来源：电力电子网*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:30

金刚石半导体，走到哪一步了？: 近日，有消息报道，美日两国决定联合计划在5500亿美元的投资框架下共同生产人造金刚石，这一消息立即引发了全球关注，尤其是在半导体供应链和地缘政治格局方面，意义深远。这项合作不仅是美国应对中国在技术和供应链 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:18

金刚石引爆“十五五”新材料焦点：散热、半导体、高端研磨: 导语当AI芯片算力突破每秒万亿次、5G基站密度持续增加、半导体制程向1nm逼近，“散热瓶颈”与“材料极限”正成为产业升级的关键挑战。兼具超高热导率（是铜的5倍）与超宽禁带特性的金刚石，正从传统研磨领域跃迁为“ ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:17

大湾区大学全球公开招聘！: 大湾区大学以高起点谋划、高标准建设，面向全球汇聚英才，致力于构建理工科、小而精、高水平的新型研究型大学发展生态。为进一步加强学科建设，提升教学科研与管理水平，助力学院高质量发展，现面向海内外公开招聘。 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:15

垂直GaN：电力电子高压化的终极答案？: 从手机百瓦快充到数据中心电源，氮化镓（GaN）凭借高频、高效的优势，已成功颠覆了中低压功率世界。然而，当应用场景转向电动汽车主驱、可再生能源电网等1200V以上的高压主战场时，传统横向结构的GaN器件却显得力不 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:12

西安电子集成电路学部诚邀全球英才依托申报2026年海外优青项目: 文章来源：西电集成电路学部*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-29 09:50

碳化硅（SiC）在不同电机上的应用差异: 碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体，其特性重塑了电机驱动系统的设计范式。物理特性优势：击穿场强（3.0 MV/cm）：允许器件厚度减少90%，实现更紧凑的功率模块设计。热导率（4.9 W/cm·K）：散热效率提升，冷却系 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-29 09:46

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 278 / 278 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部