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山东大学：氢终止金刚石 2DHG 的界面调控、形成机制及器件应用研究综述: 金刚石作为超宽禁带半导体（带隙约5.5 eV），凭借高击穿场强、高载流子迁移率及极高热导率的优异特性，被公认为潜在的“终极半导体”。然而，其本征材料难以通过传统掺杂实现有效导电，尤其是n型掺杂困难、p型激活能 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 10:04

2026年宽禁带半导体地方政策密集落地，各地产业布局加速深化: 进入2026年，宽禁带半导体产业的地方政策竞争明显提速。此前数年“国家定调、地方跟进”的节奏已经改变，各省市正以显著增强的政策密度和资金力度，将宽禁带导体深度嵌入各自的“十五五”发展蓝图。从广东针对设备投 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 10:01

38.12亿欧元 vs 15.13亿美元：英飞凌、安森美最新财报里SiC新格局: 5月4日至6日，全球功率半导体两大头部厂商安森美（onsemi）与英飞凌（Infineon）相继披露最新财季业绩。前者宣告"已走出周期底部"，后者大幅上调全年指引并启动组织架构重组。在AI数据中心电源需求爆发、汽车SiC ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 09:53

AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统，助力其功率器件大规模量产扩产: 图片来源：EQS-Media2026年5月7日，AIXTRON SE宣布向瑞萨电子（Renesas）供应多台Planetary G5+C MOCVD系统，用于其氮化镓（GaN）功率器件在量产环境中的产能扩充。该设备已交付并全面投入运行。此次交付并非孤立的 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 09:41

金刚石散热材料深度解析：从导热机理到AI芯片产业化应用: 金刚石作为一种重要的碳材料，不仅是自然界中最坚硬的物质，同时具有极高的热导率、极宽的光谱透过范围和优异的物理化学稳定性，被誉为“最硬的工业牙齿”和“终极半导体材料”。目前已被广泛应用于光学窗口、金刚石 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:30

台湾中山大学：1700V级SiC MOSFET在不同温度的HTRB实验中软穿通机理研究: 本文对1700V平面SiC MOSFET在不同温度下的HTRB试验前后的性能进行比较，发现器件在90℃和175℃下表现出了明显的击穿电压漂移。通过测试和仿真都表明，这种性能退化是因封装工艺中引入的污染物渗入到终端区域以及器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:25

SiC MOSFET 芯片解说— 芯片的耐压设计：看懂结构图中的 N⁻ 和 N⁺: 上篇文章中简单地介绍了 MOSFET 芯片的结构，最易懂的SiC MOSFET 芯片结构解说，这篇让我们更进一步来看一下，结构图中那些 N⁺、N⁻ 是什么意思。这些加减号指的是掺杂浓度的相对高低。+ 表示高掺杂， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:16

政策指引 |湖北发布规划纲要：宽禁带半导体材料写入重点布局: 近日，经湖北省第十四届人民代表大会第四次会议表决通过，《湖北省国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》正式发布。《湖北日报》受权对纲要全文进行公布。在新兴产业布局方面，纲要明确提出实施“新兴产业壮大工 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-8 14:02

阿基米德Diamond Inside：金刚石“嵌”入功率模块，热阻直降40%: 2026年4月26日至28日，在第四届中国（安徽）科技创新成果转化交易会（科交会）上，阿基米德半导体首次公开展示了其颠覆性的“Diamond Inside”系列1200V ACP-3S三电平功率模块。这不仅是一款新产品的发布，更被视为 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-7 09:55

英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书- SiC MOSFET栅氧可靠性介绍: 今天分享的是2025年10月英飞凌发布了第二版SiC功率半导体可靠性白皮书，相比于2020年的第一版增加了很多内容。SiC MOSFET栅氧可靠性简介过去十年SiC 技术已发展得基本成熟，SiC MOS 器件的栅极氧化层可靠性已逐步取 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-7 09:52

金刚石衬底液冷散热未来：Diamond Foundry白皮书内容核心解读: 随着AI芯片功耗持续攀升，从当前主流千瓦级向数千瓦级突破，传统风冷与单相液冷技术已逐渐逼近物理极限，成为制约算力提升的核心瓶颈。Diamond Foundry（以下简称DF）在其最新技术笔记中，提出了一套颠覆性的芯片级 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:48

项目申报|关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知: 关于发布2026年度京津冀自然科学基金合作专项项目申报的通知京科基金字〔2026〕13号为贯彻落实京津冀协同发展战略，京津冀三地实施京津冀自然科学基金合作专项，2026年度将围绕氢能、生物医药2个领域受理专项项目， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:43

车展访谈｜博世第三代碳化硅芯片重磅亮相，以技术迭代赋能全球电动化转型: 在万众瞩目的北京车展上，博世集团携重磅新品——第三代碳化硅芯片正式亮相，同步宣布该芯片已逐步向全球汽车制造商提供样片，再度彰显其在汽车功率半导体领域的技术引领地位。作为全球汽车技术供应商的领军者，博世 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:42

APEC2026报告分享：双向开关 (BDS)-宽禁带半导体的下一个颠覆性应用: 在APEC 2026会议上，Enphase Energy资深电力电子架构师Michael Harrison发表了题为《双向开关（BDS）-宽禁带半导体的下一个杀手级应用》的技术报告。该报告系统阐述了基于氮化镓（GaN）的单片集成双向开关（BDS）技 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-6 09:34

至信微发布650V碳化硅JFET，切入快充与数据中心电源市场: 继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日推出了第二款量产级碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。该产品具备650V耐压和低导通电阻，利用JFET特有的高速开关能力，可降低系统导通损耗，提升能效。供货方式上，至 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-30 11:13

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