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MOS管及本征增益简介: MOS管及本征增益简介MOS管MOS,是金属-氧化物-半导体场效应晶体管英文名称的缩写，是一种独特的半导体器件，它通过电场效应来控制输出回路的电流，这一特性使其得名。该器件主要依赖半导体中的多数载流子进行导电，因 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-15 09:18

【项目申报】科技部已正式启动6个国家科技重大专项、82个国家重点研发计划: 根据党中央、国务院关于科技计划管理改革的有关要求，国家科技重大专项、国家重点研发计划主责单位由科技部调整至各部委。为了让大家更清楚地掌握我国科研项目的布局，整理了2024年度科技部主管的国家科技重大专项、 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-15 09:11

宽禁带科技论|分子束外延生长的Sn掺杂Ga₂O₃同质外延薄膜的电输运性质和电 ...: 在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” （项目编号：2022YFB3605500）支持下，厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）提供的分子束外延（MBE）制备氧化 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-15 09:05

电动游艇也用SiC？保时捷再次出手: 碳化硅的终端应用范围仍在不断拓宽，小编整理了近期的相关应用案例，涉及轨道交通应用、储能、充电站等，详情请看：广州地铁、日本JR列车：采用SiC半导体技术广州地铁绿智城轨车辆应用全碳化硅变流永磁牵引系统据“ ...; 分类: 新闻通知 2025-1-14 09:18

宽禁带科技论|深圳平湖实验室：不同金属元素固溶对β相氧化镓能带结构的调控机制: 深圳平湖实验室第四代材料器件课题组针对β相氧化镓p型导电困难问题，在理论上考察了不同金属元素固溶对β相氧化镓能带结构的调控机制。该成果“Effect of Alloying Metal Elements on the Valence Band of β‑ ...; 分类: 新闻通知 2025-1-14 09:10

碳化硅减薄过程中减少纹路的方法: 一、引言碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中，碳化硅片的减薄是一个重要环节，它可以提高 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-13 09:23

Aehr获氮化镓功率器件企业订单: Aehr集成了WaferPak Aligner的FOX-XP系统计划立即发货。source：AehrAehr总裁兼首席执行官Gayn Erickson透露，公司与该客户合作时间已超一年，帮助他们完成向下游交付氮化镓功率器件所需的评估和认证过程。在过去的 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-13 09:21

金刚石半导体材料领先企业化合积电联合创始人、总经理张星：携手产业链上下游，共同 ...: 近年来，在国际压力及政府资金和其他激励措施的支持和推动下，国内涌现出一大批优秀且专业的化合物半导体团队和创业公司。由于强大的电信和汽车行业的存在，供应链机遇推动化合物半导体市场愈加火热，不断实现高速增 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-13 09:20

镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶: 杭州镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长领域再次取得新进展，通过对自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行迭代优化升级 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-13 09:19

碳化硅（SiC）单晶衬底加工技术: SiC 单晶材料具有硬且脆的特性，这给它的切片加工带来了不小的难题，同时对磨削精度也提出了很高的要求。所以，晶圆制造往往是一个耗时较长且难度系数颇高的复杂过程。本文将着重介绍几种应用于 SiC 单晶的切割加工 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-10 11:30

超7.5亿！4家SiC相关企业获得融资: 近日，国内又有4家碳化硅相关企业完成融资，合计金额超过7.5亿元：翠展微电子：完成数亿元B+轮融资1月8日，翠展微电子在官微宣布，他们已完成数亿元B+轮融资，由国科长三角资本领投，同鑫资本和银茂控股等跟投，未来 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-10 11:23

一汽红旗新SiC车型上市，模块供应商是？: 1月7日，中国一汽红旗举行了旗下天工家族首款车型天工08上市发布会，该车型定位为中大型纯电SUV，包括单电机后驱和双电机四驱版本。据了解，天工08基于“天工纯电平台”与“九章智能平台”打造，其电驱系统采用新一 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-10 11:20

又一企业开发出8英寸GaN单晶晶圆: 1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。据介绍，与使用采用硅基GaN工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-10 09:22

芯片级热通量超过1000 W/cm2的高功率密度碳化硅功率模块的集成热管理: 摘要随着SiC器件的不断小型化，管芯级热通量提高到1 kW/cm 2，高效的热管理对于电力电子设备的当前负载和可靠性至关重要。这项工作描述了电力电子设备集成冷却策略的设计、制造和性能。该策略包括低热阻封装（通过纳 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-9 10:02

PVT法4H-SiC晶体生长初期缺陷结构分析: 研究背景近年来，高功率和高频应用器件对高质量 4H-SiC 晶体的需求日益增长。虽然 PVT 是一种成功生长4H-SiC 晶体的方法，但固有的缺陷（如微管、螺位错/混合位错 (TSDs/TMDs)、刃位错 (TEDs) 和基面位错 (BPDs)）会 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-9 09:57

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