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英飞凌推出用于航天电源系统的辐射强化氮化镓驱动器: 卫星电源系统越来越需要辐射强化组件，以便在极端环境条件下实现高效电力转换。英飞凌科技推出了RIC70115，这是一种用于氮化镓高迁移率晶体管（GaN HEMT）的辐射强化栅极驱动器，专为卫星及其它高可靠性空间应用开发 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:37

800V电动汽车创新正在重新定义AI数据中心供电架构: 根据IDTechEx在《Power Electronics Market 2026-2036: Data Centers, Electric Vehicles, and Renewables》市场报告中的预测，数据中心的电力电子市场到2036年将增长2.5倍。IDTechEx分析师指出，过去十年间，电动汽 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:35

碳化硅如何支撑世界杯的绿色与智能？: 当全球观众为绿茵场上的进球欢呼时，很少有人会留意到，一场顶级足球盛会的平稳运转，其背后是一套庞大科技基建系统在协同作战。从场馆屋顶源源不断输出的绿电，到穿梭于城市间的零碳接驳车；从全场覆盖的5G超高清转 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:34

氧化镓全景解读：外延生长——从衬底走向器件的关键环节: 导读：在氧化镓材料体系中，高质量单晶衬底解决了器件制造所需的材料基础问题，但要进一步实现高耐压、低导通损耗以及可控的器件结构，仅依靠衬底本身是不够的。外延层承担着构建器件关键功能区域的重要作用。通过外 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:18

芯聚能、芯粤能完成7亿元融资，SiC MOS已批量上车: 7月15日，芯聚能、芯粤能共同在官微宣布，他们顺利完成D轮配套股权融资交割，融资总额超7亿元人民币。本次融资由万联天泽旗下天泽晶芯基金领投，上海云泽锦沃、西交一八九六两大机构跟投。据了解，芯聚能、芯粤能已 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-17 09:29

SK Powertec与RootSemicon合作开发1200V SiC MOSFET: 2026-07-17 09:21·宽禁带联盟7月15日，韩国媒体报道，功率半导体设计企业RootSemicon与碳化硅专业晶圆制造商SK Powertec联合研发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET已完成首轮工程流片，平均良率达到80%。对于大尺寸高 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-17 09:28

郑州大学：金属辅助外延策略实现氧化镓/金刚石共价键合: 2026-07-17 09:13·宽禁带联盟近日，郑州大学金刚石材料与器件团队在金刚石散热应用方面取得重要进展，通过“金属辅助外延生长策略”实现了高质量高取向b-Ga2O3在金刚石上的异质外延，该异质界面表现出高界面结合力 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-17 09:27

德国博世，斥巨资在美国建SiC工厂: 德国汽车零部件和芯片制造商博世周一表示，该公司已开始在其美国第一家半导体工厂进行样品生产，并与美国商务部最终敲定了一项价值 2.25 亿美元的协议，以加强美国国内碳化硅芯片的制造。在唐纳德·特朗普总统执政期 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:36

苏州纳米所纳米加工平台氧化镓垂直功率器件取得系列进展: 超宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）兼具高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、本征日盲紫外响应，且大尺寸单晶衬底可熔体法低成本制备的特点，近年来在功率射频电子、深紫外探测、压电铁电和智能感知等方面广受关注。国 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:31

宽禁带半导体登上院士大会讲台：江风益院士报告硅基氮化镓，V缺陷从“大害”变“大用 ...: 中国科学院学部第十届学术年会全体院士学术报告会7月10日，中国科学院学部第十届学术年会全体院士学术报告会在北京举行。500余位院士到场，7位院士围绕基础科学前沿作报告。江风益是信息技术科学部唯一一位报告人。 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:22

宽禁带科技论|GaN功率器件与转换器架构在AI数据中心中的应用：效率、可靠性与部署路径: 近日，北卡罗来纳大学夏洛特分校Donald Intal与Abasifreke Ebong在arXiv预印本平台发表综述论文“GaN Power Devices and Converter Architectures for AI Data Centers: Efficiency, Reliability, and Deployment Pa ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 10:08

从概念到量产，氮化镓全链获资本加码: 前言如果给2026年上半年的硬科技投资圈选一个关键词，“氮化镓”一定榜上有名。从年初到6月底，国内GaN赛道几乎以平均每月2起的节奏官宣融资，涉及衬底、外延、器件设计、IDM、测试设备、传感器等全链条环节。梳理下 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 09:56

用“钻石”为芯片降温，金刚石——又一个千亿级赛道: 2026年的半导体行业，一个略显“复古”的材料站到了聚光灯下——金刚石，也就是我们常说的钻石的原石。今年6月，英特尔CEO陈立武（Lip-Bu Tan）在播客节目“No Priors”上谈到，当传统制程微缩逐渐逼近物理极限，他 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 09:55

SiC功率器件产业链拆解：从6英寸到8英寸，国产翻盘与SST新战场: 碳化硅功率器件，供需反转——8英寸国产翻盘，SST才是下一个战场01 行业概览什么是碳化硅（SiC）功率器件？碳化硅是第三代宽禁带半导体材料的核心代表——击穿电场强度是硅的10倍，热导率是硅的3倍，在相同耐压下芯 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-14 09:43

山东大学张雷：蓝宝石图形-多孔薄膜复合衬底生长GaN单晶研究: 原文DOI：10.15541/jim20250481引用本文：SHAO H H, LI Q B, WANG S Z, et al. Research on Growth of GaN Single Crystals on Sapphire Patterned-porous Thin Film Composite Substrate. J. Inorg. Mater., DOI: 1 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 10:08

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